[지재 판결문] 특허법원 2022허2097 - 취소결정(특)

[지재] 특허법원 2022허2097 - 취소결정(특).pdf

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- 1 -
특 허 법 원
제 부
결
사 건 허 취소결 특2022 2097 ( )
원 고 가부시키가이샤A 
일본 
송달장소 
이사 B
소송 리인 변리사 욱
소송복 리인 변리사 미연
고 특허청장
소송 행자 노 철
변 종 결 2022. 12. 8.
결 고 2023. 2. 9.
주 문
특허심 원이 소 사건에 여 결 취소 다1. 2021. 12. 29. 2020 135 .
소송 용 각자 부담 다2. .
- 2 -
청 구 취 지
주 항 재 같다1 .
이 유
기초사실1. 
가 이 사건 결 경 . 
1) C 이 사건 특허 명 등 공고일1) 부 개월 내인 래 나 항 6 2020. 11. 9. .
재 이 사건 특허 명 특허권자인 원고를 상 특허심 원 소 이 사2020 135 ‘
건 특허 명 청구항 내지 상 명 1 21 1 내지 42)에 여 이 사건 특허
명이 속 는 분야에 통상 지식 가진 사람 이 통상 자라 다 이 ( ‘ ’ )
쉽게 명 있어 진보 이 부 는 취소사 가 있 므 그 특허는 취소 어야 , 
다고 주장 면 특허취소신청 다 이 이 사건 취소신청이라 다‘ ( ‘ ’ ). 
특허심 원 2) 청구항 통상 자가 상 명 부 쉽 2021. 4. 1. ‘ 1 1
게 명 있고 청구항 는 통상 자가 상 명 는 상 명 , 12 1 
결합 부 쉽게 명 있 며 나 지 청구항들도 통상 자가 1, 4 , 
상 명들 부 쉽게 명 있 므 , 그 진보 이 부 다는 취지 ‘ 취소 견
출통지를 고 이에 원고는 청구 를 출, 2021. 8. 23. 다 이 이 사건 ( ’
청구라 다‘ ). 
이에 여 3) , 특허심 원 이 사건 청구는 인 나 이 2021. 12. 29. ‘ , 
청구항 상 명 에 여 그 진보 이 부 고1, 12, 13, 17 1 , 
1) 2020. 5. 28.
2) 각각 이 사건 소송에 행 명 내지 동일 다 1 4 .
- 3 -
이 청구항 내지 상 명 는 상 명 과 결합에 2 8, 18 1 1 2
여 그 진보 이 부 며 이 청구항 상, 9, 10, 11, 19, 20
명 과 결합에 여 그 진보 이 부 고 이 청구항 1 3 , 14, 15, 21
상 명 과 결합에 여 그 진보 이 부 다는 이 신청 일1 4 ’ C
부 인용 는 결 다 이 이 사건 결 이라 다( ‘ ’ ).
나 원고 이 사건 특허 명 갑 증 . ( 2, 4 )
명 명칭1) 자 재료 조용 약 조 법 법 도체 : , , 
이스 조 법 자 재료 조용 약 용 품질 검사 법, , 
국 출원일 우 권주장일 등 공고일 등 번2) / / / : 2017. 3. 27./ 2016. 3. 31., 
2017. 3. 8./ 2020. 5. 28./ 10-2116252
청구범 청구에 여 것3) (2021. 8. 23. )3)4)
청 항 약액 중 1 Single Particle ICP-MASS【 】 5)법에 하여 측정되는 철 원, 
포함하는 성 탈 농 원 포함하는 성 탈 농 및 , , 
아연 원 포함하는 성 탈 농 에 라 상기 약액 중 성 탈 , 
저감 방법 선택하고 하 ( ‘ 성 소 1-1 라 한다’ ),
선택된 상기 저감 방법 하여 상기 철 원 포함하는 성 탈 농, 
상기 원 포함하는 성 탈 농 및 상기 아연 원 포함하, , 
는 성 탈 농 중 적어 하나 저감시키고 상기 저감 방법 약액 , 
3) 부분이 부분이다 .
4) 이 사건 청구는 모 청구범 를 감축 는 경우에 해당 는 것 이 사건 명 명 에 재 사항 범 , 
이내에 이루어진 것이고 이러 인 여 명 목 이나 사상에 어떤 변경이 있다고 볼 없 며 명, , 
상 명에 재 어 있는 내용 그 것이므 특허청구범 를 실질 장 거나 변경 것이라 , 
없다 라 이 사건 청구는 법 것이고 이 사건 청구. , 에 여는 당사자 사이에 다 이 없다.
5) 임말이다 ‘Single Particle Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry’ . 
- 4 -
증 하는 방법 포함하는 하 ( ‘ 성 소 1-2 라 한다 전 료 제조 약액 ’ ), 
제조 방법 하 ( ‘ 사건 제 항 정정발1 라 하고 나 지 청 항 같 방식’ , 
로 사건 결정에 하여 정정된 사건 특허발 전체 에는 , 
‘ 사건 정정발 라 한다’ ).
청 항 청 항 에 어서 상기 저감 방법 약액 필 에 하여 여과 2 1 , 【 】 
하는 방법 포함하는 것 전 료 제조 약액 제조 방법, .
청 항 청 항 또는 청 항 에 어서 상기 저감 방법 하여 상 3 1 2 , , 【 】 
기 약액 중 상기 철 원 포함하는 성 탈 농 상기 원 포, , 
함하는 성 탈 농 및 상기 아연 원 포함하는 성 탈 농 , 
합 하로 하는 전 료 제조 약액 제조 방법, 100ppt , .
청 항 청 항 또는 청 항 에 어서 상기 저감 방법 상기 약액 4 1 2 , , 【 】 
폴 에틸렌 필 폴 프로필렌 필 소 수지 필 폴 아 드 수지 필, , , , 
및 폴 설폰 수지 필 로 루어지는 로 선택되는 종 상 하, 1
여 여과하는 방법 전 료 제조 약액 제조 방법, .
청 항 청 항 에 어서 상기 저감 방법 상기 약액 소 수지 필 5 4 , , , 【 】 
또는 폴 아 드 수지 필 하여 여과하는 방법 전 료 제조 , , 
약액 제조 방법.
청 항 청 항 에 어서 상기 저감 방법 상기 약액 폴 에틸렌 필 6 4 , , , 【 】 
폴 프로필렌 필 소 수지 필 폴 아 드 수지 필 및 폴 설폰 수, , , , 
지 필 로 루어지는 로 선택되는 종 상 필 하여 여과하고1 , 
여과된 상기 약액 상기 로 선택되지만 상기 선택된 종 상 필, 1
- 5 -
는 다 종 상 필 하여 추가로 여과하는 방법 전 료 제조 1 , 
약액 제조 방법.
청 항 청 항 또는 청 항 에 어서 상기 전 료 제조 약액 반 7 1 2 , 【 】 
체 바 스 제조 약액 전 료 제조 약액 제조 방법, .
청 항 청 항 또는 청 항 에 어서 상기 전 료 제조 약액 8 1 2 , , 【 】 
제 함 하는 감 성 선성 또는 감방사선성 수지 조성물 감 성 선성 또는 , 
감방사선성 수지 조성물 제 상액 스액 프 웨트액 세정액 에칭액 박, , , , , , 
액 또는 코트 제 전 료 제조 약액 제조 방법, , .
청 항 제 함 하는 감 성 선성 또는 감방사선성 수지 조성물에 9 (1) 【 】 
하여 감 성 선성 또는 감방사선성 성하는 공정,
상기 감 성 선성 또는 감방사선성 노 하는 공정 및(2) , 
노 한 상기 감 성 선성 또는 감방사선성 상액 하여 상하는 (4) , 
공정 갖는 성 방법 로서,
공정 상기 상액(4) 청 항 에 기 된 전 료 제조 약액 제조 방법, 8
에 하여 얻어진 전 료 제조 약액 , 상기 상액 기계 상액 또는 
알칼 상액 상기 기계 상액 에서 증기압 하 고, 20 3kPa ,℃ 수 
득된 하 선폭 갖는 성 방법10nm , .
청 항 제 함 하는 감 성 선성 또는 감방사선성 수지 조성물에 10 (1) 【 】 
하여 감 성 선성 또는 감방사선성 성하는 공정,
상기 감 성 선성 또는 감방사선성 노 하는 공정(2) ,
노 한 상기 감 성 선성 또는 감방사선성 상액 하여 상하는 (4) , 
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공정 및, ,
상된 상기 감 성 선성 또는 감방사선성 스액 하여 세정하는 (5) , 
공정 갖는 성 방법 로서,
공정 상기 상액(4) 청 항 에 기 된 전 료 제조 약액 제조 방법, 8
에 하여 얻어진 전 료 제조 약액 , 상기 상액 기계 상액 또는 
알칼 상액 상기 기계 상액 아세트산 뷰틸 프로필렌글라 콜 노, , 
틸에 아세 트 사 클로헥산 및 뷰티로락 로 루어진 로 선택, -γ
된 적어 종 포함하고 상기 알칼 상액 트라 틸암 늄하 드록사1 , 
드 포함하 , 수득된 하 선폭 갖는 성 방법 10nm , .
청 항 청 항 에 기 된 성 방법 포함하는 반 체 바 스 11 9 , 【 】 
제조 방법.
청 항 법에 하여 측정되는 철 원 포함하 12 Single Particle ICP-MASS , 【 】 
는 성 탈 농 원 포함하는 성 탈 농 및 아연 원, , 
포함하는 성 탈 농 합 하 전 료 제조 약액100ppt 
로서 상기 전 료 제조 약액 , 기계 상액 또는 알칼 상액 상기 , , 
기계 상액 아세트산 뷰틸 프로필렌글라 콜 노 틸에 아세 트 사 클, , 
로헥산 및 뷰티로락 로 루어진 로 선택된 적어 종 포함하- 1γ
고 상기 알칼 상액 트라 틸암 늄하 드록사 드 포함하, , Single 
법에 하여 측정되는 철 원 포함하는 성 탈 농Particle ICP-MASS , , 
원 포함하는 성 탈 농 및 아연 원 포함하는 성 탈, 
농 합 로 하고 법과 법에 하Mp , Single Particle ICP-MASS ICP-MASSΣ
- 7 -
여 측정되는 철 원 포함하는 성 탈 농 원 포함하는 , , 
성 탈 농 및 아연 원 포함하는 성 탈 농 합 로 한 경, MiΣ
에 및 가 하기 식 충족시키는 전 료 제조 약액, Mp Mi , :Σ Σ
기계 상액 경 , Mp 5.6 ppt, Mi 367.5 pptΣ ≤ Σ ≤
알칼 상액 경 , Mp 98 ppt, Mi 959 ppt.Σ ≤ Σ ≤
프 웨트액 또는 스액 경, , Mp 45 ppt, Mi 549 ppt.Σ ≤ Σ ≤
청 항 청 항 에 어서 및 가 하기 식 충족시키는 전 13 12 , Mp Mi , 【 】 Σ Σ
료 제조 약액:
Mp Mi 100ppt.Σ ≤Σ ≤
청 항 청 항 에 기 된 전 료 제조 약액 14 12【 】 수 된 수 갖
는 전 료 제조 약액, 보 하는 기로서 상기 기에 검사액 충전하여, , 
간 보 상기 검사액 중 법에 하여 25 , 30 , , Single Particle ICP-MASS℃
측정되는 철 원 포함하는 성 탈 농 원 포함하는 성 , , 
탈 농 및 아연 원 포함하는 성 탈 농 합 하, 100ppt , 
기.
청 항 청 항 에 어서 상기 검사액 순수 상기 기에 보 하고 15 14 , , , 【 】 
하는 전 료 제조 약액 또는 상기 기에 보 하고 하는 전 료 제조 , 
약액 성하는 원료 또는 복수 합한 합액 기, .
청 항 16【 】 삭제( )
청 항 법에 하여 측정되는 철 원 포함하 17 Single Particle ICP-MASS , 【 】 
는 성 탈 농 원 포함하는 성 탈 농 및 아연 원, , 
- 8 -
포함하는 성 탈 농 합 로 하고Mp , Single Particle ICP-MASSΣ
법과 법에 하여 측정되는 철 원 포함하는 성 탈 농ICP-MASS , , 
원 포함하는 성 탈 농 및 아연 원 포함하는 성 탈 , 
농 합 로 한 경 에 및 가 하기 식 충족시키는Mi , Mp Mi , Σ Σ Σ 전 료 
제조 약액 상기 전 료 제조 약액 기계 상액 또는 알칼 상, , 
액 고 상기 기계 상액 에서 증기압 하, 20 3kPa ,℃ 전 료 제조 
약액:
Mp Mi 100ppt.Σ ≤Σ ≤
청 항 약액 중 법에 하여 측정되는 철 원 18 Single Particle ICP-MASS , 【 】 
포함하는 성 탈 농 원 포함하는 성 탈 농 및 , , 
아연 원 포함하는 성 탈 농 에 라 상기 약액 중 성 탈 , 
저감 방법 선택하고 선택된 상기 저감 방법 하여 상기 철 원 포, , 
함하는 성 탈 농 상기 원 포함하는 성 탈 농 및 , , 
상기 아연 원 포함하는 성 탈 농 중 적어 하나 저감시키고 상, 
기 저감 방법 하여 상기 약액 중 상기 철 원 포함하는 성 , , 
탈 농 상기 원 포함하는 성 탈 농 및 상기 아연 원 , , 
포함하는 성 탈 농 합 하로 하는 전 료 제조 약액, 100ppt 
제조 방법.
청 항 제 함 하는 감 성 선성 또는 감방사선성 수지 조성물에 19 (1) 【 】 
하여 감 성 선성 또는 감방사선성 성하는 공정,
상기 감 성 선성 또는 감방사선성 노 하는 공정 및(2) , 
- 9 -
노 한 상기 감 성 선성 또는 감방사선성 상액 하여 상하는 (4) , 
공정 갖는 성 방법 로서,
공정 상기 상액(4) 전 료 제조 약액 , 
상기 전 료 제조 약액 법에 하여 측정되는 철 Single Particle ICP-MASS , 
원 포함하는 성 탈 농 원 포함하는 성 탈 농, , 
및 아연 원 포함하는 성 탈 농 합 로 하고Mp , Single Particle Σ
법과 법에 하여 측정되는 철 원 포함하는 성 탈ICP-MASS ICP-MASS , 
농 원 포함하는 성 탈 농 및 아연 원 포함하는 , , 
성 탈 농 합 로 한 경 에 및 가 하기 식 충족시키Mi , Mp MiΣ Σ Σ , 
상기 전 료 제조 약액 기계 상액 또는 알칼 상액 고 상기 기, , 
계 상액 에서 증기압 하20 3kPa ℃ 성 방법, :
Mp Mi 100ppt.Σ ≤Σ ≤
청 항 제 함 하는 감 성 선성 또는 감방사선성 수지 조성물에 20 (1) 【 】 
하여 감 성 선성 또는 감방사선성 성하는 공정,
상기 감 성 선성 또는 감방사선성 노 하는 공정(2) ,
노 한 상기 감 성 선성 또는 감방사선성 상액 하여 상하는 (4) , 
공정 및, ,
상된 상기 감 성 선성 또는 감방사선성 스액 하여 세정하는 (5) , 
공정 갖는 성 방법 로서,
공정 상기 감 성 선성 또는 감방사선성 수지 조성물 공정 상기 상(1) , (4)
액 및 공정 상기 스액 중 적어 하나가 전 료 제조 약액 상기 , (5) , 
- 10 -
전 료 제조 약액 법에 하여 측정되는 철 원Single Particle ICP-MASS , 
포함하는 성 탈 농 원 포함하는 성 탈 농 및 , , 
아연 원 포함하는 성 탈 농 합 로 하고Mp , Single Particle Σ
법과 법에 하여 측정되는 철 원 포함하는 성 탈ICP-MASS ICP-MASS , 
농 원 포함하는 성 탈 농 및 아연 원 포함하는 , , 
성 탈 농 합 로 한 경 에 및 가 하기 식 충족시키는Mi , Mp Mi , Σ Σ Σ
성 방법:
Mp Mi 100ppt.Σ ≤Σ ≤
청 항 21【 】 전 료 제조 약액 수 된 수 갖는 전 료 제조 
약액 보 하는 기로서 상기 기에 검사액 충전하여 간 보 , , 25 , 30 , ℃
상기 검사액 중 법에 하여 측정되는 철 원 , Single Particle ICP-MASS , 
포함하는 성 탈 농 원 포함하는 성 탈 농 및 아연 , , 
원 포함하는 성 탈 농 합 하 상기 전 료 제100ppt , 
조 약액 법에 하여 측정되는 철 원 포함하는 Single Particle ICP-MASS , 
성 탈 농 원 포함하는 성 탈 농 및 아연 원 , , 
포함하는 성 탈 농 합 로 하고 법과 Mp , Single Particle ICP-MASSΣ
법에 하여 측정되는 철 원 포함하는 성 탈 농 원ICP-MASS , , 
포함하는 성 탈 농 및 아연 원 포함하는 성 탈 농, 
합 로 한 경 에 및 가 하기 식 충족시키Mi , Mp MiΣ Σ Σ 상기 전 료 , 
제조 약액 기계 상액 또는 알칼 상액 고 상기 기계 상액 , , 2
에서 증기압 하0 3kPa ℃ 기, :
- 11 -
Mp Mi 100ppt.Σ ≤Σ ≤
명 개요4) 
가 발명의 설명 ) 
기술 분야 (1) 
본 발명은 전자 재료 제조용 약액의 제조 방법 패턴 형성 방법 반도체 디바이스의 제 , , , 
조 방법 전자 재료 제조용 약액 용기 및 품질 검사 방법에 관한 것이다 식별번호 , , , ( [0001]).
배경 기술 (2) 
종래 알칼리 현상액을 이용한 포지티브형 패턴 형성 방법 및 그에 이용되는 포지티브형 , 
레지스트 조성물로서 다양한 구성이 제안되고 있다 예를 들면 특허문헌 참조 이에 더, ( , 1~3 ). 
하여 최근에는 유기계 현상액을 이용한 네거티브형 패턴 형성 방법 및 그에 이용되는 네거, , 
티브형 레지스트 조성물이 포지티브형 레지스트 조성물에서는 달성할 수 없는 미세 콘택트 , 
홀이나 트렌치 패턴 형성을 주 용도로서 개발되고 있다 예를 들면 특허문헌 참조 식별( , 4~7 )(
번호 [0002]).
상기의 포지티브형 또는 네거티브형 패턴 형성 방법에 사용되는 레지스트 조성물이나 현 
상액은 통상 레지스트 조성물 또는 현상액 중의 미립자가 필터에 의하여 제거된 후에 사용, , 
되고 있다 예를 들면 특허문헌 및 참조 식별번호 ( , 8 9 )( [0003]).
나 발명의 내용) 
해결하려는 과제 및 과제의 해결 수단 (1) 
반도체 재료 분야에 있어서 모든 재료에 있어서의 금속 농도를 규정한 발명은 알려져 , 
있으며 금속 농도의 측정 방법으로서는 표준적인 유도 결합 플라즈마 질량 분석법, , 
법 이 널리 사용되고 있다 식별번[ICP-MASS (Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry)] (
호 [0007]).
수십 정도의 금속 불순물 농도는 제조 원료나 제조 프로세스로부터의 각각의 오염 ppb , 
의 단순 총합으로 이해 제어 가능하다 또 금속 불순물 농도를 수십 정도로 함으로써, . , ppb , 
요구되는 품질이 충족되는 경우가 많다 식별번호 ( [0008]).
그러나 최근에는 반도체 디바이스의 추가적인 미세화 예를 들면 노드 이하 의 요 , , ( , 10nm )
구가 급격하게 높아지고 있다 식별번호 ( [0009]).
노드 이하의 미세화의 요청을 받아 금속 불순물 농도를 저감시키기 위하여 단순 10nm , , 
- 12 -
히 수십 정도의 금속 불순물 농도의 관리에 이용되고 있는 종래의 분석 방법 전형적으, ppb (
로는 법 을 레벨이나 레벨의 금속 불순물 농도의 관리에 적용하는 것은, ICP-MASS ) , ppt ppq , 
금속 불순물 농도가 요구되는 검출 레벨이 법에 의한 금속 불순물의 검출 한계에 , ICP-MASS
가깝거나 또는 초과하고 있는 등의 이유에 의하여 어려워지게 되었다 식별번호 , , ( [0010]).
또 본 발명자들의 검토에 의하면 금속 불순물 농도를 레벨로 저감시킨 전자 재료 , , ppt 
제조용 약액이더라도 노드 이하의 미세 패턴에 있어서는 반드시 요구되는 품질을 충, 10nm , 
족시키고 있다고는 할 수 없는 것을 알 수 있었다 바꿔 말하면 노드 이하의 미세 패. , 10nm 
턴의 제조에 있어서는 전자 재료 제조용 약액의 금속 불순물 농도와 전자 재료 제조용 약액, , 
의 요구되는 품질의 상관 관계가 희미해지는 경향이 되었다 따라서 종래의 분석 방법에 의. 
지하는 것만으로는 노드 이하의 미세 패턴의 형성에 견딜 수 있는 고품질의 전자 재, 10nm 
료 제조용 약액을 효율적으로 제조하는 것이 어려워져 있는 것을 알 수 있었다 식별번호 (
[0011]).
본 발명은 상기 실정을 감안하여 이루어진 것이며 그 목적은 초미세 패턴 예를 들면 , , , ( , 
노드 이하 의 형성에 있어서도 고품질인 전자 재료 제조용 약액을 고효율로 제조할 수 10nm )
있는 전자 재료 제조용 약액의 제조 방법 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 반도체 디바이스, 
의 제조 방법 초미세 패턴의 형성에 있어서도 고품질인 전자 재료 제조용 약액 및 용기와, , 
특히 초미세 패턴의 형성에 있어서의 품질 검사 방법을 제공하는 것이다 식별번호 ( [0012]).
금회 본 발명자들은 예의 검토한 결과 전자 재료 제조용 약액 중의 법 , , SP ICP-MASS
에 의하여 측정되는 금속 원(Single Particle Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry)
자 특히 철 원자 구리 원자 및 아연 원자 를 포함하는 입자성 메탈의 농도와 초미세 패턴( , , ) , 
예를 들면 노드 이하 의 형성에 있어서 요구되는 전자 재료 제조용 약액의 품질 사이( , 10nm )
에 상관관계가 있는 것을 발견함과 함께 전자 재료 제조용 약액에 있어서의 금속 원자를 포, , 
함하는 입자성 메탈을 타깃하여 그 농도를 저감시킴으로써 초미세 패턴의 형성에 있어서, , , 
고품질의 전자 재료 제조용 약액이 얻어지는 것을 발견했다 식별번호 ( [0013]).
그리고 본 발명자들은 상기 발견에 근거하면 입자성 메탈의 농도에 따라 입자성 메탈 , , , , 
의 저감화 방법을 적절히 선택할 수 있고 나아가서는 전자 재료 제조용 약액을 효율적으로 , , 
제조할 수 있는 것을 발견하여 본 발명을 완성했다 식별번호 , ( [0014]).
발명의 효과 (2) 
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본 발명에 의하면 초미세 패턴 예를 들면 노드 이하 의 형성에 있어서도 고품질 , ( , 10nm )
인 전자 재료 제조용 약액을 고효율로 제조할 수 있는 전자 재료 제조용 약액의 제조 방법, 
이를 이용한 패턴 형성 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 초미세 패턴의 형성에 있어서, 
도 고품질인 전자 재료 제조용 약액 및 용기와 특히 초미세 패턴의 형성에 있어서의 품질 , 
검사 방법을 제공할 수 있다 식별번호 ( [0059]).
(3) 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 
본 발명의 전자 재료 제조용 약액의 제조 방법은 약액 중의 법 , Single Particle ICP-MASS
에 의하여 측정되는 철 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도 구리 원자를 포함하는 입자성 , , 
메탈의 농도 및 아연 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도에 따라 상기 약액 중의 입자성 , , 
메탈의 저감화 방법을 선택하고 선택된 상기 저감화 방법을 이용하여 상기 철 원자를 포함, , 
하는 입자성 메탈의 농도 상기 구리 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도 및 상기 아연 원, , 
자를 포함하는 입자성 메탈의 농도 중 적어도 하나를 저감시키는 전자 재료 제조용 약액의 , 
제조 방법이다 식별번호 ( [0075]).
상기한 바와 같이 측정된 입자성 메탈의 농도에 따라 입자성 메탈의 저감화 방법을 적 , , 
절히 선택할 수 있기 때문에 초미세 패턴 예를 들면 노드 이하 의 형성에 있어서도 , ( , 10nm )
고품질인 전자 재료 제조용 약액을 고효율로 제조할 수 있다 식별번호 ( [0076]).
또한 본 명세서에 있어서 입자성 메탈의 저감화 처리를 행하기 전의 조성물을 간단하게 , , 
약액이라고 하는 경우가 있다 또 이 약액 중의 법에 의하여 측정되. , Single Particle ICP-MASS
는 입자성 메탈의 농도에 따라 저감화 처리를 실시한 조성물을 전자 재료 제조용 약액이라고 
하는 경우가 있다 식별번호 ( [0077]).
여기에서 법 단일 입자 유도 결합 플라즈마 질량 분석법 이하 , Single Particle ICP-MASS ( )( , 
간단하게 라고도 함 에 있어서 사용되는 장치는 통상의 법 유도 결합 , "SP ICP-MS" ) , ICP-MASS (
플라즈마 질량 분석법 이하 간단하게 라고도 함 에 있어서 사용되는 장치와 동일하)( , , "ICP-MS" )
며 데이터 분석만이 다르다 로서의 데이터 분석은 시판 중인 소프트웨어에 의하, . SP ICP-MS , 
여 실시할 수 있다 식별번호 ( [0078]).
에서는 측정 대상이 된 금속 원자를 포함하는 성분의 농도가 그 존재 형태에 관 ICP-MS , , 
계없이 측정되는 반면에 에서는 측정 대상이 된 금속 원자를 포함하는 입자성 메, SP ICP-MS , 
탈의 농도가 측정된다 식별번호 ( [0079]).
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금속 원자를 포함하는 성분의 존재 형태는 통상 입자성 메탈로서의 형태 또는 이온성 , , 
메탈로서의 형태이다 따라서 를 이용하여 측정된 금속 원자를 포함하는 성분의 농도. , ICP-MS
와 를 이용하여 측정된 금속 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도 로부터(Mt) , SP ICP-MS (Mp) , 
하기 식에 근거하여 금속 원자를 포함하는 이온성 메탈의 농도 를 구할 수 있다 식별번호 , (Mi) (
[0080]).
식별번호 Mi=Mt-Mp( [0081])
약액 전자 재료 제조용 약액 중의 철 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도 구리 원자를 ( ) , 
포함하는 입자성 메탈의 농도 및 아연 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도는 각각 상기한 , , 
에 의하여 측정할 수 있다 식별번호 SP ICP-MS ( [0088]).
약액 중의 입자성 메탈의 저감화 방법으로서는 약액의 증류를 적합하게 들 수 있다 식별 , (
번호 [0089]).
증류 공정으로서는 화학 공업에서 널리 사용되고 있는 기존의 방법을 적용할 수 있다 , . 
예를 들면 전자 재료 제조용 약액이 아세트산 뷰틸인 경우는 일본 특허공보 호 및 , , 4259815
일본 특허공보 호에 기재된 방법을 들 수 있다 식별번호 4059685 ( [0102]).
또 약액 중의 입자성 메탈의 저감화 방법으로서는 필터를 이용한 여과를 적합하게 들 , , 
수 있다 필터 구멍 직경으로서는 포어 사이즈가 이하인 것이 바람직하게 이용된다. , 20nm . 
또한 불순물의 제거 효율 향상의 관점에서는 포어 사이즈 이하가 바람직하고, , 10nm , 5nm 
이하가 보다 바람직하며 이하가 더 바람직하다 식별번호 , 3nm ( [0103]).
필터는 불소 수지 필터 또는 폴리아마이드 수지 필터인 것이 바람직하다 금속 이온의 , , . 
제거 효율이 우수한 관점에서는 폴리아마이드 수지 필터를 이용하는 것이 바람직하다 식별번, (
호 [0105]).
철 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도를 적극적으로 저감시키고자 하는 경우의 저감화 
방법은 폴리에틸렌 필터 폴리프로필렌 필터 불소 수지 필터 폴리아마이드 수지 필터 및 , , , , , 
폴리설폰 수지 필터로 이루어지는 군으로부터 선택되는 종 이상을 이용한 여과 방법인 것이 1
바람직하고 불소 수지 필터 또는 폴리아마이드 수지 필터를 이용한 여과 방법인 것이 보다 , , 
바람직하며 폴리아마이드 수지 필터를 이용한 여과 방법인 것이 특히 바람직하다 식별번호 , (
[0110]).
구리 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도를 적극적으로 저감시키고자 하는 경우의 저감 
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화 방법은 폴리에틸렌 필터 폴리프로필렌 필터 불소 수지 필터 폴리아마이드 수지 필터, , , , , 
및 폴리설폰 수지 필터로 이루어지는 군으로부터 선택되는 종 이상을 이용한 여과 방법인 1
것이 바람직하고 불소 수지 필터 또는 폴리아마이드 수지 필터를 이용한 여과 방법인 것이 , , 
보다 바람직하며 폴리아마이드 수지 필터를 이용한 여과 방법인 것이 특히 바람직하다 식별, (
번호 [0111]).
아연 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도를 적극적으로 저감시키고자 하는 경우의 저감 
화 방법은 폴리에틸렌 필터 폴리프로필렌 필터 불소 수지 필터 폴리아마이드 수지 필터, , , , , 
및 폴리설폰 수지 필터로 이루어지는 군으로부터 선택되는 종 이상을 이용한 여과 방법인 1
것이 바람직하고 불소 수지 필터 또는 폴리아마이드 수지 필터를 이용한 여과 방법인 것이 , , 
보다 바람직하며 폴리아마이드 수지 필터를 이용한 여과 방법인 것이 특히 바람직하다 식별, (
번호 [0112]).
상기 저감화 방법은 약액을 폴리에틸렌 필터 폴리프로필렌 필터 불소 수지 필터 폴리 , , , , , 
아마이드 수지 필터 및 폴리설폰 수지 필터로 이루어지는 군으로부터 선택되는 종 이상의 , 1
필터를 이용하여 여과하고 여과된 약액을 상기 군으로부터 추가로 선택되지만 상기 선택된 , , 
종 이상의 필터와는 다른 종 이상의 필터를 이용하여 여과하는 방법 이하 간단하게 다단 1 1 ( , , "
여과 방법 이라고도 함 인 것이 바람직하다 식별번호 " ) ( [0117]).
상기 저감화 방법은 약액을 폴리에틸렌 필터 폴리프로필렌 필터 및 불소 수지 필터로 , , , , 
이루어지는 군으로부터 선택되는 종 이상의 필터를 이용하여 여과하고 여과된 약액을 상기 1 , , 
군으로부터 추가로 선택되지만 상기 선택된 종 이상의 필터와는 다른 종 이상의 필터를 1 1
이용하여 여과하는 방법인 것이 바람직하다 식별번호 ( [0118]).
여기에서 상기 선택된 종 이상의 필터와는 다른 종 이상의 필터 의 다르다 란 전형 , " 1 1 " " " , 
적으로는 필터의 재질 및 포어 사이즈 중 적어도 한쪽이 다른 것을 의미한다 식별번호 , (
[0119]).
상기 저감화 방법은 약액을 증류하는 방법 및 약액을 필터에 의하여 여과하는 방법의 , , 
조합을 포함하는 것이 바람직하다 식별번호 ( [0123]).
상기 저감화 방법으로서는 약액과 흡착재를 접촉시키는 방법도 들 수 있다 식별번호 , (
[0124]).
본 발명의 전자 재료 제조용 약액의 제조 방법에 있어서는 상기 저감화 방법을 이용하 , 
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여 법에 의하여 측정되는 약액 중의 철 원자를 포함하는 입자성 메, Single Particle ICP-MASS , 
탈의 농도 구리 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도 및 아연 원자를 포함하는 입자성 메탈, , 
의 농도의 합을 이하로 하는 것이 바람직하고 이하로 하는 것이 보다 바람직, 100ppt , 50ppt 
하며 이하로 하는 것이 더 바람직하다 이로써 초미세 패턴 예를 들면 노드 이, 10ppt . , ( , 10nm 
하 의 형성에 있어서도 고품질의 전자 재료 제조용 약액을 제조할 수 있다 식별번호 ) ( [0128]).
철 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도 구리 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도 및 , , 
아연 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도의 합을 크게 저감시키는 방법으로서는 특히 상기, , 
한 다단 여과 방법을 적합하게 들 수 있다 다단 여과 방법에 있어서는 상기한 바와 같이. , , 
사용 전의 필터를 충분히 세정해 두는 것이 가장 바람직하다 식별번호 ( [0129]).
상기한 바와 같이 본 발명자들은 에 의하여 측정되는 금속 원자 특히 철 원 , , SP ICP-MS ( , 
자 구리 원자 및 아연 원자 를 포함하는 입자성 메탈의 농도와 초미세 패턴 예를 들면, ) , ( , 
노드 이하 의 형성에 있어서 요구되는 전자 재료 제조용 약액의 품질 사이에 상관 관10nm ) , 
계를 발견함과 함께 철 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도 구리 원자를 포함하는 입자성 , , 
메탈의 농도 및 아연 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도의 합의 저감에 있어서는 예를 들, , 
면 상술한 다단 여과 방법이 유력한 것을 발견했다 이로써 이와 같은 유력한 수법에 관한 . , 
사전의 발견을 전자 재료 제조용 약액의 제조 방법에 있어서 곧바로 적용할 수 있기 때문에, , 
초미세 패턴 예를 들면 노드 이하 의 형성에 있어서도 고품질의 전자 재료 제조용 약( , 10nm )
액을 다양한 불순물 저감화 수법을 시행하지 않고 제조할 수 있게 되었다 즉 본 발명의 전, , . , 
자 재료 제조용 약액의 제조 방법은 상기 고품질의 전자 재료 제조용 약액을 고효율로 제조, 
할 수 있는 것이다 식별번호 ( [0130]).
또 본 발명은 법에 의하여 측정되는 철 원자를 포함하는 입자 , , Single Particle ICP-MASS , 
성 메탈의 농도 구리 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도 및 아연 원자를 포함하는 입자성 , , 
메탈의 농도의 합이 이하인 전자 재료 제조용 약액에도 관한 것이다 식별번호 100ppt (
[0131]).
품질 검사 방법에 있어서의 품질 기준은 특별히 한정되지 않지만 품질 검사의 대상이 , 
되는 금속 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도가 철 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도, , 
구리 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도 및 아연 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도인 , 
것이 바람직하고 초미세 패턴 예를 들면 노드 이하 의 형성에 있어서도 고품질의 전, ( , 10nm )
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자 재료 제조용 약액을 고효율로 제조하기 위해서는 상기 철 원자를 포함하는 입자성 메탈, 
의 농도 상기 구리 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도 및 상기 아연 원자를 포함하는 입, , 
자성 메탈의 농도의 합이 이하로 되어 있는지 여부를 품질 기준으로 하는 예를 적합, 100ppt 
하게 들 수 있다 식별번호 ( [0141]).
또 전자 재료 제조용 약액을 보관하기 전의 세정 공정에서 사용할 수 있는 세정액은 일 , , 
형태에 있어서 상기 내벽에 대한 에 있어서의 접촉각이 도 이상 도 이하인 것이 , 23 10 120℃
바람직하다 식별번호 ( [0161]).
여기에서 접촉각이란 소정의 물질의 표면의 소정의 액체에 대한 습윤성에 관한 지표이 , , 
며 도 에 나타내는 바와 같이 물질 상에 부착된 액체 의 둘레 가장자리부에 있어서, 1 , (10) (11)
의 접선이 물질 의 표면에 대하여 이루는 각 에 의하여 나타난다 접촉각 이 클수록(10) ( ) . ( ) , θ θ
물질 은 액체 를 튕겨내기 쉬워 액체 에 대한 습윤성이 낮다 반대로 접촉각 이 작(10) (11) , (11) . , ( )θ
을수록 물질 은 액체 를 튕겨내기 어려워 액체 에 대한 습윤성이 높다 접촉각 의 , (10) (11) , (11) . ( )θ
대소는 물질 의 표면 에너지의 대소에 좌우되며 물질 의 표면 에너지가 작을수록 접촉, (10) , (10)
각 이 커진다 식별번호 ( ) ( [0162]).θ
전자 재료 제조용 약액을 보관하기 전의 수용부의 내벽의 세정 공정에 있어서 그 내벽 , 
에 대한 접촉각이 도 이상이며 습윤성이 지나치게 양호하지 않은 세정액으로 세정함으로10 , 
써 세정액이 용기에 잔류하여 세정 후에 충전되는 본 발명의 전자 재료 제조용 약액 중에 , 
세정액이나 세정액에 포함되는 오염물이 혼입되는 것을 억제하는 것이 가능해진다 그 내벽. 
에 대한 접촉각이 도 이하이며 습윤성이 지나치게 나쁘지 않은 세정액으로 내벽을 세정120 , 
함으로써 수용부의 미세한 간극 등에 잔류하는 오염물의 제거율을 높이는 것이 가능해진다, 
식별번호 ( [0163]).
세정액은 보관에 제공되는 전자 재료 제조용 약액에 함유되는 성분 중 적어도 종을 포 , 1
함하는 것이 바람직하다 이 적어도 종의 성분으로서는 전자 재료 제조용 약액에 주성분으. 1 , 
로서 함유되는 종 또는 종 이상의 성분인 것이 바람직하다 전자 재료 제조용 약액에 대한 1 2 . 
고순도화의 요구가 높아지는 중 세정액 자체가 보관되는 액체 제품에 대한 불순물이 될 수 , 
있지만 보관되는 전자 재료 제조용 약액에 포함되는 성분과 동일한 성분을 함유하는 세정액, 
을 사용함으로써 이와 같은 불순물의 발생을 억제하는 것이 가능해진다 본 발명의 일 형태, . 
에 있어서 본 발명의 전자 재료 제조용 약액 자체 또는 그 원료 단체 혹은 복수의 혼합 약, , 
- 18 -
액을 세정액으로서 이용하여 세정해도 된다 또한 본 명세서에 있어서 주성분이란 약액에 , . , , 
의도적으로 함유시키는 성분을 의미하며 의도하지 않은 불순물은 포함하지 않는 것을 의미, 
한다 주성분은 예를 들면 약액에 이용되는 유기 용제 및 수계 용제를 들 수 있다 식별번호 . , (
[0164]).
세정액의 구체예로서는 예를 들면 초순수 아이소프로필알코올 등을 들 수 있다 식별번 , , (
호 [0165]).
전자 재료 제조용 약액으로서는 용제를 함유하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 , 
조성물 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물용 용제 현상액 린스액 프리웨트액 기판, , , , (
에 레지스트층 등의 기능층을 형성하기 전에 기판에 도포하는 액 세정액 에칭액 박리액, ), , , , 
톱 코트 용제 기능층 위의 보호층을 형성하는 경우에 있어서의 보호층 형성용 도포액에 함유(
되는 용제 및 상기한 품질 검사 방법에서 이용되는 검사액 등을 들 수 있다 식별번호 ), (
[0191]).
전자 재료 제조용 약액은 유기 용제를 주성분으로 하는 약액뿐만 아니라 수계 용제를 , , 
주성분으로 하는 약액 알칼리 현상액이나 과산화 수소수와 같은 이나 유기 용제와 수계 용제( )
의 혼합 용제를 주성분으로 하는 약액도 포함된다 식별번호 ( [0196]).
상기 전자 재료 제조용 약액은 반도체 제조용 이외의 다른 용도에서도 적합하게 이용할 , 
수 있고 폴리이미드 함유 레지스트 센서용 레지스트 렌즈용 레지스트 등의 현상액 및 린스, , , , 
액 등으로서도 사용할 수 있다 식별번호 ( [0197]).
또 상기 전자 재료 제조용 약액은 전자 재료 제조용뿐만 아니라 의료 용도 또는 세정 , , , 
용도의 용제로서도 이용할 수 있다 특히 용기 배관 및 기판 예를 들면 웨이퍼 및 유리 등. , , , ( , , ) 
등의 세정에 적합하게 이용할 수 있다 식별번호 ( [0198]).
레지스트 조성물의 조제 방법은 특별히 제한되지 않지만 상술한 각 성분을 소정의 유기 , 
용제 바람직하게는 상기 혼합 용제에 용해시켜 필터 여과하는 것이 바람직하다 필터 여과, , . 
에 이용하는 필터의 포어 사이즈는 이하 보다 바람직하게는 이하 더 바람직0.1 m , 0.05 m , μ μ
하게는 이하의 폴리테트라플루오로에틸렌제 폴리에틸렌제 나일론제인 것이 바람직0.03 m , , μ
하다 필터 여과에 있어서는 예를 들면 일본 공개특허공보 호와 같이 순환적인 . , 2002-62667 , 
여과를 행하거나 복수 종류의 필터를 직렬 또는 병렬로 접속하여 여과를 행해도 된다 또, . , 
조성물을 복수 회 여과해도 된다 또한 필터 여과의 전후로 조성물에 대하여 탈기 처리 등. , , 
- 19 -
을 행해도 된다 식별번호 ( [0632]).
레지스트 조성물은 활성광선 또는 방사선의 조사에 의하여 반응하여 성질이 변화하는 , 
감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물에 관한 것이다 더 자세하게는 본 발명은 등. , , IC 
의 반도체 제조 공정 액정 서멀 헤드 등의 회로 기판의 제조 임프린트용 몰드 구조체의 제, , , 
작 또한 그 외의 포토패브리케이션 공정 평판 인쇄판 산 경화성 조성물에 사용되는 감활성, , , 
광선성 또는 감방사선성 수지 조성물에 관한 것이다 식별번호 ( [0633]).
유기계 현상액의 증기압은 에 있어서 이하가 바람직하고 이하가 보다 , 20 , 5kPa , 3kPa ℃
바람직하며 이하가 더 바람직하다 유기계 현상액의 증기압을 이하로 함으로써, 2kPa . 5kPa , 
현상액의 기판 상 혹은 현상 컵 내에서의 증발이 억제되어 웨이퍼 면내의 온도 균일성이 향, 
상되고 결과적으로 웨이퍼 면내의 치수 균일성이 양호해진다 식별번호 , ( [0671]).
실시예 식별번호 ( [0704])
실시예 1~5〔 6) 및 비교예 아세트산 뷰틸을 약액으로 하는 예 식별번호 1~3( ) ( [0706])〕
분석 식별번호 ( )( [0707])
분석 장치 식별번호 (1) SP ICP-MS ( [0708])
분석 장치로서는 사제의 를 사용했다 분 SP ICP-MS , Perkin Elmer NexION350S (SP ICP-MS 
석 장치로서의 분석 소프트웨어로서는 나노 입자 분석 전용 나노 애, "SP-ICP-MS" Syngistix 
플리케이션 모듈을 사용하고 분석 장치로서의 분석 소프트웨어로서는, ICP-MS , Syngistix for 
소프트웨어를 사용했다 식별번호 ICP-MS )( [0709]).
표준 물질액의 준비 식별번호 (2) ( [0710])
청정한 유리 용기 내에 초순수를 계량 투입하고 메디안 지름 의 금 입자를 , 50nm 10,000
개 의 농도가 되도록 첨가한 후 초음파 세척기로 분간 처리한 분산액을 조제하여 수송 /ml , 30 , 
효율 측정용 표준 물질액으로서 이용했다 각 금속 원자에 있어서의 검량선 작성에는 코노스. 
탄사 오일 혼합 표준액을 이용했다 식별번호 S-21 ( [0711]).
분석 기준액의 준비 식별번호 (3) ( [0712])
시판 약액으로서 와코 준야쿠 고교 주 제의 아세트산 뷰틸 시약 특급 을 이용했다 또 메 , ( ) ( ) . , 
탈 불순물의 양을 조정하기 위하여 이 시판 약액에 와코 준야쿠 고교 주 제의 산화철 시약 , , ( ) (
특급 와코 준야쿠 고교 주 제의 산화구리 시약 특급 및 와코 준야쿠 고교 주 제의 산화아연), ( ) ( ), ( )
시약 특급 을 각각 미량 첨가하고 그 후 필터에 의한 여과 및 증류 중 적어도 한쪽을 반복( ) , , , 
- 20 -
하여 철 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도 구리 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도, , , 
및 아연 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도가 각각 가 된 분석 기준액을 조제했다, 10ppb
식별번호 ( [0713]).
금속 원자를 포함하는 입자성 메탈의 저감화 처리 식별번호 (4) ( [0714])
분석 기준액에 대하여 금속 원자를 포함하는 입자성 메탈의 저감화 처리를 하기 표 에 , , 1
기재된 방법에 근거하여 실시하고 측정 대상액으로 했다 식별번호 , ( [0715]).
입자성 메탈의 저감화 처리에 있어서 증류는 클래스 의 실험실 내에서 에바포레이 , , 1,000
터에 의하여 실시했다 식별번호 ( [0716]).
또 증류를 복수 회 실시하는 경우에는 증류 정제 후의 약액을 회수하여 회수제의 약액 , , , 
에 대하여 증류를 추가로 실시함으로써 행했다 식별번호 , ( [0717]).
측정 식별번호 (5) ( [0718])
분석에 있어서는 테트라플루오로에틸렌 퍼플루오로알킬바이닐에터 공중합체 SP ICP-MS , ·
제 동축형 네뷸라이저 석 제 사이클론형 스프레이 챔버 및 석 제 내경 토치 (PFA) , , 1mm 
인젝터를 이용하여 측정 대상액을 약 으로 흡인했다 산소 첨가량을 플0.2mL/min . 0.1L/min, 
라즈마 출력을 로 하고 암모니아 가스에 의하여 분석 셀의 퍼지를 행한 후 시판 약1,600W , , 
액 및 측정 대상액의 측정을 행했다 시간 분해능은 에서 해석을 행했다 상기한 수송 효. 50 s . μ
율 측정용 표준 물질액의 측정 결과 및 그 해석에 의하여 정해진 수송 효율 및 상기 표, ICP 
준액의 측정 결과 및 그 해석에 의하여 정해진 각 금속 원자에 있어서의 검량선에 근거하여, 
측정 대상액의 철 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도, (MpFe 구리 원자를 포함하는 입자성 ), 
메탈의 농도(MpCu 및 아연 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도), (MpZn 를 상기 분석 소프트)
웨어를 이용하여 측정했다 식별번호 ( [0719]).
분석 분석이 아닌 통상의 분석을 의미함 에 있어서는 분석 ICP-MS (SP ICP-MS , ICP-MS ) , 
소프트웨어를 상기 분석 장치로서의 분석 소프트웨어 대신한 것 이외에는ICP-MS , SP 
분석과 동일한 수법에 의하여 측정 대상액의 철 원자를 포함하는 성분의 농도ICP-MS , , (MtFe), 
구리 원자를 포함하는 성분의 농도(MtCu 및 아연 원자를 포함하는 성분의 농도), (MtZn 를 측정)
했다 식별번호 ( [0720]).
측정 결과를 표 에 나타낸다 식별번호 1 ( [0721]).
평가 식별번호 (6) ( [0722])
- 21 -
사제 웨이퍼 상 표면 검사 장치 에 의하여 미리 직경 의 실리콘 KLA-Tencor SP-5 , 300mm
기판 표면에 존재하는 직경 이상의 이물수 어드레스를 계측하고 그 후 테크놀로32nm , , , EKC 
지즈제 스핀 회전 웨이퍼 처리 장치에 웨이퍼를 세팅했다 웨이퍼 표면 상에 측정 대상액을 . 
의 유량으로 분간 토출시킨 후 초순수를 의 유량으로 초간 토출시켜 린1.5L/min 1 , 1.5L/min 30
스를 행했다 그 후 스핀 건조를 행하고 다시 상기 검사 장치 로 이물수 어드레스를 . , , , SP-5 , 
계측하며 새롭게 증가된 이물에 대하여 사제 결함 해석 장치 , APPLIED MATERIALS SEM 
으로 원소 해석을 행하여 대상 금속 원소를 포함하는 이물을 결함으로 하여 VISION G6 EDX , 
카운트했다 식별번호 ( [0723]).
측정 결과를 표 에 나타낸다 식별번호 1 ( [0724]).
표 식별번호 [ 1]( [0725]-[0726])

표 로부터 실시예에 있어서는 철 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도 구리 원자를 1 , , , 
포함하는 입자성 메탈의 농도 및 아연 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도의 합이 낮아 구, (
체적으로는 이하이며 비교예와 비교하여 결함수 평가에 관하여 우수한 결과가 얻, 100ppt ), , , 
어졌다 식별번호 ( [0727]).
실시예 및 비교예 알칼리 현상액을 약액으로 하는 예 식별번호 7~14 4~5( ) ( [0728])〔 〕
분석 장치 및 표준 물질액의 준비를 실시예 의 수법으로 실시했다 (1) SP ICP-MS , (2) 1
식별번호 ( [0729]).
분석 기준액의 준비 및 메탈 불순물의 양의 조정 식별번호 (3) ( [0730])
- 22 -
일렉트로닉스 머티리얼즈사제의 수계 알칼리 현상액 를 분석 기준액으로서 이용 A FHD-5
했다 또 메탈 불순물의 양을 조정하는 예에 있어서는 이 분석 기준액에 간토 가가쿠 주 제. , , , ( )
의 금속류 표준 혼합액 를 미량 첨가했다 식별번호 V(Cd, Cr, Se, Pb, As, B, Zn, Al, Cu, Mn) (
[0731]).
금속 원자를 포함하는 입자성 메탈의 저감화 처리 식별번호 (4) ( [0732])
분석 기준액에 대하여 금속 원자를 포함하는 입자성 메탈의 저감화 처리를 표 에 기재 , , 2
된 필터에 의한 여과 방법에 근거하여 실시하여 측정 대상액으로 했다 식별번호 , ( [0733]).
측정 식별번호 (5) ( [0734])
실시예 과 동일한 수법에 의하여 분석 기준액 및 측정 대상액의 측정을 행했다 식별번 1 , (
호 [0735]).
평가 식별번호 (6) ( [0736])
실시예 과 동일한 수법에 의하여 평가를 행했다 식별번호 1 , ( [0737]).
표 식별번호 [ 2]( [0738]-[0739])

실시예 및 비교예 사이클로헥산온 뷰티로락톤을 약액으로 하는 15~17 6~8(PGMEA, , -〔 γ
예 식별번호 ) ( [0740])〕
분석 장치 및 상기 표준 물질액의 준비를 실시예 의 수법으로 실시 (1) SP ICP-MS , (2) 1
했다 식별번호 ( [0741]).
분석 기준액의 준비 및 메탈 불순물의 양의 조정 식별번호 (3) ( [0742])
- 23 -
와코 준야쿠 고교 주 제의 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트 시약 특급 ( ) (PGMEA)( ), 
와코 준야쿠 고교 주 제의 사이클로헥산온 시약 특급 와코 준야쿠 고교 주 제의 뷰티로락톤( ) ( ), ( ) -γ
시약 특급 을 분석 기준액으로 하고 이 분석 기준액을 증류 후 간토 가가쿠 주 제의 금속류 ( ) , , ( )
표준 혼합액 를 미량 첨가하여 메탈 불순물의 양을 V(Cd, Cr, Se, Pb, As, B, Zn, Al, Cu, Mn) , 
조정했다 식별번호 ( [0743]).
금속 원자를 포함하는 입자성 메탈의 저감화 처리 식별번호 (4) ( [0744])
분석 기준액에 대하여 금속 원자를 포함하는 입자성 메탈의 저감화 처리를 표 에 기재 , , 3
된 필터에 의한 여과 방법에 근거하여 실시하여 측정 대상액으로 했다 식별번호 , ( [0745]).
측정 식별번호 (5) ( [0746])
실시예 과 동일한 수법에 의하여 측정 대상액의 측정을 행했다 식별번호 1 , ( [0747]).
평가 식별번호 (6) ( [0748])
실시예 과 동일한 수법에 의하여 평가를 행했다 식별번호 1 , ( [0749]).
표 식별번호 [ 3]( [0750]-[0751])

표 및 으로부터 실시예에 있어서는 철 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도 구리 2 3 , , , 
원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도 및 아연 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도의 합이 , 
낮아 구체적으로는 이하이며 비교예와 비교하여 결함수 평가에 관하여 우수한 결( , 100ppt ), , , 
과가 얻어졌다 또 실시예에 있어서는 필터의 재질이나 포어 사이즈 및 필터의 다단에서의 . , , , 
조합에 의하여 입자성 메탈의 저감 효과가 달랐다 식별번호 ( [0752]).
평가 식별번호 ( [0772])〔 〕
- 24 -
6) 이 사건 특허 명 명 에는 실시 재 어 있 나 부 실시 임이 명 므 이를 ‘ 1~5’ , [ 1] ‘ 1~6’ , 
다.
레지스트 패턴 라인 앤드 스페이스 패턴 의 형성 노광 용제 현상 식별번호 ( ) /EUV ( ) ( [0773])〔 〕
실리콘 웨이퍼 상에 유기 반사 방지막 형성용 조성물 사제 을 도포하고 ARC29SR(Brewer ) , 
에서 초간 베이크하여 두께 의 반사 방지막을 실리콘 웨이퍼 상에 형성하고205 60 , 86nm , ℃
하기 표 에 기재된 프리웨트액을 도포 후 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물 을 4 , 1
도포하며 에서 초간에 걸쳐 베이크하여 실리콘 웨이퍼 상에 두께 의 레지스트, 120 60 , , 40nm℃
막을 형성했다 식별번호 ( [0774]).
노광 장치 사제 아우터 시그마 EUV (Exitech Micro Exposure Tool, NA 0.3, Quadrupole, 
이너 시그마 를 이용하여 노광 마스크 라인 스페이스 을 갖는 스페이스폭 광투0.68, 0.36) , ( / =1/1 (
과부의 폭 의 마스크 를 사용하여 레지스트막을 구비하는 실리콘 웨이퍼를 패턴 노광) 10nm ) , 
했다 패턴 노광 후 가열한 핫플레이트 상에 노광 후의 레지스트막을 구비하는 실리콘 웨이. , , 
퍼를 실리콘 웨이퍼면을 아래로 하여 재치하여 도의 온도에서 초간 베이크했다 베이크 , , 90 60 . 
후의 레지스트막을 하기 표 에 기재된 현상액으로 초간 퍼들 현상하고 그 후 하기 표 , 4 30 , , 4
의 린스액 의 란에 린스액의 내용이 기재되어 있는 예에 대해서는 그 린스액으로 린스했다, . 〔 〕
이어서 의 회전수로 초간 웨이퍼를 회전시킨 후 라인 앤드 스페이스 패턴을 , 2,000rpm 30 , 1:1 
얻었다 식별번호 ( [0775]).
상기에서 얻어진 각 패턴에 대하여 평가를 실시했다 평가 방법은 하기와 같다 식별번호 , . (
[0776]).
평가 식별번호 ( [0777])≪ ≫
패턴 형성 후 라인 패턴 상면 및 스페이스 부분을 측장 주사형 전자 현미경 히타치사제 , (
을 사용하여 관찰하여 의 라인폭을 갖는 패턴이 형성되어 있는지 여부에 대하S9380II) , 10nm
여 확인했다 식별번호 ( [0778]).
표 식별번호 [ 4]( [0779]-[0780])
- 25 -
다 행 명들 . 
행 명 갑 증 1) 1( 5 )
공개2012. 3. 29. 일본 공개특허공보 특개 고 도 자 2012-62300 , ‘
시약 생산 법이라는 명칭 명에 것이다 주요 내용 다 과 같다’ . . 

상기 표 에 있어서 미정제의 사이클로헥세인 및 미정제의 는 각각 와코 준야 4 , , PGMEA , 
쿠 고교 주 제의 사이클로헥산온 시약 특급 및 와코 준야쿠 고교 주 제의 시약 특급( ) ( ), ( ) PGMEA( )
이다 식별번호 ( [0781]).
표 의 결과 프리웨트액 현상액 및 린스액 으로서 실시예의 약액을 사용한 실시예 4 , " ", " " " " , 
는 결함 등이 적어지고 그 결과 선폭 의 패턴을 형성할 수 있는 경향을 나타냈다 한, , , 10nm . 
편 실시예의 약액을 사용하지 않았던 비교예는 선폭 의 패턴을 형성할 수 없었다 식별, , 10nm (
번호 [0782]).
다 주요 도면) 
도 [ 1]
기술분야 및 배경기술 
- 26 -
본 발명은 초고순도 전자급 화학 시약 생산 방법에 관한 것으로 특히 초고순도 전자급 , , 
염산과 초고순도 전자급 이소프로판올의 생산 방법에 관한 것이다 식별번호 ( [0001]).
초고순도 전자급 화학 시약 은 프로세스 화학품(Ultra-clean and High-purity Reagents) (Process 
또는 습식 화학품 이라고도 칭해지고 초대형 집적 회로 제조 프로Chemicals), (Wet Chemicals) , 
세스에서의 중요한 기초화학 재료 중 하나이다 초고순도 전자급 염산과 이소프로판올은 모. 
두 마이크로일렉트로닉스 화학 시약에서의 중요한 품종이며 반도체 부품의 생산 초대형 집, 
적 회로 조립 및 가공 프로세스에서의 세척과 부식에 널리 응용되고 있다 식별번호 ( [0002]).
지난 몇 년 동안 산업의 급속한 발전으로 인해 사용하는 화학 시약 순도에 대한 요구 , IT , 
가 나날이 높아진다 특히 집적 회로의 치수가 작아지고 처리가 빠르게 발전함에 따라 전자. , , 
급 화학품의 순도에 대한 보다 엄격한 요구가 제출되고 있다 전자급 염산 이소프로판올의 . , 
순도는 단일 양이온 함유량의 급에서 현재의 급으로 발전했다 이와 상응하여 전자ppm ppb . 
급 염산 이소프로판올에 대한 요구도 과 표준에서 과 , SEMI-C1 SEMI-C7 SEMI-C8 SEMI-C12 
표준으로 향상되었다 식별번호 ( [0003]).
이소프로판올과 염산 등의 액체 화학 시약에 있어서 현재 주로 아비점 증류 또는 정류 , 
방법으로 생산되고 있다 아비점 증류는 열복사의 원리를 이용하여 액상 온도가 비점 온도. , 
보다 낮게 유지하고 증발 응축을 통해 고순도 시약을 제조하는 방법이다 다만 현재까지 , , . , 
아비점 증류를 위한 성숙한 규모화 생산 방법이 없다 게다가 근비점 증류 또는 정류 방법으. 
로 제조된 이소프로판올과 염산에 불순물의 함유량이 너무 많았다 식별번호 ( [0004]).
과제를 해결하기 위한 수단 
본 발명은 초고순도 전자급 화학 시약 생산 프로세스와 방법을 제공하여 공업급 
이소프로판올과 염산을 원료로서 정류와 가열 증기 미세공막 여과를 결합(industrial grade) 
함으로써 또는 표준에 맞는 이소프로판올과 염산을 제조할 수 있다 또SEMI-C8 SEMI-C12 . 
한 생산고가 높고 제품의 품질이 안정적이며 전통적인 제조 방법에서의 불순물 함유량 과다
의 단점을 극복했다 식별번호 ( [0011]).
본 발명은 초고순도 전자급 화학 시약적 생산 방법으로 순서는 다음과 같다 , , .
실온 하에서 공업급 염산 또는 이소프로판올에 화학 전처리를 실시함으로써 순도를 향상(1) 
시킨다 여과를 실시하여 여과액을 수집한다. . 
여과액을 정류한다 정류 프로세스에서 증기를 더욱 가열함으로써 가열 증기를 형성하고(2) . , 
- 27 -
이것으로부터 미세공막을 통해 과열 증기를 여과한다. 
막 여과 후의 과열 증기를 냉각하고 프랙션을 수집하고 프랙션을 미세공막을 통해 여과(3) , 
하여 여과액 속의 과립수를 컨트롤하여 초고순도 전자급 염산 또는 이소프로판올을 얻는다, . 
이것으로부터 액체 탱크에 저장한다 식별번호 ( [0012]).
상기 생산 방법에 기초한 최적화된 실시 방식으로 순서는 다음과 같다 , .
공업급 이소프로판올에 탈수제를 첨가하여 탈수 전처리를 시간 실시하여 여과해(1) 0.5~1.5
서 여과액을 수집한다.
정류탑 정상부 온도가 조건 하에서 여과액을 상압 정류를 행하고 타워 내의 기(2) 82~83 , ℃ 
류 속도를 로 컨트롤한다 정류 프로세스에서 증기를 가열해 의 과열 증0.5~1.5m/s . 84~86℃
기를 형성하고 상기 과열 증기를 의 미세공막을 통과하여 막 여과를 한다, 0.1 m .μ
막 여과 후의 과열 증기를 냉각하고 프랙션을 수집하고 프랙션을 미세공막을 통해 여과(3) , 
하여 여과액 중간 입경이 보다 큰 과립수를 개 이하로 컨트롤하여 초고순도 전자, 0.2 m 5 /ml μ
급 이소프로판올을 얻는다 식별번호 ( [0016]).
상기 생산 방법에 기초한 다른 최적화된 실시 방식으로 순서는 다음과 같다 , .
공업급 염산에 탈비소제를 넣고 탈비소 전처리를 시간 행하고 여과해서 여과액(1) , 0.5~1.5 , 
을 수집한다.
정류탑 정상부 온도가 조건 하에서 여과액을 상압 정류를 행하고 타워 내의 (2) 115~116 , ℃ 
기류 속도를 로 컨트롤한다 정류 프로세스에서 증기를 가열해 의 과열 0.5~1.5m/s . 118~120℃
증기를 형성하고 상기 과열 증기를 의 미세공막을 통과하여 막 여과를 행한다, 0.1 m .μ
막 여과 후의 과열 증기를 냉각하고 프랙션을 수집하고 급 미세공막 여과를 행한다 여(3) 2 . 
과액에서의 입경이 보다 큰 과립 수를 개 이하로 제어하여 초고순도 전자급 염산0.5 m 5 /ml μ
을 얻는다 식별번호 ( [0018]).
상기 생산 방법의 프로세스에서 상기 이소프로판올 또는 염산과 접촉하는 용기 또는 관 , 
벽은 최적으로 고순도 석 또는 고순도 퍼플루오로 고분자 재료로 제조된다 상기 액체 탱. 
크는 최적으로 고순도 퍼플루오로 고분자 재료로 제조된다 식별번호 ( [0020]).
본 발명의 방법으로 생산된 초고순도 이소프로판올 중 주 함유량이 이상이고 단 , 99.80% , 
일 금속 이온 불순물의 함유량이 보다 낮고 보다 큰 먼지 과립이 개 보다 0.1ppb 0.2 m 5 /mlμ
낮기 때문에 표준에 맞는다 식별번호 SEMI-C12 ( [0021]).
- 28 -
본 발명 방법으로 생산된 초고순도 염산 중에 주 함유량이 허용 가능하며 단일 금속 이 , , 
온 불순물의 함유량이 보다 낮고 보다 큰 먼지 과립이 개 보다 낮기 때문에 1ppb 0.5 m 10 /mlμ
표준에 맞는다 식별번호 SEMI-C8 ( [0022]).
발명의 효과 
본 발명에서 증기 가열 방법을 채용하여 탑 상부의 증기와 비말을 원료액 비점 이상으로 
가열함으로써 비말을 제거하고 가스와 미세 불순물 이온이 남아있는 고체 불순물 과립만 , , 
남게 되고 회의 여과막을 통해서 불순물 이온과 먼지 과립을 여과 제거할 수 있고 전통적, 2 , , ・ 방법 에 
따른 고불순물 함유 결점을 없앨 수 있다 본 발명의 생산 방법을 채용함으로써 생산량을 배. 0.5~1 
향상시키고 증기를 반 이상 절약할 수 있고 대규모 연속 생산에 적합하다 식별번호 , , ( [0023]).
발명을 실시하기 위한 형태 
절차 ( 1) 상온 하에서 공업급 염산 또는 공업급 이소프로판올(industrial hydrochloric acid) 
을 공업급 원료 탱크를 통해 전처리기 속에 넣은 후 탈수제 탈비소(industrial isopropanol) , , 
제 산화제 환원제 등을 포함한 전처리용 시약을 전처리 시약조를 통해 전처리기 속에 넣고, , , 
공업급 원료에 대해서 화학 전처리를 행하고 주된 불순물을 제거함으로써 순도를 향상시킨, 
다 여과를 행하고 여과액을 수집한다 식별번호 . , ( [0026]). 
절차 여과액을 정류탑에 이송하여 정류를 실시한다 정류 시에 탑 내 기체 흐름을 ( 2) . 
로 컨트롤한다 정류탑 내에 가열기가 설치되고 정류 프로세스에서 증기를 더욱 0.5~1.5m/s . , 
가열하여 가열 증기를 발생시키고 정류탑 상부에 미세공막 여과기가 설치되어 가열 증기에 대해 
미세공막 여과를 행한다 상기 미세공막 여과기의 주요 구조는 미세공막이며 미세공막은 테프론. , 
등록상표 테트라플루오로에틸렌 헥사플루오로프로필렌 공중합체 등의 퍼플루오로 고분자 ( ), -
재료 즉 탄소 원자와 연결된 수소 원자가 모두 불소 원자로 치환된 고분자 로 제조된 막과 ( )
프레임으로 구성된다 퍼플루오로 고분자 재료는 초자연적인 화학 안정성과 넓은 사용 온도를. , 
가지고 있고 거의 모든 화학 시약에 응용될 수 있다 미세공막의 구멍 직경을 불순물 함유량에, . 
의해 선택할 수 있지만 일반적으로 를 채용해도 좋다 통상의 정류 프로세스에서 , 0.1~0.5 m . μ
비말이 있고 비말 내에 일부 불순물이 혼입되고 프랙션 수집 시에 이들 불순물이 프랙션에 , , 
들어갈 가능성이 있다 이것으로 제품의 순도가 요구를 만족하지 않게 된다 단 증기를 가열함. . , 
으로써 비말을 기화할 수 있으므로 증기에서의 비말을 제거할 수 있다 그러나 증기 가열 온도, . 
가 과하지 않아도 좋고 증기 온도보다 높아도 좋다 온도가 너무 높으면 열에너지 , 2~10 . , ℃ 
- 29 -
가 낭비되는 시에 여과막을 파괴하거나 미세공막의 사용 수명을 단축한다 식별번호 ( [0027]). 
절차 미세공막 여과기의 가열 증기를 냉각탑을 통해 냉각하여 프랙션을 수집한다 이 ( 3) . 
송 펌프를 사용해 프랙션을 급 막여과기에 넣고 급 미세공막 여과를 실시하여 먼지 과립2 2
을 제거한다 이것으로 완성품을 얻고 액체 탱크에 저장한다 정류 프로세스에서 남은 부제. , . 
품을 부제품 탱크에 수집한다 식별번호 ( [0028]).
상기 생산 프로세스에서 이소프로판올 또는 염산과 접촉하는 용기 또는 관벽은 전부 고 , 
순도 석 또는 고순도 퍼플루오로 고분자 재료로 제조되었다 상기 액체 탱크는 고순도 퍼. 
플루오로 고분자 재료로 제조되었다 식별번호 ( [0029]).
생산된 초고순도 전자급 이소프로판올과 염산에 대해서 순도 검사 분석을 행한다 분석 . 
방법은 다음과 같다 색상도는 백금 코발트 표준용액을 표준색상으로 하고 시각비색법으로 . - , 
분석한다 이소프로판올 또는 염화수소 함유량에 대해서 가스 크로마토그래피 분석을 채용하. 
고 물 함유량에 대해서 칼 피셔법으로 분석하고 증발 잔류물에 대해서 중량법으로 분석하, , 
고 양이온에 대해서 플라즈마 질량스펙트럼 분석을 행하고 음이온에 대해서 이온 , (ICP-MS) , 
교환 크로마토그램 분석을 실시한다 식별번호 ( [0030]).
실시 방법 ( 1)
공업급 이소프로판올을 염화칼슘에 첨가해 시간 탈수한 후 여과함으로써 여99.0wt% 0.5~1
과액을 얻는다 이 중 염화칼슘 용량이 중량부 공업 이소프로판올마다 중량부의 염화. 100 3~5
칼슘을 사용하는 것이다.
여과액을 정류한다 정류탑 정상부 온도를 로 유지하고 급 상압 정류를 행하고 정: 82~83 , 1 , ℃
류탑 탑내 기체 유속이 로 정류탑 상부에 하나의 가열 증기막 여과기가 설치되어 있0.5m/s
고 증기를 온도 의 가열 증기로 가열하고 가열 증기에 대해서 막 여과기로 , 84~86 , 0.1 m ℃ μ
불순물 고체 과립을 여과한 후 이것을 냉각해서 액체가 된다, .
여과를 행하고 수집한 프랙션에 대해서 급 막여과 먼지 과립 여과 를 행하고 입경 , 2 ( ) , 0.2 mμ
로 컨트롤함으로써 초고순도 이소프로판올을 얻는다 주 함유량이 이고 금속 이온 불. 99.85% , 
순물의 함유량이 모두 보다 낮고 보다 큰 먼지 과립이 개 보다 낮기 때문에 0.1ppb , 0.2 m 5 /mlμ
표준에 맞는다 식별번호 SEMI-C12 ( [0032]).
실시 방법 ( 2)
공업급 이소프로판올에 염화칼슘을 첨가해 탈수를 하고 여과한 후 여과액을 얻는다99.0wt% , .
- 30 -
여과액을 정류한다 정류탑 정상부 온도를 로 유지하고 급 상압 정류를 행하고 정: 82~83 , 1 , ℃
류탑 탑내 기체 유속이 로 함으로써 생산 속도를 빠르게 하고 생산 효율을 향상시킨1.0m/s , 
다 정류탑 상부에 하나의 가열 증기막 여과기가 설치되어 있어 증기를 온도 의 가. , 84~86℃
열 증기로 가열하고 가열 증기에 대해서 막 여과기로 불순물 고체 과립을 여과한 후, 0.1 m , μ
액체에 냉각한다.
여과를 행하고 수집한 프랙션에 대해서 급 막여과 먼지 과립 여과 를 하고 입경 로 , 2 ( ) , 0.2 mμ
컨트롤함으로써 초고순도 이소프로판올을 얻는다 주 함유량이 이고 금속 이온 불순. 99.89% , 
물의 함유량이 모두 보다 낮고 보다 큰 먼지 과립이 개 보다 낮기 때문에 0.1ppb , 0.2 m 5 /mlμ
표준에 맞는다 식별번호 SEMI-C12 ( [0033]).
실시 방법 과 에서 생산된 초고순도 전자급 이소프로판올의 순도 검정 결과는 아래 표 1 2
와 같다 식별번호 2 ( [0034]). 
표 표 초고순도 전자급 이소프로판올 표준과 순도 분석 결과 식별번호 2 2, ( [0035])【 】 

항목 단 표SEMI-C12 실시 1 실시 2
색상도 APHA 10 6 7
이소 로 올함유량 % 99.80＞ 99.85 99.89
물함유량 ppm 50＜ 39 43
증발잔류물 ppm 1.0＜ 0.6 0.7
염소이온 ppb 50＜ 검출되지 않음 검출되지 않음
질산이온 ppb 50＜ 35 35
인산이온 ppb 50＜ 30 35
황산이온 ppb 50＜ 35 28
알루미늄이온 ppb 0.1＜ 0.05 0.07
비소이온 ppb 0.1＜ 0.07 0.05
바륨이온 ppb 0.1＜ 0.09 0.08
붕소이온 ppb 0.1＜ 0.06 0.06
칼슘이온 ppb 0.1＜ 0.07 0.08
동이온 ppb 0.1＜ 0.07 0.06
철이온 ppb 0.1＜ 0.09 0.09
납이온 ppb 0.1＜ 0.05 0.06
마그네슘이온 ppb 0.1＜ 0.05 0.06
망간이온 ppb 0.1＜ 검출되지 않음 검출되지 않음
니 이온 ppb 0.1＜ 검출되지 않음 검출되지 않음
칼륨이온 ppb 0.1＜ 0.08 0.08
나트륨이온 ppb 0.1＜ 0.09 0.07
주석이온 ppb 0.1＜ 검출되지 않음 검출되지 않음
티탄이온 ppb 0.1＜ 검출되지 않음 검출되지 않음
아연이온 ppb 0.1＜ 0.05 0.06
먼지과립0.5 mμ≧ 개/ml 20≦ 4 3
- 31 -
실시 방법 ( 3) 
공업급 염산에 농도의 하이드라진 수화물을 첨가해 탈비소 처리를 시30.0wt% 40wt% 0.5~1
간 수행하고 그 중 하이드라진 수화물 용량이 중량부 공업급 염산마다 하이드라진 수화, 100
물 중량부를 사용한다 이것을 여과하여 여과액을 얻는다5~8 . .
여과액을 정류한다 정류탑 정상부 온도를 로 유지하고 급 상압 정류를 행하고: 115~116 , 1 , ℃
정류탑 탑내 기체 유속이 이고 정류탑 상부에 하나의 가열 증기막 여과기가 설치되0.5m/s , 
고 증기를 온도 의 가열 증기로 가열하고 가열 증기에 대해서 막 여과, 118 ~120 , 0.1 m ℃ ℃ μ
기로 불순물 고체 과립을 여과한 후 액체에 냉각한다, .
여과하여 수집한 프랙션에 급 막여과 먼지 과립 여과 를 행하고 입경을 이하로 컨트2 ( ) , 0.5 m μ
롤하여 초고순도의 염산을 얻는다 주 함유량이 이고 금속 이온의 불순물 함유량이 . 36.2% , 
이며 보다 큰 먼지 과립이 개 이므로 표준에 맞는다 식별번호 1.0ppb , 0.5 m 9 /ml SEMI-C8 (μ
[0036]).
실시 방법 으로 생산된 초고순도 전자급 염산 순도의 검정 결과가 아래 표 과 같다 식 3 3 (
별번호 [0037]).
표 표 초고순도 염산 표준과 분석 결과 식별번호 3 3 ( [0038])【 】 
불순물 U.M. 표SEMI-C8 실시 3
함유량 wt% 36.0 36.2
최 안색(APHA) APHA 10 6
최 유리염소(asCl2) 측정에 합격했다 측정에 합격했다 측정에 합격했다
최 추출가능한 
유기물
ppm 3 1
최 황산이온 ppm 0.2 0.13
최 인산이온 ppm 0.03 0.02
최 아황산이온 ppm 0.7 0.5
알루미늄이온 ppb 3 2
안티몬이온 ppb 1 0.7
비소이온 ppb 1 0.8
바륨이온 ppb 1 0.5
베릴륨이온 ppb 1 0.4
비스무트이온 ppb 1 0.3
붕소이온 ppb 3 1.0
카드뮴이온 ppb 1 0.6
칼슘이온 ppb 3 1.0
크롬이온 ppb 2 1.0
코발트이온 ppb 1 0.7
동이온 ppb 1 0.6
갈륨이온 ppb 1 0.5
- 32 -

주요 도면 
도 [ 1]
게르마늄이온 ppb 1 0.4
이온 ppb 1 0.3
철이온 ppb 3 0.8
납이온 ppb 1 0.7
리튬이온 ppb 1 0.5
마그네슘이온 ppb 1 0.6
망간이온 ppb 1 0.7
몰리 덴이온 ppb 1 0.5
니 이온 ppb 1 0.4
칼륨이온 ppb 2 0.9
실리콘이온 ppb - -
은이온 ppb 1 0.4
나트륨이온 ppb 3 0.1
스트론튬이온 ppb 1 0.8
탄탈럼이온 ppb 1 0.7
탈륨이온 ppb 1 0.4
주석이온 ppb 3 0.6
티탄이온 ppb 1 0.5
바나듐이온 ppb 1 0.7
아연이온 ppb 3 1.0
지르코늄이온 ppb 1 0.5
먼지과립0.5 mμ≧ 개/ml 15≦ 9
- 33 -
행 명 갑 증 2) 2( 6 )
공개 일본 2013. 2. 4. 공개특허공보 특개 2013-23441 , ‘
법 장 라는 명칭 명에 것이다 주요 내용 다 과 같다’ . . 
기술분야 및 배경기술 
본 발명은 알코올의 정제 방법 및 장치에 관한 것으로 특히 불순물로서 철 및 알루 , (Fe) 
미늄 중 적어도 하나의 원소를 포함하는 알코올을 정제하는 방법 및 장치에 관한 것이다(Al) 
식별번호 ( [0001]).
메틸 알코올 에틸 알코올 이소프로필 알코올 등의 알코올류는 화학공업용 세정제나 , , (IPA) 
용제 합성 원료로서 다량으로 사용되고 있다 특히 반도체 디바이스의 제조 공정에서는 세, . , 
정 및 건조 등의 용도로 다량의 가 사용되고 있다 예를 들면 반도체 디바이스에 대해서 IPA . , 
순수 세정을 한 후에 그 수분 제거를 하기 위한 증발 건조법은 수분 제거를 하는 공정IPA 
으로서 효과적이지만 그 반면 휘발성이 높고 고순도가 요구되는 를 사용하기 때문에 결IPA , 
과적으로 반도체 디바이스의 제조 원가가 높아진다는 문제점을 가진다 따라서 반도체 디바. , 
이스 제조 공정에서 사용한 폐 를 회수해 재사용하는 것이 경비 절감 및 환경 부하의 개IPA
선 면에서 요구되고 있다 반도체 디바이스 제조 공정으로 배출되는 중에는 제조 공정이. IPA 
나 재료 장치에서 유래하는 불순물이 포함되어 있고 를 회수해 재이용하기 위해서는 이, , IPA
들 불순물을 고도로 제거하고 반도체 디바이스 제조 공정용으로서 구입했을 때와 동일한 정
도까지 를 정제할 필요가 있다 불순물의 성분으로서는 주로 수분 이온성 불순물 금속IPA . , , , 
미립자를 들 수 있다 시판 에서는 그 용도 예를 들면 반도체 디바이스 제조 공정용 등. IPA ( ) 
에 따라 등급이 설정되어 있고 등급마다 각 불순물에 대한 규격값이 정해져 있다 식별번호 (
[0002]). 
를 반도체 디바이스 제조에 있어서의 예를 들면 세정 및 건조 공정에 사용할 경우 그 IPA , 
중의 수분 농도는 이하가 되어 또한 금속 성분의 농도는 이하 바람직하게IPA 0.1% , 0.1ppb , 
는 이하가 된다 또한 미립자에 관해서는 예를 들면 직경이 이상인 것의 수0.01ppb . , 0.2 m μ
에 대해 기준이 마련되어 있다 반도체 디바이스 제조 분야의 장래 기술 예측에 대해 기재하. 
고 있는 국제 반도체 기술 로드맵ITRS( ; International Technology Roadmap for 
에서도 장래적으로는 직경 이상의 미립자를 반도체 디바이스의 제조 Semiconductors) 65nm 
- 34 -
공정에서 제거해야 할 것으로 진술하고 있다 식별번호 ( [0003]).
오염되어 불순물을 포함하게 된 알코올의 정제 방법으로서는 증류법이 알려져 있다 그러 . 
나 증류법만을 사용하여 알코올을 소정의 순도까지 정제하고자 할 경우 대규모의 증류 설비, 
가 필요해 설비비나 설치 면적이 커져 막대한 에너지도 필요로 한다는 점에서 에너지 비용, 
도 상승하고 경제면에서 바람직하지 않다 식별번호 ( [0004]).
알코올에 포함될 가능성이 있는 불순물마다 이하에 나타낸 바와 같이 알코올에서 이들 , 
불순물을 제거하는 방법이 제안되어 있다 식별번호 ( [0005]).
발명이 해결하고자 하는 과제 및 과제를 해결하기 위한 수단 
이온 교환 수지나 이온 흡착막을 사용하는 방법은 이온성 불순물을 제거하는 우수한 방 
법이다 그러나 본 발명자들의 검토에 의하면 알코올 중의 수분 농도가 예를 들면 . , 1000ppm 
이하일 경우에 불순물로서 존재하는 철이나 알루미늄은 이온 교환 수지나 이온 흡착막만으
로는 극미량까지 제거하는 것이 어렵다 식별번호 ( [0011]). 
본 발명의 목적은 이소프로필 알코올 등의 알코올을 정제하는 방법 및 장치로서 알코올 , 
중에서의 함유 수분 농도가 낮은 경우에도 철이나 알루미늄을 극미량까지 감소시킬 수 있는 
방법 및 장치를 제공하는 것에 있다 식별번호 ( [0012]).
알코올 중의 수분 농도가 예를 들면 이하와 저농도이면 철이나 알루미늄 등의 1000ppm 
금속 성분의 일부는 이온화하지 않고 콜로이드 등의 입자로서 알코올 중에 존재한다고 생각
된다 이 때문에 이온 교환 작용에 의해 알코올에서 이온성 불순물을 제거하는 이온 교환 수. 
지 혹은 이온 흡착막으로는 이들의 금속 성분을 제거할 수 없게 된다 본 발명자들은 이온 . 
교환 수지 혹은 이온 흡착막 후단에 구멍 지름이 이하이거나 또는 그에 상당한 분획 20nm 
분자량을 갖는 필터를 설치함으로써 이온화되지 않은 금속을 제거할 수 있는 것을 새로이 , 
발견하여 본 발명을 완성시켰다 식별번호 ( [0013]).
즉 본 발명의 알코올 정제 방법은 함유 수분 농도가 이하로서 철 및 알루미늄 , 1000ppm , 
중 적어도 하나의 원소를 불순물로서 포함하는 알코올을 정제하는 알코올 정제 방법으로서, 
알코올에 대해서 이온 교환 처리를 하는 공정과 구멍 지름이 이하인 필터에 의해 이20nm 
온 교환 처리된 알코올을 여과 처리하는 공정을 가진다 식별번호 ( [0014]). 
본 발명의 알코올 정제 장치는 함유 수분 농도가 이하로서 철 및 알루미늄 중 1000ppm , 
적어도 하나의 원소를 불순물로서 포함하는 알코올을 정제하는 알코올 정제 장치로서 알코, 
- 35 -
올에 대해서 이온 교환 처리를 하는 이온 교환 수단과 이온 교환 처리된 알코올을 여과하는 
구멍 지름이 이하인 필터를 가진다 식별번호 20nm ( [0015]).
알코올의 정제 시 이온 교환 수지 후단에 필터를 배치하는 것은 지금까지도 행해지고 있 
지만 이들 필터는 반도체 디바이스 제조용 에 있어서 현재 직경이 이상인 미립자, IPA , 0.2 m μ
수가 관리되고 있는 것에 따른 것이며 직경이 이상인 미립자를 제거하기 위해 마련되0.2 m μ
어 있다 예를 들면 특허문헌 에서는 실례로서 정격 여과 정밀도를 로 한 것이 나타. 2 0.1 mμ
나 있고 특허문헌 에서는 구멍 지름이 인 필터를 사용한 예가 나타나 있다 또한 , 4 0.09 m . μ
에 있어서 장래적으로는 직경 이상의 미립자를 반도체 디바이스의 제조 공정에서 ITRS 65nm 
제거해야 할 것을 진술하고 있지만 이 경우에도 사용하는 필터의 구멍 지름은 로 충, 0.05 mμ
분하다 식별번호 ( [0016]).
이들에 대해 함유 수분 농도가 낮은 알코올 중에서 철이나 알루미늄 등의 불순물이 콜로 , 
이드 등의 입자를 형성한 경우 그 입자의 직경은 후술한 실시예의 결과에서도 알 수 있듯, 
이 현재 관리의 대상인 미립자의 직경보다 훨씬 작다 따라서 종래의 미립자 제거 목적의 , . , 
필터를 본 발명의 필터로서 사용하지 못하고 본 발명에서는 구멍 지름이 이하이거나 , 20nm 
혹은 이하의 구멍 지름에 상당한 분획 분자량을 갖는 필터를 사용할 필요가 있다 본 20nm . 
명세서에 있어서 구멍 지름에 의해 필터를 지정했을 때는 그 구멍 지름에 대응하는 분획 분
자량에 의해 지정되는 필터도 포함되는 것으로 한다 식별번호 ( [0017]).
발명의 효과 
본 발명에 의하면 수분 농도가 이하인 알코올에서 불순물인 철 및 알루미늄이 1000ppm 
극미량까지 감소된 정제 알코올을 얻을 수 있다 식별번호 ( [0018]).
발명을 실시하기 위한 형태 
도 에 나타낸 본 발명의 실시의 일 형태인 알코올 정제 장치는 이온 교환 수단 과 이 1 (11)
온 교환 수단 후단에 마련된 필터 를 구비하고 있다 그리고 함유 수분 농도가 (11) (12) . 
이하이며 철 및 알루미늄 중 적어도 하나의 원소를 불순물로서 포함하는 1000ppm (Fe) (Al) 
불순물 함유 알코올이 이온 교환 수단 에 공급되고 이온 교환 수단 에서 필터 로 송(11) (11) (12)
액된다 그 결과 불순물 함유 알코올이 정제되고 필터 의 출구로부터 정제 알코올을 얻을 . , (12)
수 있다 불순물 함유 알코올은 예를 들면 반도체 디바이스 제조 공정 등의 임의의 공정에서 . 
회수되고 수분 농도가 이하가 되도록 함유 수분 농도가 조정된 수분 농도가 , 1000ppm (
- 36 -
을 초과할 경우에는 탈수막에 의해 탈수 처리가 이루어진 이소프로필 알코올1000ppm ) (IPA)
이다 특히 알코올 중의 및 농도가 이상일 경우 이온화하지 않고 콜로이드 등의 . Fe Al 1ppb , 
입자로서 알코올 중에 존재할 가능성이 높고 이온 교환 수지 혹은 이온 흡착막에서는 나 , Fe
를 극미량까지 제거할 수 없게 될 경우가 많기 때문에 본 발명의 효과가 크다 식별번호 Al (
[0021]).
필터 는 그 구멍 지름이 이하인 필터 혹은 이하의 구멍 지름에 상당한 (12) 20nm 20nm 
분획 분자량을 갖는 필터이다 필터를 구성하는 막의 재질 등은 특별히 제한되지 않지만 필. 
요한 투과 유속을 얻기 위해 필터로서는 정밀 여과막 막 을 사용하는 것이 바람직하다 식, (MF ) (
별번호 [0023]).
실시예 [ 1] 
도 에 나타낸 장치를 조립했다 이온 교환 수단 으로서는 양이온 교환기를 갖는 이온 흡1 . (11)
착막 모듈 아사히카세이 주식회사제 을 이용했다 필터 로서는 구멍 지름 이며 재질( ) . (12) 20nm
이 폴리에틸렌인 정밀 여과 필터 일본 인테그리스 주식회사제 를 사용했다 수분 농도가 ( ) . 
이며 과 를 함께 씩 함유하도록 조정한 를 이온 교환 수단 이온 1000ppm Al Fe 10ppb IPA (11)(
흡착막 과 필터 에 순서대로 통액했다 그리고 이온 흡착막의 입구와 출구 필터 출구에서) (12) . , 
의 농도 및 농도를 유도결합 플라즈마 질량분석장치 를 사용하여 측정했다 결Al Fe ICP-MS( ) . 
과를 표 에 나타낸다 식별번호 1 ( [0031]).
표 식별번호 1 ( [0032])【 】

농도 Al (ppb) 농도 Fe (ppb)
이온 흡착막 입구 10 10
이온 흡착막 출구 6 6
필터 출구 <0.05 <0.05
표 에서 이온 흡착막으로 제거되지 않고 유출된 및 가 필터에 의해 제거된 것을 1 Al Fe
알 수 있다 식별번호 ( [0033]).
비교예 [ 1] 
의 수분 농도를 으로 한 것 외에는 실시예 과 같은 조건에서 실험을 했다 결IPA 4000ppm 1 . 
과를 표 에 나타낸다 식별번호 3 ( [0037]).
표 식별번호 3 ( [0038])【 】
- 37 -
행 명 갑 증 3) 3( 7 )

농도 Al (ppb) 농도 Fe (ppb)
이온 흡착막 입구 10 10
이온 흡착막 출구 6 6
필터 출구 5 5
비교예 에서는 필터 통과 전후로 및 의 농도는 거의 변화가 없었다 이로부터 1 Al Fe . IPA 
중의 수분 농도가 즉 이하가 아니면 필터로 를 극미량까지 제거할 수 0.1%( 1000ppm) Al, Fe
없는 것을 알 수 있었다 식별번호 ( [0039]).
비교예 [ 2] 
필터 로서 구멍 지름 이며 재질이 폴리에틸렌인 정밀 여과 필터 일본 인테그리스 주(12) 30nm (
식회사제 를 사용한 것을 제외하고 실시예 과 같은 실험을 했다 결과를 표 에 나타낸다) , 1 . 4
식별번호 ( [0040]).
표 식별번호 4 ( [0041])【 】

농도 Al (ppb) 농도 Fe (ppb)
이온 흡착막 입구 10 10
이온 흡착막 출구 6 6
필터 출구 2 1
필터의 구멍 지름이 일 경우에는 이온 흡착막에서 유출된 를 충분히는 제거할 30nm Al, Fe
수 없었다 이로부터 필터의 구멍 지름이 이하가 아니면 필터로 를 극미량까지 . 20nm Al, Fe
제거할 수 없는 것을 알 수 있었다 식별번호 ( [0042]).
주요 도면 
도 [ 1]
- 38 -
공개 2015. 4. 9. 일본 공개특허공보 특개 감 는 2015-64494 , ‘
감 사 지 조 법 자 이스 조 법 자 이스 , , , 
합 이라는 명칭 명에 것이다 주요 내용 다 과 같다’ . . 
기술분야 및 배경기술 
본 발명은 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물 패턴 형성 방법 전자 디바이스 , , 
의 제조 방법 전자 디바이스 및 화합물에 관한 것이다 보다 상세하게는 본 발명은 등의 , . , IC 
반도체 제조 공정 액정 및 서멀 헤드 등의 회로 기판 제조 및 기타 포토패브리케이션의 리, 
소그래피 공정에 적합한 패턴 형성 방법 그에 이용되는 감활성 광선성 또는 감방사선성 수, 
지 조성물 및 화합물에 관한 것이다 또한 본 발명은 상기 패턴 형성 방법을 포함하는 전자 . 
디바이스의 제조 방법 및 상기 방법에 의해 제조된 전자 디바이스에도 관한 것이다 식별번(
호 [0001]).
엑시머 레이저 용 레지스트 이후 광흡수에 의한 감도 저하를 보충하기 위해 KrF (248nm) , 
화학 증폭을 이용한 패턴 형성 방법이 이용되고 있다 예를 들어 포지티브형 패턴 형성 방법. 
으로는 우선 노광부에서 광산발생제가 분해되어 산을 발생시킨다 이어서 노광 후의 베이크. 
과정 등에서 발생한 산의 촉매 작용에 의해 수지에 포함되는 알(PEB: Post Exposure Bake) 
칼리 불용성기가 알칼리 가용성기로 변화한다 그 후 알칼리 용액을 이용하여 현상을 실시한. 
다 이것에 의해 노광부를 제거하여 원하는 패턴을 얻는다 알칼리 현상액으로서는 질. . 2.38
량 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 수용액 의 수계 알칼리 현상액이 범용적으로 % TMAH( )
이용되고 있다 또한 최근에는 유기 용제를 포함하는 현상액의 사용에 대해서도 검토가 이루. 
어지고 있다 식별번호 ( [0002]). 
또한 반도체 소자의 미세화를 위해 노광 광원의 단파장화 및 투 렌즈의 고개구수 고 (
화가 진행되어 현재는 의 파장을 갖는 엑시머 레이저를 광원으로 하는 노광NA) , 193nm ArF 
기가 개발되어 있다 해상력을 더욱 높이는 기술로서 투 렌즈와 시료 사이에 고굴절률의 . 
액체 이하 액침액 이라고도 한다 를 채우는 방법 즉 액침법 도 실용화되어 있다 또한 더 ( , ) ( , ) . 「 」
짧은 파장 의 자외광 광 이나 전자선을 조사함으로써 미세 패턴을 형성하는 방법(13.5nm) (EUV )
의 연구 개발도 활발히 이루어지고 있다 식별번호 ( [0003]). 
이와 같이 패턴의 미세화가 진행됨에 따라 다양한 레지스트 조성물 감활성 광선 또는 감 , (
- 39 -
방사선성 수지 조성물 이 제안되고 있으며 예를 들어 특허문헌 에는 접착 촉진 성분을 첨) , 1
가한 레지스트 조성물이 개시되어 있다 식별번호 ( [0004]).
발명이 해결하고자 하는 과제 및 과제를 해결하고자 하는 수단 
한편 최근 각종 전자기기의 고기능화가 요구되고 있으며 그에 따라 미세 가공에 사용되 , , 
는 레지스트 패턴의 한층 더 높은 특성 향상이 요구되고 있다 특히 포지티브형 현상에 사용. 
할 경우에는 패턴 프로파일이 보다 직사각형일 것이 요구되고 네거티브형 현상에 사용할 경, 
우에는 보다 미세한 패턴에서도 패턴 붕괴가 일어나기 어려울 것이 요구되어 이러한 특성을 , 
만족하는 레지스트 패턴이 형성 가능한 레지스트 조성물의 개발이 요구되고 있다. 
본 발명자들이 특허문헌 에 기재된 접착 촉진 성분을 이용하여 상기 특성을 평가한 결과1 , 
얻어진 패턴은 현재의 요구 레벨을 만족하지 않아 추가 개량이 필요한 것을 지견했다 식별, (
번호 [0006]). 
본 발명은 상기 문제를 감안하여 이루어진 것이며 네거티브형 현상에 사용할 경우에는 , 
패턴 붕괴가 억제되고 포지티브형 현상에 사용할 경우에는 패턴 프로파일이 우수한 패턴이 
형성 가능한 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 
또한 본 발명은 상기 조성물을 이용한 패턴 형성 방법 전자 디바이스의 제조 방법 및 전자 , 
디바이스 및 조성물로 사용되는 화합물을 제공하는 것도 목적으로 한다 식별번호 ( [0007]).
기판 상에 감활성 광선 또는 방사선성 수지 조성물막을 형성하기 위해 사용되는 감활 (1) 
성 광선 또는 감방사선성 수지 조성물로서,
하기 및 로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 종의 화합물 및 (A1) (A2) 1 (A) 
기판 밀착성기를 갖고 활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생시키는 화합물(A1) , 
기판 밀착성기 및 산기를 갖는 화합물 (A2) 
산의 작용에 의해 분해되고 현상액에 대한 용해성이 변화하는 수지 를 적어도 함유하는 (P)
감활성 광선 또는 감방사선성 수지 조성물. 
기판 밀착성기를 갖지 않고 활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생시키는 (2) , 
화합물 를 더 함유하는 에 기재된 감활성 광선 또는 감방사선성 수지 조성물(B) (1) . 
화합물 가 분자량 이하인 또는 에 기재된 감활성 광선 또는 감방사선 (3) (A) 3000 (1) (2)
성 수지 조성물. 
화합물 가 오늄염인 중 어느 하나에 기재된 감활성 광선 또는 감방사선성 (4) (A) (1)~(3) 
- 40 -
수지 조성물. 
화합물 가 후술하는 일반식 또는 로 나타내어지는 화합물인 중 어 (5) (A) (I-1) (I-2) (1)~(4) 
느 하나에 기재된 감활성 광선 또는 감방사선성 수지 조성물. 
가 알콕시실릴기 인산에스테르기 이소시아네이트기 및 급 하이드록시기로 이루어 (6) Q , , 1
진 군에서 선택되는 어느 하나인 에 기재된 감활성 광선 또는 감방사선성 수지 조성물(5) . 
화합물 가 후술하는 일반식 또는 로 나타내어지는 화합물인 중 (7) (A) (II-1) (II-2) (1)~(6) 
어느 하나에 기재된 감활성 광선 또는 감방사선성 수지 조성물. 
화합물 의 함유량이 감활성 광선 또는 감방사선성 수지 조성물의 고형분에 대해서 (8) (A)
질량 인 중 어느 하나에 기재된 감활성 광선 또는 감방사선성 수지 조성물0.01~5 % (1)~(7) . 
가 중 어느 하나에 기재된 감활성 광선 또는 감방사선성 수지 조성물에 의해 (9) ( ) (1)~(8) 
기판 상에 감활성 광선 또는 감방사선성 수지 조성물막을 형성하는 공정, 
나 막에 활성 광선 또는 방사선을 조사하는 공정 및 ( ) 
다 활성 광선 또는 방사선이 조사된 막을 현상액을 이용하여 현상하는 공정을 적어도 갖 ( ) 
는 패턴 형성 방법. 
현상액이 유기 용제를 포함하는 현상액인 에 기재된 패턴 형성 방법 (10) (9) . 
또는 에 기재된 패턴 형성 방법을 포함하는 전자 디바이스의 제조 방법 (11) (9) (10) . 
에 기재된 전자 디바이스의 제조 방법에 의해 제조된 전자 디바이스 (12) (11) . 
후술하는 일반식 로 나타내어지는 화합물 (13) (I-1) . 
후술하는 일반식 로 나타내어지는 화합물 (14) (I-2) . 
후술하는 일반식 로 나타내어지는 화합물 (15) (II-1) . 
후술하는 일반식 로 나타내어지는 화합물 식별번호 (16) (II-2) ( [0009]).
발명의 효과 
본 발명에 의하면 네거티브형 현상에 사용할 경우에는 패턴 붕괴가 억제되고 포지티브형 
현상에 사용할 경우에는 패턴 프로파일이 우수한 패턴이 형성 가능한 감활성 광선성 또는 
감방사선성 수지 조성물을 제공할 수 있다. 
또한 본 발명에 의하면 상기 조성물을 이용한 패턴 형성 방법 전자 디바이스의 제조 방법 , 
및 전자 디바이스 및 조성물로 사용되는 화합물을 제공할 수도 있다 식별번호 ( [0010]).
발명을 실시하기 위한 형태 
- 41 -
본 발명의 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물이 원하는 효과를 얻을 수 있는 
이유는 확실하지 않지만 이하와 같이 추정된다. 
우선 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물을 노광하면 광산발생제가 활성 광선 또는 , 
방사선을 흡수하기 위해 레지스트막 표면에 비해 기판 부근은 상대적으로 노광량이 낮아져 , 
버린다 따라서 기판 부근은 산 발생량이 작아지고 수지의 탈보호 반응이 일어나기 어렵다. , . 
그 경우 알칼리 현상에서는 기판 부근에서 탈보호가 불충분한 폴리머가 녹아 남게 되고 패, , 
턴이 풋팅된다 또한 반대로 유기 용제를 포함하는 현상에서는 기판 부근에서 용해가 진행. , 
되어 언더컷 형상이 되어 버리기 때문에 붕괴 성능이 악화되고 만다. 
이에 대하여 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물에 후술하는 화합물 를 첨가하면, (A) , 
제막 시에 기판 밀착성기가 기판에 밀착함으로써 기판 부근의 산량이 증가하고 기판 부근에, 
서도 충분한 탈보호 반응이 진행된다 따라서 포지티브형 현상 및 네거티브형 현상의 경우에 . 
각각 원하는 효과를 얻을 수 있다고 추측된다 식별번호 ( [0012]). 
이하 본 발명의 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물 이하 본 발명의 조성물 , ( , 「 」 
또는 본 발명의 레지스트 조성물 이라고도 칭한다 에 대해서 설명한다) . 「 」
본 발명의 조성물은 네거티브형 현상 노광부가 패턴으로서 남고 미노광부가 제거되는 현상( , )
에 이용하여도 좋고 포지티브형 현상 노광부가 제거되고 미노광부가 패턴으로서 남는 현상( )
에 이용하여도 좋다 즉 유기 용제를 포함하는 현상액 및 알칼리 현상액 중 어느 하나를 이. , 
용하여 현상할 수 있다. 
또한 본 발명의 조성물은 전형적으로는 화학 증폭형 레지스트 조성물이다.
본 발명의 조성물은 후술하는 화합물 및 산의 작용에 의해 분해되고 현상액에 대[1] (A) [2] 
한 용해성이 변화하는 수지 를 적어도 함유한다(P) . 
본 발명에 따른 조성물이 포함할 수 있는 추가 성분으로서는 기판 밀착성기를 갖지 않[3] 
고 활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생시키는 화합물 기판 밀착성기를 갖지 않, (
는 산발생제 소수성 수지 산확산제어제 용제 및 계면활성제 등을 들 수 있), [4] , [5] , [6] [7] 
다 본 발명의 조성물은 예를 들어 패턴 형성 방법 으로서 후술하는 방법에 따라 패턴 형. 「 」
성용으로 사용될 수 있다.
우선 조성물에 사용되는 각 성분에 대하여 순서대로 설명하고 그 후 상기 조성물을 이용한 , 
패턴 형성 방법에 대하여 상술한다 식별번호 ( [0013]).
- 42 -
본 발명의 조성물은 해상력 향상의 관점에서 막 두께 이하의 레지스트막으로 하는 80nm 
것이 바람직하다.
조성물 중의 고형분 농도를 적절한 범위로 설정해서 적당한 점도를 갖게 하여 도포성 제막, , 
성을 향상시킴으로써 이러한 막 두께로 할 수 있다, .
본 발명의 조성물의 고형분 농도는 통상 질량 이며 바람직하게는 질량 더1.0~10 % , , 2.0~5.7 %, 
욱 바람직하게는 질량 이다2.0~5.3 % .
고형분 농도를 상기 범위로 함으로써 레지스트 용액을 기판상에 균일하게 도포할 수 있고, 
나아가서는 선폭 거칠기가 우수한 레지스트 패턴을 형성하는 것이 가능해진다.
그 이유는 분명하지 않지만 아마 고형분 농도를 질량 이하 바람직하게는 질량 이10 % , 5.7 % 
하로 함으로써 레지스트 용액 중에서의 소재 특히 광산발생제의 응집이 억제되고 그 결과적, 
으로 균일한 레지스트막을 형성할 수 있었던 것으로 생각된다.
고형분 농도란 조성물의 총 중량에 대한 용제를 제외한 다른 레지스트 성분의 중량의 중량 
백분율이다 식별번호 ( [0317]). 
본 발명의 조성물은 상기 성분을 소정의 유기 용제 바람직하게는 상기 혼합 용제에 용해 , 
하고 필터 여과한 후 소정의 지지체 기판 상에 도포하여 사용한다 필터 여과에 사용하는 , , ( ) . 
필터의 공극 크기는 이하 보다 바람직하게는 이하 더욱 바람직하게는 0.1 m , 0.05 m , 0.03μ μ μ
이하의 폴리테트라플루오로에틸렌제 폴리에틸렌제 나일론제인 것이 바람직하다m , , .
필터 여과에 있어서는 예를 들면 특개 호 공보와 같이 순환적인 여과를 하거나2002-62667 , 
복수 종류의 필터를 직렬 또는 병렬로 접속해서 여과를 할 수 있다.
또한 조성물을 복수 회 여과할 수 있다 더욱이 필터 여과의 전후로 조성물에 대해서 탈기 . 
처리 등을 할 수 있다 식별번호 ( [0318]).
본 발명의 조성물은 활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 반응해 성질이 변화되는 감활 
성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물에 관한 것이다 더욱 상세하게는 본 발명은 등의 . IC 
반도체 제조 공정 액정 서멀 헤드 등의 회로 기판의 제조 임프린트용 몰드 구조체의 제작, , , , 
또한 기타 포토패브리케이션 공정 평판 인쇄판 산경화성 조성물에 사용되는 감활성 광선성 , , 
또는 감방사선성 수지 조성물에 관한 것이다 식별번호 ( [0319]).
패턴 형성 방법 8〔 〕 
이어서 본 발명에 따른 패턴 형성 방법에 대해서 설명한다.
- 43 -
본 발명의 패턴 형성 방법은 이하의 공정을 적어도 가진다. 
가 본 발명의 조성물을 포함하는 막 조성물막 레지스트막 을 기판상에 형성하는 공정 ( ) ( , ) , 
나 상기 막에 활성 광선 또는 방사선을 조사 노광 하는 공정 노광 공정 및 ( ) ( ) ( ) 
다 현상액을 이용하여 상기 활성 광선 또는 방사선을 조사한 막을 현상하는 공정 현상 공 ( ) (
정 을 적어도 포함한다 식별번호 ) ( [0320]).
본 발명의 조성물을 이용하여 형성된 감활성 광선성 또는 감방사선성 조성물막을 현상하 
는 공정에서 사용하는 현상액은 특히 한정하지 않지만 예를 들면 알칼리 현상액 또는 유기 
용제를 함유하는 현상액 이하 유기계 현상액이라고도 한다 을 이용할 수 있다( , ) .
알칼리 현상액으로서는 예를 들면 수산화나트륨 수산화칼륨 탄산나트륨 규산나트륨 메타, , , , 
규산나트륨 암모니아수 등의 무기 알칼리류 에틸아민 프로필 아민 등의 제 아민류 디, , , n- 1 , 
에틸아민 디 부틸아민 등의 제 아민류 트리에틸아민 메틸디에틸아민 등의 제 아민류, -n- 2 , , 3 , 
디메틸에탄올아민 트리에탄올아민 등의 알코올 아민류 테트라메틸암모늄하이드록사이드 테, , , 
트라에틸암모늄하이드록사이드 테트라프로필암모늄하이드록사이드 테트라부틸암모늄하이드, , 
록사이드 테트라펜틸암모늄하이드록사이드 테트라헥실암모늄하이드록사이드 테트라옥틸암, , , 
모늄하이드록사이드 에틸트리메틸암모늄하이드록사이드 부틸트리메틸암모늄하이드록사이드, , , 
메틸트리아밀암모늄하이드록사이드 디부틸디펜틸암모늄하이드록사이드 등의 테트라알킬암모, 
늄하이드록사이드 트리메틸페닐암모늄하이드록사이드 트리메틸벤질암모늄하이드록사이드, , , 
트리에틸벤질암모늄하이드록사이드 등의 제 급 암모늄염 피롤 피페리딘 등의 환상 아민류 4 , , 
등의 알칼리성 수용액을 사용할 수 있다 또한 상기 알칼리성 수용액에 알코올류 계면활성. , 
제를 적당량 첨가해서 사용할 수도 있다 알칼리 현상액의 알칼리 농도는 통상 질량. 0.1~20 %
이다 알칼리 현상액의 는 통상 이다 알칼리 현상액의 알칼리 농도 및 는 적. pH 10.0~15.0 . pH
절히 조제해 이용할 수 있다.
알칼리 현상액은 계면활성제나 유기 용제를 첨가하여 이용해도 좋다.
알칼리 현상 후에 행하는 린스 처리의 린스액으로서는 순수를 사용하고 계면활성제를 적당
량 첨가하여 사용할 수도 있다 식별번호 ( [0334]).
유기계 현상액으로서는 케톤계 용제 에스테르계 용제 알코올계 용제 아미드계 용제 에 , , , , 
테르계 용제 등의 극성 용제 및 탄화수소계 용제를 이용할 수 있다.
케톤계 용제로서는 예를 들면 옥타논 옥타논 노나논 노나논 아세톤 헵타논 메틸1- , 2- , 1- , 2- , , 2- (
- 44 -
아밀케톤 헵타논 헥산온 헥산온 디이소부틸케톤 사이클로헥사논 메틸사이클로헥사), 4- , 1- , 2- , , , 
논 페닐아세톤 메틸에틸케톤 메틸이소부틸케톤 아세틸아세톤 아세토닐아세톤 이오논 디, , , , , , , 
아세토닐 알코올 아세틸카비놀 아세토페논 메틸나프틸케톤 이소포론 프로필렌카보네이트 , , , , , 
등을 들 수 있다 식별번호 ( [0336]).
에스테르계 용제로서는 예를 들면 아세트산메틸 아세트산부틸 아세트산에틸 아세트산이 , , , 
소프로필 아세트산펜틸 아세트산이소펜틸 아세트산아밀 프로필렌글리콜모노메틸에테르아, , , , 
세테이트 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, , , 
디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 에틸 에톡시프로피오네이트 메톡시부틸아세테, -3- , 3-
이트 메틸 메톡시부틸아세테이트 포름산메틸 포름산에틸 포름산부틸 포름산프로필 락, 3- -3- , , , , , 
트산에틸 락트산부틸 락트산프로필 등을 들 수 있다 식별번호 , , ( [0337]).
알코올계 용제로서는 예를 들면 메틸알코올 에틸알코올 프로필알코올 이소프로필알코 , , n- , 
올 부틸알코올 부틸알코올 부틸알코올 이소부틸알코올 헥실알코올 헵틸알, n- , sec- , tert- , , n- , n-
코올 옥틸알코올 데칸올 등의 알코올이나 에틸렌글리콜 디에틸렌글리콜 트리에틸렌글, n- , n- , , 
리콜 등의 글리콜계 용제나 에틸렌글리콜모노메틸에테르 프로필렌글리콜모노메틸에테르 에, , 
틸렌글리콜모노에틸에테르 프로필렌글리콜모노 에틸에테르 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, , , 
트리에틸렌글리콜모노에틸에테르 메톡시메틸부탄올 등의 글리콜에테르계 용제 등을 들 수 , 
있다 식별번호 ( [0338]).
유기계 현상액의 증기압은 에 있어서 이하가 바람직하고 이하가 더욱 바 20 5kPa , 3kPa ℃
람직하고 이하가 특히 바람직하다 유기계 현상액의 증기압을 이하로 함으로써 , 2kPa . 5kPa 
현상액의 기판상 혹은 현상 컵 내에서의 증발이 억제되고 웨이퍼면 내의 온도 균일성이 향
상되어 결과적으로 웨이퍼면 내의 치수 균일성이 좋아진다 식별번호 , ( [0341]).
패턴 형성 방법 네가티브형 유기 용제 현상 ( , )＜ ＞ 
실리콘 웨이퍼 인치 구경 상에 반사 방지막 사제 를 도포하고 에서 (12 ) Si-BARC(BSI ) , 205 60℃
초간 베이크를 하여 막 두께 의 반사 방지막을 형성했다 그 위에 조제한 조성물을 도, 30nm . 
포하고 표 에 기재된 온도 온도 로 초간 베이크를 하여 막 두께 의 감광성막 레, 2 (PB ) 60 , 85nm (
지스트막 을 형성했다 얻어진 웨이퍼를 엑시머 레이저 액침 스캐너 사제 ) . ArF (ASML XT1700i, 
아우터 시그마 이너 시그마 편향 을 이용해 선폭 의 NA1. 20, C-Quad, 0.750, 0.650, XY ) 50nm
라인 스페이스 패턴의 하프톤 마스크를 통해 노광했다 액침액으로서는 초순수를 사1:1 & 6% . 
- 45 -
행 명 갑 증 4) 4( 8 )
공개 1999. 8. 31. 일본 공개특허공보 평 고 도 이소10-40312 , ‘
납 용 라는 명칭 명에 것이다 주요 내용 다 과 같다’ . . 
용했다 그 후 표 에 기재된 온도 온도 로 초간 가열한 후 유기 용제를 포함한 현상. , 2 (PEB ) 60 , 
액으로 초간 패들해서 현상하고 의 회전수로 웨이퍼를 회전시키면서 린스액으로 30 1000rpm , 
초간 패들해서 린스하여 회전 건조하고 선폭 의 라인 스페이스의 레지스트 패턴30 50nm 1:1 &
을 얻었다 식별번호 ( [0383]).
기술분야 및 배경기술 
본 발명은 금속 불순물의 혼입을 극단적으로 싫어하는 반도체 제조 액정 제조와 같은 , , 
전자 산업용에 사용되는 고순도의 이소프로필 알코올 을 수납 지지하는 수납 용기에 관(IPA)
한 것이다 자세하게는 장기간 저장했을 경우에 있어서의 고순도 에 대한 전체 금속 용. , IPA
출량을 이하로 억제하는 것이 가능한 수납 용기이다 식별번호 10pg/ml(ppt) ( [0001]).
그런데 전자 산업 특히 반도체 산업에서는 형식 패턴 치수의 미세화 기판의 대구경화의 , , 
급격한 기술 혁신에 따라 사용하는 약품의 양이 증대될 뿐만 아니라 점점 고순도의 품질이 , , 
요구되며 도 예외는 아니다 전자 산업에서는 는 각종 기판의 세척 건조 용도로 고, IPA . , IPA , 
순도의 것이 대량으로 사용되고 있다 여기에서는 통상 스테인리스 강으로 대표되는 금속 . , 
용기에 충진되고 공급되며 용기에서 적절히 도출되어 사용된다 따라서 매우 순도가 높은 . 
를 장기에 걸쳐 금속 불순물의 용출이 없는 상태로 유지 수납할 수 있는 용기가 요망되IPA
고 있다 식별번호 ( [0003]). 
특히 최근 디바이스의 미세화에 따라 금속 불순물 미스트나 분체 포함 의 혼입에 대한 조 ( )
건이 엄격하고 요구되는 반도체를 제조하는 로는 장기간 저장한 경우 고순도 에 대, IPA , IPA
한 전체 금속 용출량이 이하의 수납 용기가 요구되고 있다 식별번호 10pg/ml(ppt) ( [0004]).
발명이 해결하고자 하는 과제 및 과제를 해결하기 위한 수단 
하지만 스테인리스 강을 연마 처리 버프 연마 전해 연마 한 것은 금속 용출량이 에 , ( , ) ppm
서 의 레벨이며 본 발명이 목표로 하는 레벨을 충족하는 것은 아니다 식별번호 ppb , ( [0006]). 
또한 연마를 실시한 후 고온 가열 처리를 실시하여 마무리 면에 착색 산화 피막을 형성 , , 
- 46 -
하는 방법은 금속 용출량을 매우 적게 억제하려고 했을 경우 전해 연마 처리에 매우 높은 , 
정밀도가 요구되기 때문에 수고와 시간이 필요하며 또한 스테인리스 강 이외의 금속 용기, , 
에는 적용하기 어렵다는 단점이 있었다 식별번호 ( [0007]).
이상과 같이 종래의 수납 용기에서는 금속의 용출을 고도로 억제하기 위해서는 한발 더 , , 
개량의 여지가 있고 그 해결이 요망되고 있었다 식별번호 , ( [0008]).
따라서 본 발명의 목적은 장기간 저장하더라도 고순도 의 순도가 저하되지 않는 고순 , IPA
도 수납 용기를 제공하는데 있다 식별번호 IPA ( [0009]).
이러한 목적은 금속제 용기의 적어도 내면이 니켈층에 의해 구성되고 또한 상기 니켈층 , 
의 표층부를 산화 처리함으로써 달성할 수 있다 식별번호 ( [0010]). 
즉 본 발명은 적어도 내면이 니켈에 의해 구성되고 또한 상기 내면을 구성하는 니켈의 , , 
적어도 표층이 산화 처리된 금속제 용기로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고순도 이소프로
필 알코올 수납 용기 이하 간단히 수납 용기 라고 한다 이다 식별번호 ( , ‘IPA ’ ) ( [0011]).
본 발명의 수납 용기는 이에 공급 보관되는 고순도 의 품질이 매우 높은 것에 대 IPA , IPA
해서 유효하다 일반적으로 충진 직전의 순도는 포나인 이상 수분 농도 이하의 . IPA , 50ppm 
것에 대해서 효과가 현저하다 식별번호 ( [0026]). 
본 발명의 수납 용기의 구조는 특별히 제한되지 않지만 공급하고 꺼낼 때 불순물의 IPA 
혼입을 방지하고 상기 의 품질을 유지하기 위하여 도 에 나타낸 바와 같이 니켈층의 , IPA 1 , 
표층부를 산화 처리해서 얻어진 산화 처리층 를 내면에 갖는 용기의 개구부에 가스용 커플(A)
러 와 액용 커플러 를 장착한 밀폐식으로 하는 것이 바람직하다 각 커플러는 별도로 파(1) (2) . 
이프 측에 설치한 커플러 도시하지 않음 와 암수 한 쌍으로 구성되며 양자를 접속하는 것과 ( )
동시에 통액 상태로 또한 분리하는 것과 동시에 폐지 상태가 되는 공지의 구조인 것을 사용, 
할 수 있다 이와 같이 접속 조작에 의해 용기 내의 가 외부 공기와 접촉하지 않아서 외. IPA
부 오염이 들어가기 어렵게 할 수 있기 때문에 본 발명에서는 적합하게 채용된다 본 발명의 . 
수납 용기의 용적은 특별히 제한되지 않지만 경제성을 감안하면 리터 이상이 바IPA IPA 10
람직하다 식별번호 ( [0027]).
이것을 방지하기 위해 를 수납 용기에 충진할 경우 플랜트로 제조된 를 , IPA IPA , IPA IPA 
용 커플러 를 통해 공급하면서 가스용 커플러 에서 상기 용기 내부의 기체를 배출하는 (2) (1)
방법이 바람직하다 또한 반대로 충진한 를 수납 용기에서 유스 포인트로 공급할 경. IPA IPA 
- 47 -
우 가스용 커플러 를 통해 불활성기체 예를 들면 질소 아르곤 가스 등을 공급하여 , (2) , , IPA 
수납 용기의 내부를 가압하고 를 커플러 을 통해 대기에 접촉시키지 않고 배관에 , IPA IPA (1)
공급하는 방법이 넓게 채용된다 이 경우 와 접촉하는 추출용 파이프 나 커플러도 니켈. , IPA (5)
층을 후산화 처리하지만 금속의 용출이 없는 재질로 구성하는 것이 의 순도 저하를 방지, IPA
하기 위해서 바람직하다 식별번호 ( [0030]).
발명의 효과 
이상의 설명으로 이해되는 바와 같이 본 발명의 수납 용기는 적어도 내면이 니켈의 산화 , 
처리층에 의해 구성됨으로써 금속 불순물의 용출이 매우 고도로 억제되어 상기 수납 용, IPA 
기에 고순도 를 장기간 유지 보관하더라도 의 순도 품질은 양호하게 유지된다 그 결IPA IPA . 
과 의 금속 농도의 증가에 따른 반도체 제조 액정 표시 소자 제조 등에서의 트러블을 , IPA , 
회피할 수 있고 제품의 수율 향상 더욱이 안정 운전에도 공헌할 수 있다 식별번호 , ( [0032]).
실시예 
또한 실시예 및 비교예에 있어서의 금속 이온은 유도 결합 고주파 플라스마 발 , ICP-MS(
광 분광 질량 분석계 로 분석한 값이다 식별번호 ) ( [0034]).
표 식별번호 1 ( [0039])【 】

금속 이온 농도(ppt)
Fe Cr Ni Cu 전체 용출량
실시예 1 4 2 1 1 8
실시예 2 5 2 2 1 10
비교예 1 23 13 7 15 58
표 식별번호 2 ( [0040])【 】

세정회수
금속 이온 농도(ppt)
Fe Cr Ni Cu 전체 용출량
1 4 2 2 1 9
10 3 2 1 2 8
20 3 2 2 2 9
30 4 2 2 2 10
주요 도면 
- 48 -
인 근거 다 없는 사실 갑 내지 증 각 재 변 체 취지, 1 8【 】 
당사자 주장의 요지2. 
가 원고 주장 요지 . 
다 이 부 이 사건 내지 내지 항 명 행 명들에 1 15, 17 21
여 그 진보 이 부 지 니 다 이 달리 단 이 사건 결 결과 . 
법 므 취소 어야 다.
이 사건 항 명 래 같이 통상 자가 행 명 부 쉽게 1) 1 1
명 없 므 그 진보 이 부 지 는다, .
가 이 사건 항 ) 1 명 법에 해 약 입Single Particle ICP-MASS
자 탈 농도를 입자 탈 에 도 특히 철 원자 구리 원자 , , (Fe) , (Cu) 
연 원자를 포함 는 입자 탈 타겟 여 감 법 행 는 (Zn) 
것 특징 는 것이고 그에 라 웨이퍼 상에 결함 평가 폭 , , 
미 등에 있어 매우 우 효과를 갖는 것이다10nm .
나 그러나 ) 행 명 에는 이 사건 항 명과 같 입자 탈에 1 1
- 49 -
인식 자체가 없고 에 법에 해 입자 탈 농도, Single Particle ICP-MASS
를 여 철 구리 연 입자 탈 농도를 고 여 감 법, , 
택 는 구 에 개시나 시사 이 없 며 입자 탈 철 구리 연, , 
이라는 탈 택 는 구 철 구리 연 입자 탈 타겟 는 , 
감 법 행 는 구 에 개시나 시사 도 없다 그에 른 효과에 있어 도. , 
행 명 이 사건 항 명이 갖는 효과 달리 웨이퍼 상에 결함 가 많고 1 1
라인폭 미 이 불가능 다10nm . 
다 라 ) 이 사건 항 명 통상 자가 행 명 부 쉽게 도1 1
출 없고 그에 른 효과도 통상 자가 행 명 부 없는 , 1
효과를 갖는 것이다.
이 사건 항 명 2) 12 통상 자가 행 명 부 쉽게 명 1
없 므 그 진보 이 부 지 는다, .
가 행 명 에는 ) 1 이 사건 항 명과 같 입자 탈에 인식 자12
체가 없고 철 구리 연 입자 탈 농도가 크게 감 어 있는 계 상, , 
구 에 개시나 시사 이 없다 그에 른 효과에 있어 도 행 명 이 . 1
사건 항 명이 갖는 효과 달리 웨이퍼 상에 결함 가 많고 라인폭 12 10nm
미 이 불가능 다.
나 라 이 사건 항 명 통상 자가 행 명 부 쉽게 ) 12 1
도출 없고 그에 른 효과도 통상 자가 행 명 부 없는 , 1
효과를 갖는 것이다.
이 사건 항 명 이 사건 항 명 약 과 사 고 다만 3) 17 12 , 
- 50 -
이 사건 항 명 계 상 경우 칼리 상 경12 ‘ , Mp 5.6ppt, ∑ ≤
우 신에 인 것 것이어 철 구리 , Mp 98ppt’ ‘ Mp Mi 100ppt’ , ‘ , ∑ ≤ ∑ ≤∑ ≤
연 입자 탈 농도가 이 탈 농도 이 이고 철 구리 연 ’ ‘ , 
입자 탈 농도 합이 이 인 약 행 명 부 도출 지 니100ppt ’ 1
다 라 이 사건 항 명 통상 자가 행 명 부 쉽게 도출. 17 1
없고 그에 른 효과도 통상 자가 행 명 부 없는 , 1
효과를 갖는 것이다.
이 사건 항 명 이 사건 항 명 조 법과 동일 고 4) 18 1 , 
다만 이 사건 항 명 증 신에 약 철 구리 연 입자 탈1 , 
농도 합 이 는 조 법이어 이 사건 항 명과 마찬100ppt , 1
가지 철 구리 연 입자 탈 타겟 여 감 는 감 법에 , 
구 효과는 행 명 부 쉽게 도출 없다 철 구리 연 1 . , ‘ , 
입자 탈 농도 합이 이 라는 농도 조 는 사상 행 명 100ppt ’
부 도출 지 는다 라 이 사건 항 명 통상 자가 행1 . 18
명 부 쉽게 도출 없고 그에 른 효과도 통상 자가 행 명 부1 , 1
없는 효과를 갖는 것이다.
이 사건 내지 내지 내지 항 명 재 독립 5) 2 11, 13 15, 19 21
항 인용 거나 독립항 인 특징 공 고 있 므 마찬가지 이 , 
행 명들에 해 그 진보 이 부 지 는다.
나 고 주장 요지 . 
다 과 같 이 이 사건 내지 내지 항 명 행 명 1 15, 17 21 1, 
- 51 -
행 명 과 결합 행 명 과 결합 는 행 명 과 결합에 여 1 2 , 1 3 1 4
진보 이 부 다 이 결 같이 이 사건 결 결과 법 다. .
이 사건 항 명 래 같이 통상 자가 행 명 부 쉽게 1) 1 1
명 있 므 그 진보 이 부 다, .
가 이 사건 항 명과 행 명 여 보면 행 명 이 ) 1 1 , 1
인 것에 해 이 사건 항 명 법 ICP-MASS 1 Single Particle ICP-MASS
에 차이가 있고 이 사건 항 명 철 구리 연 입자 탈, 1 , 
농도에 라 감 법 택함 언 재 에 행 명 과 차이1
가 있다.
나 ) 그러나 Single Particle ICP-MASS 법이 이 사건 명 우 일 당 
시 리 진 이고 행 명 법 신에 , 1 ICP-MASS Single Particle 
ICP-MASS법 이용 는 것 통상 자가 결과 향상 해 어
움이 없이 용 있다 입자 탈 농도에 라 감 법 택 는 . 
것 통상 자라면 쉽게 착 있는 도에 해당 다.
다 그리고 ) 이 사건 항 명 미 에 이용 있는 고1
도 약 효 조 있는 것 효과 나 행 명 고 도 자, 1
시약과 생산 법 공 는 효과 여 차이가 있다고 볼 없다.
라 라 이 사건 항 명 통상 자가 행 명 부 쉽게 도 ) 1 1
출 있고 그에 른 효과도 통상 자가 행 명 부 있는 , 1
도에 해당 다.
이 사건 항 명 다 과 같이 통상 자가 행 명 부 쉽 2) 12 1
- 52 -
게 명 있 므 그 진보 이 부 다, .
가 이 사건 항 ) 12 명 행 명 과 여 1 Single Particle ICP-MASS
법에 해 고 철 구리 연 원소를 택 여 입자 탈 농도 합, , , , ( Mp)Σ
이 인 범 나타낸 에 행 명 과 차이가 있고100ppt 1 , 이 사건 12
항 명 약 종 를 트산 뷰틸 등 고 있지만 행 명 약1
이 이소 이라는 에 차이가 있다.
나 그러나 입자 탈 에 ) Single Particle ICP-MASS법 이용 단 
법 용에 불과 고 이 사건 항 명 청구 상 건인 약 이므 , 12
불 법이 약 에 향 미 는 것이 니라 여과 등 불 감
법에 해 결 는 것이며 철 구리 연에 단 택 가 , ․ ․
없다 이 사건 항 명이 철 구리 연 불 농도를 이. 12 , 100ppt 
는 것 이 사건 명 출원 에 리 진 에 해당 고 이 , 
사건 명 명 를 보 라도 불 인 탈 농도를 함 인해 어
떠 효과를 가지는 것인지 없 며 불 농도는 좋 특 , 
불 상 값이 가지는 가 없 므 행 명 에 재 법, 1 ICP-MASS
분 철 구리 연 이 농도 합이 인 구 부 통상 자, , 210ppt
가 쉽게 도출 있는 도에 해당 다고 이 타당 다 그리고 이소 이 . 
계 용 단독 는 다른 용 합 여 계 상 
리 쓰인다는 것 주지 용 에 해당 고 이 사건 명 명 에 이소, 
사용 지 며 이 사건 항 명 언 해 상 이소, 12
포함 지 고 있고 상 택에 곤란 이 있지 며 이 사건 , , 
- 53 -
명 명 를 보 라도 상 택에 어떠 곤란 이나 효과가 있는 것인
지에 런 개시가 없 므 이 사건 항 명이 약 종 를 트, 12
산 뷰틸 등 구 통상 자가 행 명 부 쉽게 도출 있1
는 도에 해당 다.
다 라 이 사건 항 명 통상 자가 행 명 부 쉽게 ) 12 1
도출 있고 그에 른 효과도 통상 자가 행 명 부 있는 , 1
도에 해당 다.
이 사건 내지 항 명에 추가 고 있는 사항들 행 3) 2 8, 18
명 는 이소 여과 여과 는 행 명 에 개시 어 있1 2
거나 주지 용 에 해당 므 통상 자가 행 명 는 행 명 과 , 1 1 2
결합에 여 쉽게 명 있어 그 진보 이 부 다.
이 사건 내지 항 명 통상 자가 행 명 과 4) 9 11, 19, 20 1 3
결합 부 쉽게 명 있어 그 진보 이 부 고 이 사건 항 , 13, 17
명 통상 자가 행 명 부 쉽게 명 있어 그 진보 이 부 며1 , 
이 사건 항 명 통상 자가 행 명 과 결합 부 14, 15, 21 1 4
쉽게 명 있 므 그 진보 이 부 다.
이 사건 결정의 위법 여부3. 
가 이 사건 항 명 진보 부 여부 . 1
구 요소별 계 1) 
구성
요소
이 사건 제 항 정정발명1 선행발명 갑 제 호증1( 5 )
1-1 약액 중의 법Single Particle ICP-MASS 의 공업급 이소프로판올 에 화99.0wt(%) (IPA)
- 54 -

공통 차이 2) 
이 사건 항 명 구 요소 행 명 구 요소는 모 1 1-1, 1-2 1 , 
약 이소 이 라 다 등 시약[ ( ‘IPA’ ) ]8) 불 인 철 구리 , 
연 포함 는 탈 철 구리 연 등 포함 는 속 농도를 약 증[ , , ] [ ]
를 포함 는 법 감 여 자 재료 조용 약 자 시약 조 는 [ ]
7) 는 용 ‘ ( )’ ‘精溜 증 여 각 분 분리 는 일 미 므 국어 사 참조 이 부 통상 자라’ ( ), 
면 는 증 에 포함 는 것임 쉽게 있다.
8) 이 에 재 부분 이 사건 항 명 구 요소에 는 행 명 구 요소이다 1 1 . 
에 의하여 측정되는 철 원자를 포함, 
하는 입자성 메탈의 농도 구리 원자, 
를 포함하는 입자성 메탈의 농도 및 , 
아연 원자를 포함하는 입자성 메탈의 
농도에 따라 상기 약액 중의 입자성 , 
메탈의 저감화 방법을 선택하고,
학 전처리를 실시하여 순도를 향상시킨다 식(
별번호 등 참조[0012], [0032] ).
여과액을 정류7)한다 정류 프로세스에서 증기. 
를 더욱 가열함으로써 가열 증기를 형성하고 
이것으로부터 미세공막을 통해 과열 증기를 
여과한다 막 여과 후의 과열 증기를 냉각하. 
고 분획을 수집하고 분획을 미세공막을 통해 
여과하여 여과액 속의 과립수를 컨트롤하여 
초고순도 전자급 염산 또는 이소프로판올
을 얻는다 식별번호 등(IPA) ( [0012] ).
양이온에 대하여 플라즈마 질량 스펙트럼
분석을 한 결과 초고순도 전자급 (ICP-MS) , 
이소프로판올 의 구리 철 아연 등의 금(IPA) , , 
속 이온 불순물의 함유량 농도 이 감소되었다( )
식별번호 표 등 ( [0030], [0032], [0033], [ 2] 
참조).
1-2
선택된 상기 저감화 방법을 이용하여, 
상기 철 원자를 포함하는 입자성 메탈
의 농도 상기 구리 원자를 포함하는 , 
입자성 메탈의 농도 및 상기 아연 원, 
자를 포함하는 입자성 메탈의 농도 중 
적어도 하나를 저감시키고 상기 저감, 
화 방법은 약액을 증류하는 방법을 포
함하는,
전자 재료 제조용 약액의 제조 방법. 초고순도 전자급 화학 시약 생산 방법.
- 55 -
법이라는 에 동일 다.
다만 이 사건 항 명 법에 여 는 1 Single Particle ICP-MASS
것인 면에 행 명 라스마 질량 스펙트럼 분 법에 해 , 1 (ICP-MASS) 
는 것이라는 에 차이가 있다 이 ( ‘차이 1 이라 다 이 사건 항 ’ ). , 1
명 철 구리 연 입자 탈 농도에 라 감 법 택 여 철, , 
구리 연 입자 탈 농도 어도 나를 감시키는 것이나 행 명 , 1
에는 이에 여 명시 재 어 있지 다는 에 차이가 있다 이 ( ‘차이 
2 라 다’ ).
차이 들에 검토 3) 
가 차이 ) 1
래 같 사실 사 종합 여 보면 차이 과 이 사건 , 1 1
항 명 구 통상 자가 행 명 부 쉽게 도출 있는 것이1
고 그에 른 이 사건 항 명 효과도 통상 자가 행 명 부 , 1 1
있는 도에 불과 다고 이 타당 다.
다 과 같 (1) 이 부 통상 자라면 법 , Single Particle ICP-MASS
이용 여 도체 이스 등 도체 조 공 에 사용 는 약 에 포함 속 
나노입자 불 농도를 있는 것임 쉽게 있다.9)
가 통상 ( ) ICP-M 를 이용 여 도체 이스 등 조 공 에 약 등ASS
에 포함 는 속 불 농도를 있다는 통상 자에게는 자명
9) 갑 증 각각 증에 11, 12 ( 9, 10 ) 는 Single Particle ICP-MASS법이 경 등과 분야에 사용 있는 것 
재 어 있지만 래에 살 는 것처럼 도체 조분야에 도 사용 있는 것임 통상 자라면 쉽게 있, 
는 것이다.
- 56 -
상식에 해당 다.10)
나 ( ) 갑 증9, 11, 12 11) 등 12) 래 같 재들에 추어 볼 , 
는 용 Single Particle ICP-MASS 상에 분산 어 있는 속 나노입자 다양 특 
있는 것13)일 뿐만 니라 장 를 그 사용 여 , ICP-MASS
있는 법에 해당 는 것임14) 이 사건 명 우 일 에 통상 자에게
는 리 있는 상식에 해당 다.
10) 행 명 명 1 식별번 등[0030], [0032], [0033] ; 행 명 명 식별번 등 행 명 2 [0002], [0031] ; 4
명 식별번 등 갑 증 증 면 분 장 도결합 라즈마 질량분[0001], [0034] ; 14 ( 2 ) 23 ‘7. ’ ‘7.1 
부분 등 이 사건 명 명 식별번 등 참조 이에 여는 당사자 간에 별다(ICP-MASS)’ ; [0007], [0079] ; . 
른 다 이 없다.
11) 갑 증 각각 증과 동일 증이다 9, 11, 12 6, 9, 10 .
12) 갑 증 단일 입자 나노재료 일상 분 향 에도 래 같 재가 있다13 (‘ ICP-MASS: ’, 2016 ) . 
에어 졸 입자를 특 는 부 천연 염 를 조사 근 용에 이르 지“ , ㉠ 단일 입자 도결합 
라즈마 질량 분 법(Single Particle ICP-MASS 이 속 함 나노재료 분산 검출 특 를 강 ) -
임 입증 다 체 고처리량과 단일 입자 계산 특이 . , 원소 특이 결합함 써ICP-MASS , 
Single Particle ICP-MASS는 소 샘 변동 연구자들에게 크 크 분포 입자 농도 주요 원소 조 과 , , 
보를 빨리 공 있다 생략 면 요약. ( ) ”( 5053 )… …
업 “Kawaguchi Degueldre㉡ 이드 분 여 를 사용 있는 가능 입증ICP-MASS 것이다. …
생략 래 토 단일 입자 분 구 들과 근 이루어진 자동 분 과 데이 획득에 있어 많 들 명( ) , … 
고 를 갖춘 어느 연구실에 도 단일 입자 분 가능ICP-MASS 게 는 가능 이끌게 것이다.” 면 좌 컬럼( 5055
단2 )
13) 원고도 에 해 입자 탈 농도를 있다는 에 해 는 인 고 있다 Single Particle ICP-MASS {“갑 9
증 내지 갑 증 법에 해 속 입자를 있다는 것 소개 는 헌입니다 그러13 , Single Particle ICP-MASS . 
나 이들 헌 단 히 에 입자 탈 에 해 소개‘Single Particle ICP-MASS ’ 고 있는 것에 불과 며 생(…
략) ”… 출 원고 면 면 등 참조(2022. 3. 31. 16 )}.
14) 이 사건 명 명 에도 에 있어 사용 는 장 는 통상 에 있어 사용 는 Single Particle ICP-MASS ICP-MASS
장 동일 다고 재 어 있다식별번 참조( [0078] ).
15) 목 : ‘Determining Transport Efficiency for the Purpose of Counting and Sizing Nanoparticles via Single Particle 
갑 제 호증 단일 입자 유도결합 플라즈마 질량분석을 통한 나노입자들의 계수 및 분급 < 11 {‘
목적을 위한 이송 효율 결정15) 년’, 2011 }>
생략- ( )… … 단일 입자 유도결합 플라즈마 질량 분석법 은 금속 함유 나노입자를 분(spICPMS)
급 및 계수할 수 있는 떠오르는 기술이다 법의 주요 이점은 환경과 관련된 농도에. spICPMS
서 나노 입자를 특성화하는 그 능력이다 본 논문은 를 사용하여 어떻게 나노입자를 . spICPMS
계수하고 분급하는지에 대한 실질적인 가이드를 제시한다 계산에 있어서 중요한 . spICPMS 
항목인 이송 효율 즉 분무 효율 을 측정하기 위해 다양한 방법이 연구되었다 생략 제( , ) . ( ) (… …
면의 요약 부분9361 ).
- 57 -
다 ( ) 라 같 지식 가진 통상 자라면 도체 이스 등 , 
조 공 에 약 등에 포함 는 속 불 농도를 있는 ICP-MASS
장 를 그 사용 는 Single 도 마찬가지 도체 이스 등Particle ICP-MASS
Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry’
생략 실질적인 관점에서 보자면- ( ) , … … 는 전형적인 실험실에서 합리적으로 spICPMS ICPMS 
통상의 실험 도구로 사용되고 추가적인 전문 설비라고 할 만한 것이 거의 요구되지 않는다. 
게다가 분석은 전통적인 분석과 기술적으로 매우 유사하며 이는 운spICPMS ICPMS , ICPMS 
용자의 훈련 및 전문지식이 로 쉽게 변환될 수 있음을 의미spICPMS 한다 제 면 좌측 컬( 9368
럼의 제 단락2 ).
갑 제 호증 분석법을 사용하는 나노입자 현탁액의 특성화 년 월< 12 (‘IPC-MS ’, 2015 12 )>
본 특별판 은 - (SP, special publication) 를 이용하여 나노입자의 수성 현탁액에 있spICP-MS
어서 나노입자의 평균 사이즈 구 형태의 입자 지름 상당 입도 분포수 입자수 농도 이온 질( ), , , 
량 농도를 결정하기 위한 프로토콜을 만드는 것을 목적으로 한다 본 특별판에서의 예는 금 . 
나노입자 와 은 나노입자 의 측정에 대해서 적용하고 있지만(AuNPs) (AgNPs) , 제시된 프로토콜
은 로 측정될 수 있는 요소들을 포함하는 모든 구 형태의 나노입자를 측정하는데 적ICP-MS
용될 수 있는 것이다 제 면 머리말의 제 단락( 4 2 ).
- 의spICP-MS 이론적 기반은 등에 의해 처음 설명되어졌다 Degueldre . 측정은 상용화된 
기기로 이뤄지고ICP-MS 짧고 백만분의 초 분의 초 연속된 체류시간, ( 1 ~1000 1 ) (dwell times, 
인 측정기간을 이용해 결과 모드를 적시에 얻는다 생략 제 면 원칙과 범위 의 tdwell) . ( ) ( 5 ‘2. ’… …
제 단락1 ).
갑 제 호증 국제공개특허공보 호 공개< 9 ( WO2015/122920 , 2015. 8. 20. )>
- 유도 결합 플라스마 질량 분석 은 미량금속 분석을 하기 위한 선택사항 중의 기기(ICP-MS)
로서 전세계 실험실에 있어서 지지되어 있다 생략 배경기술 란의 식별번호 . ( ) ([ ] [0002]).… …
등의 고성능 기기를 이용하여 수행되는 것 등의 더욱 새로운 - NexION(R) 300 ICP-MS 
기법은 매우 고속의 레이트로 데이터를 취득하고 나노 입자당 복수의 데이터점을 SP-ICP-MS
취득 가능하고 그것에 따라 단일점 펄스가 아니고 나노 입자당 다중점 피크를 생성, 한다. …
생략 배경기술 란의 식별번호 ( ) ([ ] [0010]).…
- 58 -
조 공 에 약 등에 포함 는 속 불 농도를 는 데 사용 
있는 것임 쉽게 추 있다고 이 타당 다 이는 갑 증 다 과 같 . 10
재 부 법에 해 도체 산업에 사용 는 용매 Single Particle ICP-MASS
같 약 에 함 는 철과 같 이 속 원소를 포함 는 속 나노입자 불
농도를 있다는 등에 추어 보면 욱 그러 다.
(2) 라 이러 통상 자가 행 명 했 경우 행 명 에 사1 , 1
용 는 신에 ICP-MASS Single P 여 용시키는 데 특별 article ICP-MASS
어 움이 있는 것이라고 보 어 고 그에 른 효과도 통상 자라면 , 
행 명 부 있는 도에 해당 다1 .
나 차이 ) 2
래 들에 추어 보면 , 상 차이 이 사건 항 명 2 1
구 통상 자가 행 명 부 쉽게 극복 있는 것이고 그에 른 이 1 , 
사건 항 명 효과도 통상 자가 행 명 부 있는 1 1
도에 해당 다고 이 타당 다.
이 사건 명에는 다 (1) 명 같이 철 원자를 포함 는 입자 탈 , 
갑 제 호증 년< 10 (APPLICATION NOTE, ICP-Mass Spectrometry, 2015 )>
- 반응 모드의 를 사용한 반도체 산업에서 사용되는 유기 용매 중의 Single Particle ICP-MASS
철 나노입자의 분석 제 면 제목( 1 ).
- 반도체 제품에 있어서 금속 오염은 디바이스의 성능에 불리한 향을 준다 칩 형상의 라인 . 
폭이 감소하는 것에 의해 허용되는 금속 오염의 수준도 또한 감소한다 가장 잘 발생하는 금속 . 
오염의 형태는 전이금속 또는 알칼리금속 원소에 의한 것이다. 생략 제 면의 서론 부분 ( ) ( 1 ).… …
- 59 -
농도 구리 원자를 포함 는 입자 탈 농도 연 원자를 포함 는 입자 , 
탈 농도에 라 상 약 입자 탈 감 법 택 고 택 , , 
상 감 법 이용 여 상 철 원, 자를 포함 는 입자 탈 농도 상 구, 
리 원자를 포함 는 입자 탈 농도 상 연 원자를 포함 는 입자 탈 
농도 어도 나를 감함 써 노드 이 같 미 에 , 10nm 
있어 도 고품질인 자 재료 조용 약 고효 조 있는 효과를 갖는다
고 재 어 있 는 다.
(2) 그런데 이 사건 항 명에 철 구리 연 입자 탈 농1 ‘ , 
도에 라 감 법 택 는’ 구 래 같 이 통상 자가 행 
명 부 쉽게 도출 있다고 보 야 다1 .
가 래 같 갑 증 ( ) 14 16), 내지 증 각 재 부 나노1, 3 5 , 
16) 증과 동일 증이다 2 .
- 본 발명의 전자 재료 제조용 약액의 제조 방법은 약액 중의 법에 , Single Particle ICP-MASS
의하여 측정되는 철 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도 구리 원자를 포함하는 입자성 메탈, , 
의 농도 및 아연 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도에 따라 상기 약액 중의 입자성 메탈의 , , 
저감화 방법을 선택하고 선택된 상기 저감화 방법을 이용하여 상기 철 원자를 포함하는 입자, , 
성 메탈의 농도 상기 구리 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도 및 상기 아연 원자를 포함하, , 
는 입자성 메탈의 농도 중 적어도 하나를 저감시키는 전자 재료 제조용 약액의 제조 방법이다, 
식별번호 ( [0075]).
- 상기한 바와 같이, 측정된 입자성 메탈의 농도에 따라 입자성 메탈의 저감화 방법을 적절히 , 
선택할 수 있기 때문에 초미세 패턴 예를 들면 노드 이하 의 형성에 있어서도 고품질인 , ( , 10nm )
전자 재료 제조용 약액을 고효율로 제조할 수 있다 식별번호 ( [0076]).
- 60 -
갑 제 호증 반도체 제조공정에서 오염분석 기술과 응용 년< 14 (‘ ’, 2006 )>
그림 웨이퍼의 표면의 오염물2. Si 
을 제 호증 반도체 소자의 특성에 향을 주는 오염물< 1 (‘ ’)>
도 오염물의 종류1. 
을 제 호증 반도체 제조용 초순수에 총유기탄소 오염 요인에 대한 연구 년< 3 (‘ ’, 2012 )>
최근 - 반도체가 고밀도 및 고집적화가 됨에 따라 은 제품의 품질 신뢰성 등contamination , 
의 생산성에 큰 향을 미친다 중략. ( )… … 특히 금속 및 탄소분자의 오염 향과 그에 대한 , 
방안에 대하여 많은 연구가 진행되어져 왔다 이러한 오염들은 반도체 소자에서 . reverse bias 
를 증가시키거나 등의 전기적 특성에 악 향을 끼쳐 junction leakage capacitance leakage 
왔으며 또한 오염되어진 금속들의 와의 반응으로 또는 를 형성하여 , Si/SiO silicide silicate₂
산화막의 열화를 가져온다는 사실들을 기존 연구 결과를 통해 나타난 바 있다 제 면 gate ( 463
좌측컬럼의 서론 부분‘1. ’ ).
- 61 -
을 제 호증 일본 공개특허공보 특개 호 공개< 4 ( 2000-5546 , 2000. 1. 11. )>
- 반도체 제조 공정 등에 사용되는 전자공업용 약품은 극히 청정할 것이 요구, 된다. 기판 표
면에 미립자가 부착하면 제품의 신뢰성은 현저하게 저하된다 반면 전자 공업용 약품에 대. , 
한 요구수준은 최근 한층 고도화되고 있으며 특히 입경 이상의 미립자는 고도하게 제, 0.1 , ㎛
거되어 통상 개 이하 바람직하게는 개 이하 더욱 바람직하게는 개 이하, 100 /ml , 10 /ml , 10 /ml 
일 필요가 있다 식별번호 ( [0002]).
을 제 호증 일본 공개특허공보 특개 호 공개< 5 ( 2004-195427 , 2004. 7. 15. )>
통상 상기 특허문헌 및 에서의 여과방법에 의해 레지트스액 중의 미립자는 어느 정도 - , 1 2 , 
제거되나 완전히 제거하는 것은 안되고 또한, , 미립자의 제거에 장시간이 필요한 경우도 있
어 생산성이 우수하지 않았다 이러한 문제는 상기 레지스트액 뿐만 아니라, . , 전자부품 제조
공정에서 사용되는 처리액 전자부품 제조용 재료( )에 있어서도 동일하다고 할 수 있으며, 전
자부품 제조용 재료 중에는 미립자가 적도록 하는 것이 요구된다 식별번호 ( [0005]).
갑 제 호증 선행발명 < 6 ( 2)>
- 알코올 중의 수분 농도가 예를 들면 이하로 저농도이면 철이나 알루미늄 등의 금1000ppm 
속 성분의 일부는 이온화하지 않고 콜로이드 등의 입자로서 알코올 중에 존재한다고 생각된다. 
따라서 이온교환작용에 의해 알코올에서 이온성 불순물을 제거하는 이온 교환 수지 혹은 이온 
흡착막에서는 이들의 금속 성분을 제거할 수 없게 된다 본 발명자들은 이온 교환 수지 혹은 . 
이온 흡착막 후단에 구멍 지름이 이하이거나 또는 그에 상당하는 분획 분자량을 가지는 20nm 
필터를 설치함으로써 이온화하고 있지 않는 금속을 제거할 수 있는 것을 새로 발견해 본 발명, , 
을 완성시켰다 식별번호 ( [0013]).
갑 제 호증 일본 공개특허공보 특개 호 공개< 15 ( 2013-23439 , 2013. 2. 4. )>
- 본 발명자들은 알코올 용액 중에 불순물로서 철 알루미늄 이 존재할 경우(Fe), (Al) , 수분 농도가 
낮은 조건 예를 들면 수분 농도가 이하 에서는 ( 1000 ppm ) 이들 철이나 알루미늄의 불순물 성분
- 62 -
는 도체 등 자 재료 조 공 에 입자 염 지 고자 는 것 
이 사건 명 우 일 이 에 통상 자에게는 자명 상식에 해당
다 래 같 갑 . 6, 15, 증16 17) 각 재에 르면 도체 조 공, 
에 사용 는 용 에 포함 는 속 이 에는 이 속 탈 뿐만 니라 입자 ( )
속 탈 이 존재 다는 것도 ( ) 통상 자에게는 자명 상식에 해당 다고 
이 타당 다.
나 그리고 살 같이 는 나노 ( ) Single Particle ICP-MASS
단 법 이 사건 명 우 일 에 통상 자에게는 리 
진 상식에 해당 므 이러 도체 조 공 , Single Particle ICP-MASS
등에 사용 는 용 게 면 속 불 입자 탈 농도는 당연히 
17) 이 사건 명 명 에도 종래 에 해당 는 일본 공개특허공보 평 에도 체 시료 입자 불 10-153554
용해 지 고 존재에 재가 있다( ) {“ 법 사용 여 체 시료 원소가 용해 어 존재 는지 용해 지 ICP-MASS , 
고 존재 고 있는지 식별 법 자체는 개시 어 있다 특허 헌 참조 생략 식별번 참조( 10 ). ( ) ”( [0015] )}.… …
이 콜로이드화하기 쉬운 경향이 있고 이온 흡착막에서는 제거가 어렵지만 한편 구멍 지름이 , , , 
이하의 정밀 여과막을 이용하면 이들 불순물 성분 제거가 가능한 것을 발견했다 식별번20nm (
호 [0031]).
갑 제 호증 일본 공개특허공보 특개 호 공개< 16 ( 2014-55120 , 2014. 3. 27. )>
- 본 발명자들은 알코올 용액 중에 불순물로서 철 알루미늄 이 존재할 경우(Fe), (Al) , 수분 농도가 
낮은 조건 예를 들면 수분 농도가 이하 에서는 ( 1000 ppm ) 이들 철이나 알루미늄의 불순물 성분
이 콜로이드화하기 쉬운 경향이 있고 이온 흡착막에서는 제거가 어렵지만 한편 구멍 지름이 , , , 
이하의 정밀 여과막을 이용하면 이들 불순물 성분 제거가 가능한 것을 발견했다 그래서 20nm . 
본 실시 형태에서는 제 증류 수단 후단에 정밀 여과막 을 설치하고1 (34) (37) , 철이나 알루미늄 
등을 성분으로 하는 콜로이드형 불순물을 확실하게 제거할 수 있도록 하고 있다 식별번호 (
[0034]).
- 63 -
있다는 것 통상 자라면 쉽게 있다고 보 야 다.
다 래 같 갑 증 ( ) , 10① 18) 재 부 도체 품에 있어, 
속 염 가장 잘 생 는 태는 이 속 철이 산 태 면 상‘ ’
에 집 는 입자 상태 존재 쉬운 가장 인 염원임 있다는 ( ) , 
본 갑 증 각 재에도 불 입자 이드 존재 는 6, 15, 16 ( )② 
철 에 내용이 개시 어 있다는 래 같 갑 증 재에 (Fe) , 14③ 
르면 등 사용 여 염원 는 상 원소 철 구리 연 등, ICP-MASS , , 
이 있 있다는 나 가 갑 증 각 재 부 철 구리 , 17, 19 , , ④ 
연 등 산 원 가 상 높 편이어 이 어 고 입자 
쉬우며19)20) 일 인 약 에 도 입자 존재 쉬운 상태여 21) 철 구리 연 , , , 
등 약 입자 상태 존재 쉬운 것임도 쉽게 있다는 불어 , , ⑤ 
항 내지 항 고 있는 통상 자라면 행 명 했 경우에 인 1 , [ 2]① ④
여러 속 불 농도를 도 분 결과에 철 이 구리 이 , 
연 이 충분히 주목 있다는 등22) 종합 고 해 볼 도체 , 
품에 있어 철 구리 연 주요 속 불 에 해당 고 입자 상태 존재 , 
18) 증과 동일 증이다 8 .
19) 갑 증인 편람 편 개 행 부 철 구리 연 산 원 값각각 17 ‘ 5 ’(2004. 2. 20. ) , ( 0.44, 0.340 –
이 칼슘 루미늄 등 산 원 값 각각 에 여 상 높 이 어0.7626) (Ca), (Al) ( 2.84, -1.676)– –
우므 입자 쉬운 것임 인 있다 면 등 참조, ( 2, 3 ).
20) 이는 래 라 나 항 다 항에 시 구리 연이 도가 커 이 어 고 이드 입자 . 2). ) ) ( )
쉬운 것이라는 보태어 보면 욱 그러 다.
21) 갑 증인 용 에 평 상태 도해 19 ‘ ’(‘Atlas of Electrochemical Equilibria in Aqueous Solutions’, 
각종 원소 에 라 우 게 존재 는 태 속입자 는 속이 를 있는 푸르베 다이어그1974 ) pH ( )
램 부 일 인 약 이고 산 원 가 에 가 운 상태 볼 있어 철 구리(Pourbaix diagram) , pH 7 0 , , 
연 등 일 인 약 에 있어 는 입자 존재 쉬운 상태임 통상 자라면 충분히 있다( 312, 314, 
면 등 참조387, 409 ).
22) 이는 래 갑 증 부 철 이 구리 이 연 이 에 분자 평균 명이 짧 래 도면 붉 20 , , (
색 원 부분 참조 결국 철 구리 연 분자 속도가 매우 른 것임 있고 그에 라 ) , , Si 
과 쉽게 결합 어 결함원이 쉬운 것임 통상 자라면 쉽게 있다는 보 라도 욱 그러 다 면 ( 2
등 참조).
- 64 -
쉬운 속임 통상 자가 쉽게 있다고 이 합리 이다 통상 . 
자가 행 명 부 철 이 구리 이 연 이 뿐만 니라 다른 속 이1 , 
에 해 도 주요 속 불 인식 있는 것이라 지라도 이 사건 , 
명 명 를 살펴보 도 철 구리 연 탈 분만 택 경우가 철 구리 , , 
연 이외 다른 탈 분도 함께 포함 는 경우에 여 훨 우 효과를 
가질 있다는 것 뒷 침 만 근거나 자료가 없다.
<도 양이 에 분자 평균 명9-7. >
갑 제 호증 년< 10 (APPLICATION NOTE, ICP-Mass Spectrometry, 2015 )>
- 반응 모드의 를 사용한 반도체 산업에서 사용되는 유기 용매 중의 Single Particle ICP-MASS
철 나노입자의 분석 제 면 제목( 1 ).
- 반도체 제품에 있어서 금속 오염은 디바이스의 성능에 불리한 향을 준다 칩 형상의 라인 . 
폭이 감소하는 것에 의해 허용되는 금속 오염의 수준도 또한 감소한다 가장 잘 발생하는 금속 . 
오염의 형태는 전이금속 또는 알칼리금속 원소에 의한 것이다. 전이금속은 반도체 재료를 개재
하여 확산하고 다양한 산화물의 형태로 표면 상에 응집하는 경향이 있다. 전이금속 중에서는 철
이 단연 가장 전형적인 오염원(Fe) 이다 제 면의 서론 부분( 1 ).
갑 제 호증 반도체 제조공정에서 오염분석 기술과 응용 년< 14 (‘ ’, 2006 )>
표 분석 전처리 방법의 모음- 2. 
- 65 -
라 그리고 행 명 에도 이 사건 항 명과 마찬가지 감 ( ) 1 1
여과 에 상인 공업용 이소 도 를 인 는 ( · ) IPA( ) (99.0wt%)
갑 제 호증 선행발명 < 5 ( 1)>
표 표 초고순도 전자급 이소프로판올 표준과 순도 분석 결과- 2 2, 【 】 
항목 단 표SEMI-C12 실시 1 실시 2
략( ) … …
알루미늄이온 ppb 0.1＜ 0.05 0.07
비소이온 ppb 0.1＜ 0.07 0.05
바륨이온 ppb 0.1＜ 0.09 0.08
붕소이온 ppb 0.1＜ 0.06 0.06
칼슘이온 ppb 0.1＜ 0.07 0.08
동 구리 이온( ) ppb 0.1＜ 0.07 0.06
철이온 ppb 0.1＜ 0.09 0.09
납이온 ppb 0.1＜ 0.05 0.06
마그네슘이온 ppb 0.1＜ 0.05 0.06
망간이온 ppb 0.1＜ 검출되지 않음 검출되지 않음
니 이온 ppb 0.1＜ 검출되지 않음 검출되지 않음
칼륨이온 ppb 0.1＜ 0.08 0.08
나트륨이온 ppb 0.1＜ 0.09 0.07
주석이온 ppb 0.1＜ 검출되지 않음 검출되지 않음
티탄이온 ppb 0.1＜ 검출되지 않음 검출되지 않음
아연이온 ppb 0.1＜ 0.05 0.06
먼지과립0.5 mμ≧ 개/ml 20≦ 4 3
- 66 -
내용이 재 어 있고 식별번 등 참조 미 공막 구 직경 불 함( [0032] ), 
량에 해 택 있다는 내용도 재 어 있어 식별번 등 참조 이 부( [0027] ), 
통상 자라면 23) 여과 법에 효과를 인 해 나 여과 , 
에 상 농도를 인 는 차를 거 는 것임 쉽게 있다.
마 ( ) 에 살 사항들 잘 고 있는 통상 자라면 본 것처럼 , 
행 명 에 신에 단 게 여 1 ICP-MASS Single Particle ICP-MASS
용시킬 경우 있는 속 불 농도에 상 보를 얻 있고, , 
그 결과에 라 속 불 들 철 구리 연 입자 탈 농도를 고, 
있 며 그에 라 증 는 같 감 법 택 는 데 특별 , 
어 움이 있다고 보 어 다.
욱이 이 사건 명 명 를 살펴보 도 입자 탈 농도에 ( ) ‘ ’
라 감 법 택 는 경우에 어느 도 농도가 감 이 고 그에 라 
감 법이 어떻게 달라질 있는 것인지 등과 같 구체 인 등 내용이 
명시 재 어 있지 니 뿐만 니라 이 사건 항 명에도 그러 , 1
구체 인 등 어 있지 다.24)
래 이 를 고 해 볼 이 사건 항 명에 철 구리 (3) , 1 ‘ , 
연 입자 탈 농도 어도 나를 감시키는 구 통상 자가 ’
행 명 부 쉽게 도출 있다고 이 타당 다1 .
가 이 ( ) 사건 항 명에는 철 구리 연 입자 탈 농도 1 , 
어도 나를 감시킨다고 재 어 있어 철 구리 연 입자 탈 농도‘ ’ , , 
23) 어떤 질 부 재해 있는 불 거 여 도를 높이는 조작 (purification, ): , .精製
24) 입자 탈 농도 합이 이 가 는 것 등이 감 보이 나 이 사건 명 명 에는 이에 100ppt , 
해 명시 인 재가 없고 군다나 이 사건 항 명에는 이에 해 재 어 있지 다, 1 .
- 67 -
를 모 동시에 감시키는 경우뿐만 니라 이들 종 는 종 입자 탈 1 2
농도를 감시키는 경우도 포함 다.
나 이 사건 ( ) 명에는 래 같 명 재 같이 철, , 
구리 연 입자 탈 농도를 각각 감 는 식 재 어 있지만‘ ’ , 
모 동일 게 폴리에틸 폴리 불소 지 폴리 마이드 ‘ , , , 
지 폴리 폰 지 이루어지는 군 부 택 는 종 이상 이용, 1
여과 법인 것이 람직 고 불소 지 는 폴리 마이드 지 를 이, , 
용 여과 법인 것이 보다 람직 며 폴리 마이드 지 를 이용 여과 법, 
인 것이 특히 람직 다고 재 어 있고 통상 이 같 동일 재질 ’ , 
가 철 구리 연 원자 입자 탈이 모 포함 어 있는 약 에 사용 경우, , 
이들 각각 는 이들 종 속 원자만 여과시 감시킨다 보다 동시2
에 여과시 감시키는 것이라고 이 합리 이다 라 통상 자라면 이러 . 
재를 경우 폴리 마이드 지 같 를 이용 여과 법에 여 
철 구리 연 포함 는 입자 탈 농도를 모 동시에 감 는 것이라는 , ‘ ’
미 해 다고 이 타당 다.
- 철 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도를 적극적으로 저감시키고자 하는 경우의 저감화 방
법은 폴리에틸렌 필터 폴리프로필렌 필터 불소 수지 필터 폴리아마이드 수지 필터 및 폴리, , , , , 
설폰 수지 필터로 이루어지는 군으로부터 선택되는 종 이상을 이용한 여과 방법인 것이 바람1
직하고 불소 수지 필터 또는 폴리아마이드 수지 필터를 이용한 여과 방법인 것이 보다 바람직, , 
하며 폴리아마이드 수지 필터를 이용한 여과 방법인 것이 특히 바람직하다 식별번호 , ( [0110]).
- 구리 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도를 적극적으로 저감시키고자 하는 경우의 저감화 
방법은 폴리에틸렌 필터 폴리프로필렌 필터 불소 수지 필터 폴리아마이드 수지 필터 및 폴, , , , , 
- 68 -
다 군다나 이 사건 명 실시 를 살펴보면 이 사건 항 명 ( ) , 1
에 같이 감 법 증 를 포함 는 경우 실시 는 실시 내지 ‘ ’ 1 5([
참조 실시 내지 참조 인데1] ), 15 17([ 3] ) 25) 이들 모 철 구리 연 입, , 
자 탈 농도를 동시에 감시킨 경우 실시 에 해당 다고 볼 있고 이들 , 
종 는 종 원자를 포함 는 입자 탈 농도를 감시킨 경우에 해 는 1 2
재 어 있지 다 라 철 구리 연 입자 탈 농도 종 는 . , 1
종 원자를 포함 는 입자 탈 농도를 감시킨 경우에도 드시 결함 개 웨이2 ( /
퍼 평가 결과가 우 다고 단 어 다) .26)
라 이에 여 ( ) , 이 사건 명 내지 살펴보면 참6 8 ([ 3] 
조 이 사건 항 명과 마찬가지 약 라이 모노 틸에), 1 {PGMEA(
이트 사이클 헥산 뷰티르락톤 증 는 법 포함 고 있는데 이), , - } , γ
25) 이 사건 명에 실시 내지 는 감 법 에 여과를 포함 고 있고 증 를 포함 고 있지 6 14 ‘ ’ , ‘ ’
니 다.
26) 히 이 사건 명 를 살펴보면 참조 는 증 에 감 법 택 지 1, 2 ([ 2] ), 1, 2 ‘ ’
고 여과에 감 법 택 고 있지만 연 원자를 포함 는 입자 탈 농도가 각각 ’ ‘ , ’ (Zn) ‘ 13.1ppt 
철 원자를 포함 는 입자 탈 농도각각 나 구리 원자를 포함 는 입자 18.3ppt , ’ (Fe) ( 53.8ppt 121.3ppt)‘ ’ (Cu) 
탈 농도 각각 에 여 상 감 경우에 해당함에도 불구 고 결함 개 웨이퍼 평가 결과( 34.9ppt 79.4ppt)‘ ( / ) 
각각 개 웨이퍼 개 웨이퍼 가 우 것이라 보 어 다( 159 / 538 / ) .
리설폰 수지 필터로 이루어지는 군으로부터 선택되는 종 이상을 이용한 여과 방법인 것이 바1
람직하고 불소 수지 필터 또는 폴리아마이드 수지 필터를 이용한 여과 방법인 것이 보다 바람, , 
직하며 폴리아마이드 수지 필터를 이용한 여과 방법인 것이 특히 바람직하다 식별번호 , ( [0111]).
- 아연 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도를 적극적으로 저감시키고자 하는 경우의 저감화 
방법은 폴리에틸렌 필터 폴리프로필렌 필터 불소 수지 필터 폴리아마이드 수지 필터 및 폴, , , , , 
리설폰 수지 필터로 이루어지는 군으로부터 선택되는 종 이상을 이용한 여과 방법인 것이 바1
람직하고 불소 수지 필터 또는 폴리아마이드 수지 필터를 이용한 여과 방법인 것이 보다 바람, , 
직하며 폴리아마이드 수지 필터를 이용한 여과 방법인 것이 특히 바람직하다 식별번호 , ( [0112]).
- 69 -
들 각각 실시 내지 과 해 볼 철 구리 연 입자 탈 농15 17 , , 
도가 모 크게 차이가 나지 27) 이 부 내지 도 증 후 철 6 8 ‘ ’ , 
구리 연 입자 탈 농도가 증 농도에 여 감 것임 ‘ ’
충분히 있지만 이들 결함 평가 결과 내지 각각 개 웨이퍼( 6 8 243 / , 
개 웨이퍼 개 웨이퍼 가 우 다고 보 어 우므 이 사건 항 312 / 287 / ) , 1
명이 철 구리 연 입자 탈 농도 어도 나를 감시키는 구 에 , ‘ ’
여 결함 억 효과를 드시 갖는 것이라 단 어 다 그에 라 이 . 
사건 항 명 구 에 여 노드 이 같 미 1 10nm 
이 드시 가능 것이라고 단 도 어 다.
마 이 사건 항 명이 철 구리 연 입자 탈 농도 ( ) 1 , 
어도 나를 감시킨다는 것이 에 해 철‘ ’ , Single Particle ICP-MASS , 
구리 연 입자 탈 농도 입자 탈 농도가 낮 것 외 고 입
자 탈 농도가 높 것만 택 여 감시킨다는 미 해 다고 지라도, 
래 라 이 사건 항 명 진보 부 여부 부분에 살 는 같이 ‘ . 3 ’ 
철 구리 연 포함 는 입자 탈 농도 합 이 감시킴‘ , 100ppt ’
써 우 결함 억 효과를 갖는 것이므 철 구리 연 입자 탈 농도 , , 
합 단 히 감시킨다는 것만 는 드시 우 결함 억 효과를 갖는 것이라 
단 어 다.
27) 실시 철 구리 연 입자 탈 농도 차이는 각각 실시 15 6 , 30ppt{=43ppt( 6)-13ppt( 15)}, 
실시 실시 이고 실시 과 철 구27ppt{=39ppt( 6)-12ppt( 15)} 18ppt{=33ppt( 6)-15ppt( 15)} ; 16 7 , 
리 연 입자 탈 농도 차이는 각각 실시 실시40ppt{=48ppt( 7)-8ppt( 16)}, 28ppt{=38ppt( 7)-10ppt(
실시 이며 실시 과 철 구리 연 입자 탈 농도 16)} 16ppt{=37ppt( 7)-11ppt( 16)} ; 17 8 , 
차이는 각각 실시 실시 20ppt{=34ppt( 8)-14ppt( 17)}, 29ppt{=44ppt( 8)-15ppt( 17)} 23ppt{=39ppt(
실시 이다8)-16ppt( 17)} .
- 70 -
그리고 행 (4) 명 에는 고 도 자 시약 생산 스 법 1
공 여 생산량 향상시키고 증 를 이상 약 있 며 규모 연속 0.5~1
생산에 합 다고 재 어 있어 식별번 등 참조 행 명 도 이 ( [0011], [0023] ), 1
사건 명과 마찬가지 고품질인 자 재료 조용 약 고효 조 
있는 효과는 갖는 것임 있다.
종합 면 이 사건 항 명이 철 구리 연 입자 탈 농 (5) , 1 , 
도에 라 감 법 택 여 철 구리 연 입자 탈 농도 어도 , 
나를 감시키는 구 통상 자가 행 명 부 쉽게 도출 있는 것1
이고 그에 른 이 사건 항 명 효과도 통상 자가 행 명 부 , 1 1
있는 도에 해당 다고 이 타당 다.
이 여 원고는 행 명 에 개시 법 갑 증 실험 결 (6) , 1 18
과를 볼 입자 탈 감 도가 미미 고 입자 탈 감 타 는 
법이 니므 행 명 이 사건 항 명 등, 1 1 28)과는 구 효과가 상
이 다는 취지 주장 다.
그러나 래 같 이 들에 면 원고 이 부분 주장 들일 없 , 
다.
가 갑 증 실험 내용 살펴보면 행 명 법 ( ) 18 , IPA A( 1
경우는 탈 를 증 후 폴리에틸 만 여과시IPA) IPA 100nm 
킨 것이나 면 등 참조 행 명 명 에는 증 가열 법 채용 고 여( 1, 2 ), 1
과막 통해 불 이 회 거 는 것 재 어 있어 식별번 2 ( [0023], 
28) 출 원고 면에 는 갑 증 실험 증명 부 행 명 이 사건 항 명 2022. 10. 14. 18 1 1, 12
과 구 효과가 상이 것임 인 있다는 취지 주장 고 있다 면 등 참조( 2~13 ).
- 71 -
등 참조 실험 행 명 에 재 법과는 상[0027], [0028], [0032], [0033] ), 1
이 다 갑 증 실험에 . , 18 이 사건 명 입자 탈 감 IPA B(
법 경우는 탈 를 증 후 개 다른 IPA) IPA 3
여과시킨 것이나 면 등 참조 이 사건 항 명에는 약 증 는 ( 1, 2 ), 1
법 포함 는 것 재 어 있 뿐 에 해 여과 는 법 어 있, 
지 니 고 군다나 실험에 같이 개 다른 를 사용 여 여과, 3
는 법에 해 어 있지 니 다 라 갑 증에 재. 18 실험 결과는 
행 명 이 사건 항 명 효과를 살펴 에 있어 그 인 어1 1
다고 이 타당 다. 
나 갑 증에 나타나 있는 실험 결과를 그 인 다고 ( ) 18 1
지라도 경우 미처리 에 여 철 원자를 포함 는 입자 탈 농도, IPA A IPA
는 감 었고59.25ppt ,29) 구리 원자를 포함 는 입자 탈 농도 연 원자를 
포함 는 입자 탈 농도는 각각 감 것임0.99ppt 8.3ppt 30) 있다. 
실험 결과에 그 감 도가 지라도 이 사건 항 명에 , 1
그 감 감량 는 입자 탈 농도 범 등 구체 고 있는 , 
것이 니므 실험 결과에 여과를 포함 는 조 법이 이 , IPA A
사건 항 명에 재 입자 탈 감 타 는 법이 니라고 1
없다.
다 살 것처럼 이 사건 항 명과 행 명 모 ( ) 1 1
29) 공업용 철 원자를 포함 는 입자 탈 농도 철 원자를 포함 는 입자 탈 농도 IPA (254.55ppt)-IPA A
(195.30ppt)
30) 공업용 구리 원자를 포함 는 입자 탈 농도 구리 원자를 포함 는 입자 탈 농도 IPA (1.19ppt)-IPA A
공업용 연 원자를 포함 는 입자 탈 농도 연 원자를 포함 는 입자 탈 농(0.20ppt); IPA (9.43ppt)-IPA A
도(1.13ppt)
- 72 -
감 법 약 증 는 법 포함 고 있고 이 사건 항 명에 , 1
철 구리 연 입자 탈 농도 어도 나를 감시키는 구 통상 ‘ , ’
자가 행 명 부 쉽게 도출 있는 것이며 이 사건 항 명 1 , 1
구 에 여 노드 이 같 미 는 효과가 드시 10nm 
생 는 것이라고 단 도 어 다 불어 이 사건 항 명 나 지 구 들. , 1
도 에 살 같이 통상 자가 행 명 부 쉽게 도출 있는 1
도에 해당 는 것이고 그에 른 효과도 통상 자가 행 명 부 , 1
있는 도에 해당 다.
원고는 행 명 에는 이 사건 명 특징인 노드 (7) 1 10nm 
이 미 에 있어 결함 주요 요인이 이 탈 농도보다 입자, 
탈 농도라는 지견 그리고 입자 탈 에 도 철 원자 구리 원자 연 , , , 
원자를 포함 는 입자 탈 농도라는 지견이 없 므 약 조 법에 , 
이 사건 항 명 특징인 공 에 에 1 ‘ Single Particle ICP-MASS
해 철 구리 연 입자 탈 농도를 고 특 입자 탈, , 
농도에 라 택 법 이용 여 그 농도를 감시키는 구 도출 지 ’
는다는 취지 주장 다.
그러나 다 이 에 추어 보면 원고 주장도 들이 어 다 , .
가 살 것처럼 이 사건 항 명 철 구리 연 입자 ( ) 1 , 
탈 농도 어도 나를 감시키는 구 이나 철 구리 연 입자 탈‘ ’ , 
농도 합 단 히 감시킨다는 것만 는 드시 우 결함 억 효과를 갖
는다거나 노드 이10nm 같 미 효과가 드시 생 는 것이라
- 73 -
고 단 어 운 것이므 원고가 주장 는 노드 이 미 , 10nm 
에 있어 결함 주요 요인이 이 탈 농도보다 입자 탈 농도라는 지견
과 입자 탈 에 도 철 구리 연 포함 는 입자 탈 농도라는 지견이 , ․ ․
이 사건 항 명에 나타나 있는 것이라 보 어 다1 .
나 ( ) 이 사건 항 명에 이러 지견들이 나타나 있다고 지라도1 , 
에 살펴본 같이 이 사건 항 명에 철 구리 연 입자 1 ‘ , 
탈 농도에 라 감 법 택 는 구 과 철 구리 연 입자 탈 ’ , ‘ , 
농도 어도 나를 감시키는 구 통상 자가 행 명 부 쉽게 ’ 1
도출 있는 도에 해당 는 것이고 행 명 에 신에 , 1 ICP-MASS Single 
단 게 여 용시킬 경우에 여과 법에 Particle ICP-MASS , 
효과를 인 해 나 여과 에 상 농도를 인 는 차를 거 는 
것임 통상 자라면 쉽게 있는 것이어 이 사건 항 명 통상, 1
자가 행 명 부 쉽게 도출 있는 도에 해당 는 것이므 1 , 
같 지견들이 행 명 에도 내재 어 있거나 통상 자가 행 명 부 쉽1 1
게 추 있는 도에 해당 다고 이 타당 다.
검토 결과 리 4) 
이상에 본 같이 이 사건 , 항 명 통상 자가 행 명 에 1 1
여 쉽게 명 있는 것이므 그 진보 이 부 다 이 다른 에 이 , . 
사건 항 명 진보 이 부 지 니 다는 취지 원고 주장 모 이 1
없다.
나 이 사건 항 명 진보 부 여부 . 2, 4, 5, 7, 8
- 74 -
1) 이 사건 항 명 이 사건 항 명 종속항 상 감 2 1 , ‘
법 약 에 여 여과 는 법 포함 는 것이나 이는 행 명 ’ , 1
에 재 에 여과 는 구 청구항 항 등 참조 과 실질 동IPA ( 1 )
일 다.
이 사건 2) 항 명 이 사건 항 명 는 이 사건 항 4 1 2
명 종속항 상 감 법이 상 약 폴리에틸 폴리 , ‘ , , , 
불소 지 폴리 마이드 지 폴리 폰 지 이루어지는 , , , 
군 부 택 는 종 이상 이용 여 여과 는 법 것이고 이 사건 1 ’ , 
항 명 이 사건 항 명 종속항 상 5 4 , ‘ 감 법이 상 , 
약 불소 지 는 폴리 마이드 지 를 이용 여 여과 는 법 , , ’
것이다 그러나 이는 . 행 명 에 재 등1 ( 상 )31) 등 불소 지
를 포함 는 를 이용 여 를 여과 는 구 식별번 참조 과 실질IPA ( [0027] )
동일 다.
이 사건 3) 항 명 이 사건 항 명 는 이 사건 항 7 1 2
명 종속항 상 자 재료 조용 약 이 도체 , ‘ 이스 조용 약 ’
것이고, 이 사건 항 명 이 사건 항 명 는 이 사건 8 1 2
항 명 종속항 상 자 재료 조용 약 이 용 를 함 는 감, ‘ , 
는 감 사 지 조 감 는 감 사 지 조 용 용, 
상 린스 리웨트, , , 32) 에칭 리 는 톱 트 용, , , , ’
31) 미국 듀폰사가 개 불소 지 듀폰 연구소 자인 랭 사가 불소 지 (Teflon): , 1938
를 합 여 이란 상품명 상용 다 이버 지식 과 시사상식사 참PTFE(Polytetrafluoroethylene) TEFLON (
조).
32) 리웨트 지스트 이 어 퍼지는 것 진 는 처리 : 
- 75 -
것이다 그러나 . 행 명 에는 고 도 자 염산과 이소 모 마1 “
이크 자 시약에 요 품종이며 도체 부품 생산 규모 집 회, 
어 리 가공 스에 척과 부식에 범 게 용 어 있다 라고 .”
재 어 있어 식별번 행 명 는 도체 이스 조용 약 에 ( [0002]), 1 IPA
해당 고 상 린스 는 리웨트 에 해당 다고 보 야 다 군다나 가 , , . IPA
도체 조공 에 계 상 사용 다는 것 이 사건 명 우
일 이 에 통상 자에게는 리 진 상식에 해당 다.33) 라 이 사 
건 항 명 구 행 명 에 재 구 과 실질 동 7, 8 1
일 다.
라 이 사 4) 건 항 명 모 통상 자가 행 명 2, 4, 5, 7, 8 1
부 쉽게 명 있 므 그 진보 이 부 다.
다 이 사건 항 명 진보 부 여부 . 6
이 사건 항 명 이 사건 항 명 종속항 상 감 6 4 , ‘
법이 상 약 폴리에틸 폴리 불소 지 폴리 마이, , , , , 
드 지 폴리 폰 지 이루어지는 군 부 택 는 종 이상 , 1
를 이용 여 여과 고 여과 상 약 상 군 부 택 지만 상 , , 
택 종 이상1 는 다른 종 이상 를 이용 여 추가 여과 는 법인 1 ’
것이다.
33) 행 명 명 식별번 등 증 일본 공개특허공보 특개 명 식별번 3 [0338] ; 12 ( 2014-48500 ) [0462], 
등 이 사건 결 면에 재 자료들국내 [0463] ; 28 ( 공개특허공보 명 식별번 국내 2007-0112846 [0134], 
공개특허공보 명 식별번 등 고가 출 답변 면에 재 2015-0126641 [0038]~[0045] ); 2022. 7. 13. 30
자료들국내 공개특허공보 명 식별번 국내 공개특허공보 명 ( 2010-17759 [0592]~[0596]; 2011-106909
등 등 부[0069], [0076] ); , 도체 조 공 에 가 계 용 단독 는 다른 용 합 여 IPA
계 상 사용 는 것 이 사건 명 우 일 이 에 통상 자에게는 리 진 상식에 해
당 다고 보 야 다.
- 76 -
그런데 행 명 에는 등 상 등 불소 지를 포함 는 를 이용 1 ( ) 
여 를 여과 는 구 이 재 어 있고 식별번 참조 여과 후 과열 IPA ‘ ’ ( [0027] ), ‘ ’
증 를 냉각 여 랙 집 고 추가 랙 미 구 이 있는 막 (fraction) , 
통해 차 여과 는 구 도 재 어 있다 식별번 청구항 항 등 참조‘2 ’ ( [0028], 1 ). 
행 명 과 동일 분야에 해당 는 행 명 에는 를 폴, 1 2 IPA 리에틸 
여과 여 고 도 는 구 이 재 어 있다 식별번 참조( [0031] ).
라 이 부 통상 자라면 행 명 1 불소 지를 포함 는 여
과에 이어 차 여과 는 구 행 명 폴리에틸 를 사용 는 데 , ‘2 ’ 2
특별 어 움이 있다고 보 어 고 그에 른 효과도 통상 자가 행, 
명 결합 부 쉽1, 2 게 있는 도에 해당 다고 이 타당 다.
그러므 이 사건 항 6 명 통상 자가 행 명 결합에 1, 2
여 쉽게 명 있 므 그 진보 이 부 다, .
라 이 사건 항 명 진보 부 여부 . 3
이 사건 항 명 이 사건 항 명 는 이 사건 항 명 3 1 2
종속항 상 감 법 , ‘ 이용 여 상 약 상 철 원자를 포함 는 , , 
입자 탈 농도 상 구리 원, 자를 포함 는 입자 탈 농도 상 연 원, 
자를 포함 는 입자 탈 농도 합 이, 100ppt 는 것인데 래 같 ’ , 
사항들 종합 고 해 볼 이 사건 항 명 통상 자가 , 3 행
명 부 는 행 명 과 결합 부1 1 2 34) 쉽게 도출 있다고 보 어 
우므 그 진보 이 부 지 , 니 다.
34) 이 사건 결 에 는 이 사건 항 내지 항 항 명 행 명 는 행 명 과 결합에 해 진보 2 8 , 18 1 1 2
이 부 다고 재 어 있다갑 증 면 참조( 3 32 ). 
- 77 -
이 사건 1) 명 명 에는 다 과 같 재들이 있다.
본 발명의 전자 재료 제조용 약액의 제조 방법에 있어서는 상기 저감화 방법을 이용하여- , , 
법에 의하여 측정되는 약액 중의 철 원자를 포함하는 입자성 메탈Single Particle ICP-MASS , 
의 농도 구리 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도 및 아연 원자를 포함하는 입자성 메탈, , 
의 농도의 합을 이하로 하는 것이 바람직하고 이하로 하는 것이 보다 바람직, 100ppt , 50ppt 
하며 이하로 하는 것이 더 바람직하다 이로써 초미세 패턴 예를 들면 노드 , 10ppt . , ( , 10nm 
이하 의 형성에 있어서도 고품질의 전자 재료 제조용 약액을 제조할 수 있다 식별번호 ) (
[0128]).
표 식별번호 - [ 1] ( [0725]-[0726])
- 표 로부터 실시예에 있어서는 철 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도 구리 원자를 포1 , , , 
함하는 입자성 메탈의 농도 및 아연 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도의 합이 낮아 구체, (
적으로는 이하이며 비교예와 비교하여 결함수 평가에 관하여 우수한 결과가 얻어, 100ppt ), , , 
졌다 식별번호 ( [0727]).
표 식별번호 - [ 2] ( [0738]-[0739])
- 78 -
재들에 면 약 철 원자를 포함 는 입자 탈 농도 구리 , , 
원자를 포함 는 입자 탈 농도 연 원자를 포함 는 입자 탈 농도 , 
표 식별번호 - [ 3] ( [0750]-[0751])
- 표 및 으로부터 실시예에 있어서는 철 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도 구리 원2 3 , , , 
자를 포함하는 입자성 메탈의 농도 및 아연 원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도의 합이 낮, 
아 구체적으로는 이하이며 비교예와 비교하여 결함수 평가에 관하여 우수한 결과( , 100ppt ), , , 
가 얻어졌다 식별번호 ( [0752]).
- 79 -
합 값 이 는 것이 람직함 있다( Mp ) , 100ppt . Σ
실시 들 살펴보면 칼리 , , 상 약 사용 는 실시 내 7 
지 는 철 구리 연 포함 는 입자 탈 농도 합 값 이 이14 , ( Mp ) 98ppt , Σ
모 결함 개 웨이퍼 가 개 웨이퍼 이 가 다 이에 여 실시들과 동일 ( / ) 97 / . 
칼리 상 약 사용 는 는4 5 철 구리 연 포함 는 입 , 
자 탈 농도 합 값 이 이상 모( Mp ) 103ppt , Σ 결함 개 웨이퍼 가 개 웨( / ) 238 /
이퍼 이상이 다 라 철 구리 연 포함 는 입자 탈 농도 합. , ( MpΣ
값 이 가 는 경우에는 우 결) 100ppt 함 억 효과를 갖는다고 보 어 다.
그리고 계 상 약 사용 는 실시 내지 실시 내 1 6 15 
지 철 구리 연 포함 는 입자 탈 농도 합 값 이 각각 17 , ( Mp ) 5.6ppt Σ
이 이 모 결함 개 웨이퍼 가 각각 개 웨이퍼 이 개 웨이45ppt , ( / ) 23 / 26 /
퍼 이 가 다 그러나 실시들과 동일 계 상 약 사용 는 . 
내지 내지 철 구리 연 포함 는 입자 탈 농도 1 3 6 8 , 
합 값 이 각각 이상 이상( Mp ) 101.8ppt 115ppt Σ 모 결함 개 웨이퍼 가 , ( / ) 159
개 웨이퍼 이상 개 웨이퍼 이상이 다 라 / 243 / . 철 구리 연 포함 는 입, 
자 탈 농도 합 값 이 가 는 경우에는 우 결함 억 효과를 갖( Mp ) 100pptΣ
는다고 보 어 다 .
종합 면 , 이 사건 항 명 철 구리 연 포함 는 입자 탈 3 , 
농도 합 이 감시킴 써 우 결함 억 효과를 갖는다고 이 100ppt 
타당 다.35)
35) 이 사건 명 실시 내지 는 감 법 증 를 포함 고 있지는 지만 결과 철 구리 6, 7 14 ‘ ’ , , 
연 포함 는 입자 탈 농도 합이 이 가 므 실시 들도 포함시 검토 다100ppt , .
- 80 -
2) 편 행 명 , 1 고 도 자 도 분 결과에 나타나 있는 IPA
속 이 농도는 입자 탈 농도 이 탈 농도가 모 포함 것인데,36) 
다 과 같 이 부 행 명 속 이 농도는 입자 탈 농도가 이1
탈 농도에 해 크다고 보는 것이 합리 이므 행 명 철 구리 , 1 , 
연 입자 탈 농도 합 이 가 다고 보 어 다100ppt .
가 래 갑 ) 6, 15, 1 증 각 재에 르면 이 이 분 6 , 1000ppm 
농도가 낮 이소 과 같 용 에 는 철이나 루미늄이 , 
이드 입자 쉬운 경향이 있는 것임 있다 이 부 통상 자라면 ( ) . 
행 명 에 재 실시 실시 분 함 량 이 각각 1 1 2 IPA 50ppm (
이므 참조 고 도 자 에 포함 철 이 부39ppm 43ppm) ([ 2] ), IPA
분이 이드상 입자 임 쉽게 추 있다( ) .
36) 이 에 해 는 당사자 간에 다 이 없다 .
갑 제 호증 선행발명 < 6 ( 2)>
- 알코올 중의 수분 농도가 예를 들면 이하로 저농도이면 철이나 알루미늄 등의 금1000 ppm 
속 성분의 일부는 이온화하지 않고 콜로이드 등의 입자로서 알코올 중에 존재한다고 생각된다. 
따라서 이온교환작용에 의해 알코올에서 이온성 불순물을 제거하는 이온 교환 수지 혹은 이온 
흡착막에서는 이들의 금속 성분을 제거할 수 없게 된다 본 발명자들은 이온 교환 수지 혹은 . 
이온 흡착막 후단에 구멍 지름이 이하이거나 또는 그에 상당하는 분획 분자량을 가지는 20nm 
필터를 설치함으로써 이온화하고 있지 않는 금속을 제거할 수 있는 것을 새로 발견해 본 발명, , 
을 완성시켰다 식별번호 ( [0013]).
갑 제 호증 일본 공개특허공보 특개 호 공개< 15 ( 2013-23439 , 2013. 2. 4. )>
- 본 발명자들은 알코올 용액 중에 불순물로서 철 알루미늄 이 존재할 경우 수분 농도가 (Fe), (Al) , 
낮은 조건 예를 들면 수분 농도가 이하 에서는 이들 철이나 알루미늄의 불순물 성분( 1000 ppm )
- 81 -
나 ) 구리는 루미늄이나 철보다 도가 크고 연 루미늄보다 
도가 크다는 것37) 통상 자에게 자명 상식에 해당 고, 
도가 크다는 것 이 어 다는 미이므 구리 연도 이드 입, (
자 쉬운 것임 ) 있다.
다 그에 라 ) 행 명 에 재 분량 이 에 함 철 이1 50ppm IPA
구리 이 연 이 입자상 다량 존재 다고 볼 있고 행 명 , , 1
는 IPA 입자상 탈 농도가 높 것임 통상 자라면 쉽게 추 있다고 보
야 다.
라 라 행 ) 명 에 함 철 이 구리 이 연 이 농도1 IPA , 
합 를 과 는 것이라고 이 합리 이다100ppt .38)
37) 구리 도 철 도 연 도 루미늄 도 키 과 (1.90) > (1.83) > (1.65) > (1.61) ( ‘
도 폴링 척도에 도 주 참조’ ).
38) 철이 농도 구리이 농도 연이 농도 인데 입자상 탈 농도가 이 (90ppt) + (70ppt) + (50ppt) = 210ppt , 
탈 농도보다 많다는 것 철 구리 연 입자상 탈 농도 합 소 이상이 다는 미가 다105ppt(=210ppt/2) .․ ․
이 콜로이드화하기 쉬운 경향이 있고 이온 흡착막에서는 제거가 어렵지만 한편 구멍 지름이 , , , 
이하의 정밀 여과막을 이용하면 이들 불순물 성분 제거가 가능한 것을 발견했다 식별번20nm (
호 [0031]).
갑 제 호증 일본 공개특허공보 특개 호 공개< 16 ( 2014-55120 , 2014. 3. 27. )>
- 본 발명자들은 알코올 용액 중에 불순물로서 철 알루미늄 이 존재할 경우 수분 농도가 (Fe), (Al) , 
낮은 조건 예를 들면 수분 농도가 이하 에서는 이들 철이나 알루미늄의 불순물 성분( 1000 ppm )
이 콜로이드화하기 쉬운 경향이 있고 이온 흡착막에서는 제거가 어렵지만 한편 구멍 지름이 , , , 
이하의 정밀 여과막을 이용하면 이들 불순물 성분 제거가 가능한 것을 발견했다 그래서 20nm . 
본 실시 형태에서는 제 증류 수단 후단에 정밀 여과막 을 설치하고1 (34) (37) , 철이나 알루미늄 
등을 성분으로 하는 콜로이드형 불순물을 확실하게 제거할 수 있도록 하고 있다 식별번호 (
[0034]).
- 82 -
3) 행 명 과 동일 분야에 해당 는 행 명 에는 용 에 함1 2 IPA 
철 이 농도 루미늄 이 농도에 해 만 재 어 있 뿐 철 이, , 
구리 이 연 이 농도 합에 여는 시사나 시 고 있지 니 므 , 
통상 자가 행 명 과 를 결합 다고 지라도 이 사건 항 명이 1 2 3
철 구리 연 입자 탈 농도 합이 이 인 구 도출 없다, 100ppt 
고 보 야 다 .
라 4) 이 사건 항 명 통상 자가 행 명 는 행 명 3 1 
결합에 여 쉽게 명 있는 것이라 볼 없다1, 2 .
이 여 고는 증 각 재 부 자재료용 약 5) , 17, 18 1, 2
에 있어 철 구리 연 불 농도 합 이 는 것 이 사건 · · 100ppt 
명 출원 에 리 진 에 해당 다고 주장 다.39)
그러나 자료들 부 자재료용 염산이나 용 과산 소 에 있어 
속 불 철 구리 연 불 농도 합 이 인 것임 있 · · 100ppt 
라도,40) 자료들만 는 이 사건 명 우 일 당시 자재료용 약 에 
있어 철 구리 연 불 농도를 이 는 것이 이 사건 명이 · · 100ppt 
속 는 분야에 주지 용 사용 고 있었다고 보 어 다.41)
39) 고 면 면 등 참조 2022. 11. 20. 2~4 .
40) 증 입 강좌 미량 분 용 시약 에는 자재료용 염산에 있어 속 불 철17 1, 2(‘ : ’, 2004 ) 5
이 연이 구리가 미만인 것 나타나 있는데 면 등 참조 농도들 입자 탈 농110±20ppt, 5±3ppt, 5ppt ( 374 ), 
도 이 탈 농도 합이라는 고 해 보면 이 부 철 구리 연 입자 탈 농도 합 이100ppt ․ ․
가 있 통상 자라면 쉽게 있다고 보 야 다 증 이 지 자재료 . , 18 1, 2(‘
용 에도 출시 매 는 과산 소 용 이 지인 라이트’, 2014 ) 4 ( ) ‘ TM 를 채용 여 과산 DS-10’
소에 탈 불 거를 통해 출 는 용 이 철 구리 연 모 미만 나타나 있어, 20ppt (<0.02ppb) ( 30
면 등 참조 이 부 마찬가지 철 구리 연 입자 탈 농도 합 이 가 는 것임 통상 자), 100ppt ․ ․
라면 쉽게 있다고 보 야 다.
41) 증 에 재 18 1, 2 라이트‘ TM 가 출시 매 고 있는 것이라 지라도 건이 DS-10’ ( ) , 매 고 있다는 
이 만 이 사건 명이 속 는 분야에 주지 용 에 해당 다고 보 어 운 것이고 자료들에 행 명 , 
를 포함 여 살펴보 도 마찬가지 주지 용 에 해당 다고 보 어 다4 .
- 83 -
라 자료들 사용 여 이 사건 항 명 진보 부 는 경 3
우에 자료들 새 운 행 명에 해당 여 특허심 원 취소신청 단계에 견, 
출 회를 부여 없는 새 운 취소이 에 해당 므 ,42) 이를 이 사건 결 취소 
소송 차에 이 사건 결 당부를 단 는 근거 는 삼 없다 고 이 부. 
분 주장 들이 어 다.
고 6) 43)는 철 구리 연 이 탈 농도 합 과 철 구리( Mi) , ․ ․ Σ ․ ․
연 입자 탈 농도 합 이 이라는 행 명 ( Mp) 10:1 1Σ
는 추 고 이 도만 라도 IPA Mp 21ppt , Mi Mp 1:1 Σ Σ Σ
행 명 는 가 므 차 등 감 여도 행 명 1 IPA Mp 105ppt 1Σ
부 철 구리 연 입자 탈 농도 합이 이 는 것 통상 100ppt ․ ․
자가 쉽게 도출 있는 것이라는 취지 주장 다.
그러나 이 사건 명 명 에 재 실시 들 살펴보 , ㉮ 
면 실시 경우 철 구리 연 이 탈 농도 합 과 철 구리, 1 ( Mi) , ․ ․ Σ ․ ․
연 입자 탈 농도 합 약 이고( Mp) 38:1 ,Σ 44) 실시 경우에도 2 Σ
가 약 이며Mi: Mp 30:1 ,Σ 45) 마찬가지 이들 실시 내 3, 6, 7, 8, 12, 13, 15 
지 에 는 각각 약 약 약 약 약 약 약 17 16:1, 65.6:1, 6.7:1, 7.8:1, 12:1, 19.1:1, 
약 이고12.9:1, 17.6:1, 12.2:1 ,46) 를 보 라도 내지 경우에도 각각 1 8
42) 특허법 조 항 심 장 특허취소결 는 에는 특허권자 참가인에게 특허 취소이 를 통지132 13 2 “
고 간 여 견 를 출 회를 주어야 다 고 규 고 있다 같 차 권리를 보장 는 특허법 규.” . 
강행규 이므 결 취소소송 단계에 취소신청 심리단계에 견 출 회를 부여 없는 새 운 이 를 들어
취소결 지 는 이 삼 없다.
43) 이 사건 결 에 도 “이 사건 특허 명 명 에 입자 탈 감 처리를 실시 에 Mi : MpΣ Σ
값 실시 내지 범 값 갖고 38.4 : 1.01( 1) 290.2 : 114.2( 3) 부분 실시 들 약 값 나타내는10 : 1
이 사건 특허 명과 같이 막여과 상 명 도 값이 도 값 갖는다, 2 1 Mi : Mp 10 : 1 Σ Σ
고 볼 있 므 생략 같이 재 어 있다 갑 증 면 등 참조( ) ” ( 3 30~31 ).… …
44) 이고 이다 참조 Mi = 38.4ppt , Mp = 1.011ppt ( 1 ).Σ Σ
45) 이고 이다 참조Mi = 32.8ppt , Mp = 1.080ppt ( 1 ).Σ Σ
- 84 -
약 약 약 약 약 약 약 약 이므7.2:1, 4.7:1, 2.5:1, 5.4:1, 1.4:1, 4.8:1, 3.9:1, 5:1 ,47) 
증 나 여과 처리를 지 를 포함 여 들 모 외( 5
다고 지라도 철 구리 연 이 탈 농도 합 과 철 구리 연), ( Mi) , ․ ․ Σ ․ ․
입자 탈 농도 합 이 이 다고 단 어( Mp) ( Mi: Mp) 10:1Σ Σ Σ
다는 군다나 철 구리 연 이 탈 농도 합 과 철 구리, ( Mi) , ㉯ ․ ․ Σ ․ ․
연 입자 탈 농도 합 이 이라는 것이 이 사건 명 ( Mp) 10:1Σ
우 일 에 통상 자에게 자명 다고 인 만 근거를 찾 볼 없고, 
에 살펴본 같이 이 사건 명이 속 는 분야에 있어 주지 용 에 
해당 다고 보 도 어 우며 이를 뒷 침 만 자료 출도 없었다는 , , ㉰ 
살 것처럼 행 명 에 나타나 있는 속 이 농도는 입자 탈 농도가 이1
탈 농도에 해 크다고 보는 것이 합리 이어 행 명 철 구리 연, 1 , 
입자 탈 농도 합 이 가 다고 보 어 다는 등에 추어 100ppt 
볼 통상 자가 행 명 부 철 구리 연 입자 탈 농도 , 1 , 
합이 이 인 구 도출 없다고 이 타당 다 고 주장도 100ppt . 
들일 없다.
마 이 사건 항 명 진보 부 여부 . 9
구 요소별 계1) 
46) 실시 내지 에 3, 6, 7, 8, 12, 13, 15 17 값과 값 각각 Mi Mp 39.3ppt , 2.470ppt; 367.5ppt , 5.600ppt; 559pptΣ Σ
이다, 84ppt; 566ppt , 73ppt; 531ppt , 43ppt; 515ppt , 27ppt; 517ppt , 40ppt; 511ppt , 29ppt; 549ppt , 45ppt ( 1 
내지 참조3 ).
47) 내지 에 1 8 값과 값 각각 Mi Mp 733.0ppt , 101.8ppt; 1025.0ppt , 219ppt; 290.2ppt , 114.2ppt; 560pptΣ Σ
이다 내지 참조, 103ppt; 573ppt , 398ppt; 551ppt , 115ppt; 478ppt , 123ppt; 579ppt , 117ppt ( 1 3 ).
구성
요소
이 사건 제 항 정정발명9 선행발명 갑 제 호증3( 7 )
9-1 용제를 함유하는 감활성광선성 또(1) 가 감활성광선 또는 감방사선성 수지 조성( ) 
- 85 -
공통 차이2) 
이 사건 항 명 구 9 요소 내지 과 행 명 구 요소9-1 9-3 3
는 모 용 를 함 는 감 는 감 사 지 조 에 여 감, (1) 
는 감 사 막 는 공 감 는 감 사 지 조[
에 해 상에 감 는 감 사 지 조 막 는 공 
]48) 상 감 는 감 사 막 노 는 공 상 막에 , (2) [
는 감방사선성 수지 조성물에 의하여 
감활성광선성 또는 감방사선성막을 형
성하는 공정,
상기 감활성광선성 또는 감방사선(2) 
성막을 노광하는 공정 및, 
노광한 상기 감활성광선성 또는 감(4) 
방사선성막을 현상액을 이용하여 현, 
상하는 공정을 갖는 패턴 형성 방법으
로서,
물에 의해 기판상에 감활성광선 또는 감방사
선성 수지 조성물막을 형성하는 공정,
나 상기 막에 활성 광선 또는 방사선을 조( ) 
사하는 공정 및,
다 상기 활성 광선 또는 방사선이 조사된 ( ) 
막을 현상액을 이용하여 현상하는 공정을 적, 
어도 갖는 패턴 형성 방법 청구항 제 항 등 ( 9
참조).
9-2
공정 의 상기 현상액이 청구항 에 (4) , 8
기재된 전자 재료 제조용 약액의 제조 
방법에 의하여 얻어진 전자 재료 제조
용 약액이며, 
상기 현상액은 유기계 현상액 또는 알
칼리 현상액이며 상기 유기계 현상액, 
은 에서의 증기압이 이하이20 3kPa ℃
고,
유기계 현상액 알칼리 현상액 등의 현상액을 , 
사용하고 유기계 현상액은 에서의 증기, 20℃
압이 이하임 식별번호 3kPa ( [0334], [0336], 
등 참조[0338], [0341] ).
9-3
수득된 패턴이 이하의 선폭을 10 nm 
갖는 패턴인,
선폭 의 라인 스페이스의 레지스트 50nm 1:1 &
패턴 식별번호 등 참조( [0383], [0389] ).
패턴 형성 방법. 패턴 형성 방법.
- 86 -
는 사 조사 는 공 노 상 감 는 감 사 막], (4) , 
상 이용 여 상 는 공 상 는 사 이 조사 막 상[ , 
이용 여 상 는 공 갖는 법 법 상 ] [ ] , 
계 상 는 칼리 상 계 상 칼리 상 등 상 이며[ , ] , 
상 계 상 에 증 이 이 계 상 에 20 3kPa [ 20℃ ℃
증 이 이 이고 득 3kPa ] , 이 일 이 이 폭 갖는 인 , 
법 법 이라는 에 동일 다[ ] .
다만 이 사건 항 명 상 이 이 사건 항 명에 재 자 9 8
재료 조용 약 조 법에 여 얻어진 자 재료 조용 약 인 면에, 
행 명 에는 이에 구체 인 재가 없다는 에 차이가 있고 이 3 ( ‘차이 3’
이라 다 이 사건 항 명 득 이 이 폭 갖는 것이), 9 10nm 
나 행 명 득 이 이 폭 갖는다는 에 차이가 있다 이, 3 50nm (
‘차이 4 라 다’ ).
차이 들에 검토3) 
가 차이) 3
차이 과 이 사건 항 명 상 이 이 사건 항 명 3 9 8
에 재 조 법에 여 얻어진 약 인데 이는 살 같이 행 명 , 
1 I 에 구 부 통상 자가 쉽게 도출 있는 도에 해당 다PA .
라 차이 과 이 사건 항 명 구 통상 자가 3 9
행 명 결합에 해 쉽게 도출 있고 그에 른 효과도 통상 자가 1, 3 , 
48) 이 에 재 부분 이 사건 항 명 구 요소에 는 행 명 구 요소이다 9 3 . 
- 87 -
행 명 결합 부 쉽게 있는 도에 해당 다1, 3 .
나 차이 ) 4
래 이 부 차이 이 사건 항 명 구 통상 4 9
자가 행 명 에 해 쉽게 도출 있고 그에 른 효과도 통상 자1, 3 , 
가 행 명 결합 부 쉽게 있는 도에 해당 다1, 3 .
차이 이 사건 항 명 구 라인폭 이 (1) 4 9 10nm 
이 가능 것 이는 살 이 사건 항 명 조 법에 , 8
해 조 상 사용함에 른 것임 있다. 
이 여 이 사건 명 실시 들 살펴보면 실시 (2) , A, B, D, E, 
약 인 경우 라인폭 이 이 부분 가능 것F, G H 10nm ( ) 
재 어 있다 참조([ 4] ). 
그런데 실시 는 이 사건 항 명 조 법에 른 (3) A, D, E G 8
상 과 함께 이 사건 명 조 법에 른 리웨트 린스 어도 
나 이상 조합함에 라 라인폭 이 부분 가능 것이고10nm ( ) , 
실시 는 이 사건 항 명 조 법에 른 상 에 미 리웨트B 8
사용함에 라 라인폭 이 가능 것이 나 계 상 인 10nm , 
트산 뷰틸만 사용 경우에 해당 며 실시 는 이 사건 항 명, F H 8
조 법에 른 상 사용 지 니 경우에 해당 다 식별번 내지 ( [0773] 
참조[0778], [ 4] ). 
즉 실시 들 이 사건 항 명 조 법에 른 상 만 (4) , 8
사용 여 라인폭 이 가능 것임 보여 실시 는 실시 만 해10nm B
- 88 -
당 뿐만 니라 실시 도 계 상 인 트산 뷰틸만 사용 경우에 해, B
당 여 이 사건 항 명 조 법에 른 상 에 포함 는 칼리 상8
사용 경우나 트산뷰틸 이외 계 상 사용 경우에도 라인폭 
이 이 는지에 해 는 나타나 있지 니 다10nm .
라 이 사건 항 명 조 법에 라 조 상 만 사용 (5) 8
함 써 라인폭 이 이 드시 가능 것이라고 단 어 다10nm 
고 이 타당 다.
결국 이 사건 항 명 조 법에 라 조 트산 뷰틸인 (6) 8
상 어 있지 니 차이 이 사건 항 명 구 4 9
통상 자가 행 명 결합에 여 쉽게 도출 있고 그에 른 효과1, 3 , 
도 통상 자가 행 명 결합 부 1, 3 쉽게 있는 도에 해당
다고 이 타당 다.
검토 결과 리4) 
에 검토 결과를 종합 면, 이 사건 항 명 통상 자가 행9
명 결합에 여 쉽게 명1, 3 있는 것이므 그 진보 이 부 다, .
이 사건 항 명 진보 부 여부 . 10
구 요소별 계1) 
구성
요소
이 사건 제 항 정정발명10 선행발명 갑 제 호증3( 7 )
10-1
용제를 함유하는 감활성광선성 또(1) 
는 감방사선성 수지 조성물에 의하여 
감활성광선성 또는 감방사선성막을 형
성하는 공정,
가 감활성광선 또는 감방사선성 수지 조성( ) 
물에 의해 기판상에 감활성광선 또는 감방사
선성 수지 조성물막을 형성하는 공정,
나 상기 막에 활성 광선 또는 방사선을 조( ) 
- 89 -
구체 인 2) 단
이 사건 항 명 구 요소 이 사건 항 명 구 요소 10 10-1 9
상기 감활성광선성 또는 감방사선(2) 
성막을 노광하는 공정,
노광한 상기 감활성광선성 또는 감(4) 
방사선성막을 현상액을 이용하여 현, 
상하는 공정 및, ,
현상된 상기 감활성광선성 또는 감(5) 
방사선성막을 린스액을 이용하여 세, 
정하는 공정을 갖는 패턴 형성 방법으
로서,
사하는 공정 및,
다 상기 활성 광선 또는 방사선이 조사된 ( ) 
막을 현상액을 이용하여 현상하는 공정을 적, 
어도 갖는 패턴 형성 방법 청구항 제 항 등 ( 9
참조).
유기 용제를 포함한 현상액을 이용하여 현상
하는 공정 후에는 린스액을 이용하여 세척하
는 공정을 포함하는 것이 바람직하다 식별번(
호 [0349]).
10-2
공정 의 상기 현상액이 청구항 에 (4) , 8
기재된 전자 재료 제조용 약액의 제조 
방법에 의하여 얻어진 전자 재료 제조
용 약액이며, 
상기 현상액은 유기계 현상액 또는 알
칼리 현상액이며 상기 유기계 현상액, 
은 아세트산 뷰틸 프로필렌글라이콜, 
모노메틸에터아세테이트 사이클로헥, 
산온 및 뷰티로락톤으로 이루어진 -γ
군으로부터 선택된 적어도 종을 포함1
하고 상기 알칼리 현상액은 테트라메, 
틸암모늄하이드록사이드를 포함하며,
유기계 현상액 알칼리 현상액 등의 현상액을 , 
사용하고 유기계 현상액은 에서의 증기, 20℃
압이 이하임 식별번호 3kPa ( [0334], [0336], 
등 참조[0338], [0341] ).
10-3
수득된 패턴이 이하의 선폭을 10nm 
갖는 패턴인,
선폭 의 라인 스페이스의 레지스트 50nm 1:1 &
패턴 식별번호 등 참조( [0383], [0389] ).
패턴 형성 방법. 패턴 형성 방법.
- 90 -
에 9-1 ‘ 상 상 감 는 감 사 막 린스 이용 여 는 , 
공 포함 고 있는데 구 요소 행 명 에 동일 구 이 재 어 ’ , 9-1 3
있고 공 에 구 행 명 에 재 용 를 포함 상 , 3
이용 여 상 는 공 후에는 린스 이용 여 척 는 공 포함 는 구 과 
동일 므 이 사건 , 항 명 구 요소 행 명 에 재 구10 10-1 3
들과 실질 동일 다.
이 사건 항 명 구 요소 이 사건 항 명 구 , 10 10-3 9
요소 과 동일 여 살 같이 통상 자가 행 명 결합9-3 , 1, 3
에 해 쉽게 도출 있 므 이 에 는 이 사건 항 명 구 요소 , 10
에 여 살 다10-2 .
이 사건 항 명 구 요소 는 상 이 이 사건 항 명에 10 10-2 8
재 자 재료 조용 약 조 법에 여 조 약 이고 상 상 , 
트산 뷰틸 라이 모노 틸에 이트 이 라 다 사이, ( ‘PGMEA’ ), 
클 헥산 뷰티 락톤 이루어진 군 부 택 어도 종 포함 는 - 1γ
계 상 는 트라 틸 모늄 이드 사이드 이 라 다 를 포함 는 ( ‘TMAH’ )
칼리 상 이다.
상 이 이 사건 항 명에 재 자 재료 조용 약 조 8
법에 여 조 약 인 에 해 보면 이는 살 같이 행 명 , 1
에 구 부 통상 자가 쉽게 도출 있는 도에 해당 다IPA .
다 상 이 트산 뷰틸 사이클 헥산 뷰티 락톤 , PGMEA, -γ
이루어진 군 부 택 어도 종 포함 는 계 상 이거나 를 포1 TMAH
- 91 -
함 는 칼리 상 인 구 행 명 에 재 칼리 상 시 재 , 3
에 구 식별번 참조 과 계 상 사용 는 사이클 헥TMAH ( [0334] ) , 
사논 등 톤계 용 나 트산 부틸 등 에스 르계 용 에 구, PGMEA 
식별번 참조 과 실질 동일 다( [0336], [0337] ) .
라 이 사건 항 명 통상 자가 행 명 결합에 10 1, 3
여 쉽게 명 있는 것이므 그 진보 이 부 다, .
사 이 사건 항 명 진보 부 여부 . 11
이 사건 항 명 이 사건 항 명에 재 법 포11 9
함 는 도체 이스 조 법이나 행 명 에도 법 포함 는 , 3
자 이스 조 법에 여 재 어 있고 청구항 항 참조 이 사건 ( 11 ), 9
항 명에 재 법 살 같이 통상 자가 행
명 결합에 여 쉽게 명 있는 것이다1, 3 .
라 이 사건 항 명 통상 자가 행 명 결합에 11 1, 3
여 쉽게 명 있는 것이므 그 진보 이 부 다, .
이 사건 항 명 진보 부 여부 . 12
구 요소별 계1) 
구성
요소
이 사건 제 항 정정발명12 선행발명 갑 제 호증1( 5 )
12-1
법에 의하여 Single Particle ICP-MASS
측정되는 철 원자를 포함하는 입자성 , 
메탈의 농도 구리 원자를 포함하는 , 
입자성 메탈의 농도 및 아연 원자를 , 
포함하는 입자성 메탈의 농도의 합이 
플라스마 질량스펙트럼 분석시(ICP-MASS) , 
철 구리 아연의 농도가 각각 , , 0.09ppb, 
인 초고순도 전자급 이소프0.07ppb, 0.05ppb
로판올 용액임 식별번호 ( [0030], [0032], 
등 참조[0038] ).
- 92 -
이하인 전자 재료 제조용 약100ppt 
액으로서,
12-2
상기 전자 재료 제조용 약액은 유기계 
현상액 또는 알칼리 현상액이며,
상기 유기계 현상액은 아세트산 뷰틸, 
프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테
이트 사이클로헥산온 및 뷰티로락톤, -γ
으로 이루어진 군으로부터 선택된 적
어도 종을 포함하고 상기 알칼리 1 , 
현상액은 테트라메틸암모늄하이드록사
이드를 포함하며,
초고순도 전자급 이소프로판올은 마이크로 
전자 화학 시약에서 중요한 품종이며 반도체 , 
부품의 생산 초대규모 집적회로 어셈블리 및 , 
가공 프로세스에서의 세정과 부식에 광범위
하게 응용됨 식별번호 등 참조( [0002] ).
12-3
법에 의하여 Single Particle ICP-MASS
측정되는 철 원자를 포함하는 입자성 , 
메탈의 농도 구리 원자를 포함하는 , 
입자성 메탈의 농도 및 아연 원자를 , 
포함하는 입자성 메탈의 농도의 합을 
로 하고Mp , Single Particle Σ
법과 법에 의하여 ICP-MASS ICP-MASS
측정되는 철 원자를 포함하는 이온성 , 
메탈의 농도 구리 원자를 포함하는 , 
이온성 메탈의 농도 및 아연 원자를 , 
포함하는 이온성 메탈의 농도의 합을 
로 한 경우에 및 가 하기 Mi , Mp MiΣ Σ Σ
식을 충족시키는 전자 재료 제조용 , 
약액:
유기계 현상액의 경우, Mp 5.6 ppt, Σ ≤
Mi 367.5 pptΣ ≤
알칼리 현상액의 경우, Mp 98 ppt, Σ ≤
Mi 959 pptΣ ≤
의 공업급 이소프로판올 에 화99.0wt(%) (IPA)
학 전처리를 실시하여 순도를 향상시킨다 식(
별번호 등 참조[0012], [0032] ).
로 분석한 철 구리 아연의 농도가 각ICP-MS , , 
각 인 초고순도 전0.09ppb, 0.07ppb, 0.05ppb
자급 이소프로판올 용액임 식별번호 ( [0030], 
등 참조[0032], [0038] ).
- 93 -
공통 차이2) 
가) 구 요소 12-1 12-3
이 사건 항 명 구 요소 과 행 명 구 요12 12-1 12-3 1
소는 모 자 재료 조용 약 자 시약, [ ]49) 불 인 철 구리 연 , 
포함 는 탈 철 구리 연 등 포함 는 속 농도가 일 범 를 갖는 [ , , ]
자 재료 조용 약 자 시약 이라는 에 동일 다[ ] .
다만 이 사건 항 12 명 에 여 는 것Single Particle ICP-MASS
인 면에 행 명 에 해 는 것이라는 에 차이가 있고 이, 1 ICP-MASS (
‘차이 5라 다 이 사건 항 명 철 구리 연 입자 탈 ’ ), 12 , 
농도 합 이 이 이며 계 상 경우 ( Mp) 100ppt , Mp 5.6ppt, MiΣ Σ ≤ Σ ≤
이고 칼리 상 경우 어 있는 것이367.5ppt , Mp 98ppt, Mi 959pptΣ ≤ Σ ≤
나 행 명 철 구리 연 농도가 각각 인 에, 1 , , 0.09ppb, 0.07ppb 0.05ppb
차이가 있다 이 ( ‘차이 6 이라 다’ ).
나) 구 요소 12-2
이 사건 항 명 구 요소 는 약 이 트산 뷰틸 등 계 12 12-2
상 는 를 포함 는 칼리 상 것인 면에 행 명 TMAH , 1
약 이 라는 에 차이가 있다 이 IPA ( ‘차이 7 이라 다’ ). 
차이 들에 검토3) 
49) 이 에 재 부분 이 사건 항 명 구 요소에 는 행 명 구 요소이다 12 1 . 
전자 재료 제조용 약액.
초고순도 전자급 화학 시약 이소프로판올 용(
액)
- 94 -
가 차이 ) 5
차이 는 살 차이 과 동일 므 차이 이 사건 5 1 , 5 12
항 명 구 통상 자가 행 명 부 쉽게 극복 있는 도에 1
해당 고 그에 른 이 사건 항 명 효과도 통상 자가 행 명 , 12 1
부 있는 도에 해당 다.
나 차이 ) 6
차이 에 이 사건 항 명 철 구리 연 입자 탈 농6 12 , 
도 합이 이 인 구 살 이 사건 항 명에 철 구리 100ppt 3 , 
연 입자 탈 농도 합이 이 인 구 과 실질 동일 다 100ppt . 
이 사건 항 명에 계 상 경우 이12 Mp 5.6ppt, Mi 367.5pptΣ ≤ Σ ≤
고 칼리 상 경우 인 구 철 구리 연 , Mp 98ppt, Mi 959ppt , Σ ≤ Σ ≤
입자 탈 농도 합이 이 인 구 보다 구체 구100ppt , 
계 상 경우에는 철 구리 연 입자 탈 농도 합 이 , (Mp) 5.6ppt 
이 이고 이 탈 농도 합 이 이 이며 칼리 상 경우, ( Mi) 367.5ppt , Σ
에는 철 구리 연 입자 탈 농도 합 이 이 이고 이 탈, (Mp) 98ppt 
농도 합 이 이 이다( Mi) 959ppt .Σ
라 살 같이 이 사건 항 명에 철 구리 연 입3 , 
자 탈 농도 합이 이 인 구 이 100ppt 통상 자가 행 명 부 쉽1
게 극복 있다고 보 어 우므 차이 과 이 사건 항 명 , 6 12
구 마찬가지 통상 자가 행 명 부 는 쉽게 극복 있다고 보 1
어 다.50)
- 95 -
다 차이) 7
래 이 부 차이 과 이 사건 항 명 구 , 7 12 통상
자가 행 명 부 쉽게 극복 있다고 보 야 다1 .
(1) 이 사건 명 명 에는 트산 뷰틸 사이클 헥산 , PGMEA, 
뷰티 락톤이 리웨트 톱 트 용 지스트 조 용 린스 등 - , , , γ
람직 게 사용 있다고 재 어 있고 식별번 등 ( [0200], [0208], [0612], [0687] 
참조 실시 는 계 분들이나 칼리 상 상 여 웨이), 
퍼 면 상에 토출시킨 후 린스 후 건조 고 이 를 계 여 결함 를 평
가 고 있 며 내지 등 참조 트산 뷰틸 계 상 ([ 1] [ 3] ), 
사용 여 라인폭 이 가능 것인지를 평가 고 있다 참조10nm ([ 4] ). 
그러나 계 상 사이클 헥산 뷰티 락톤 사용 경우에 PGMEA, -γ
구체 인 재나 실시 가 없어 이들 사용 여 라인폭 10nm
이 득 있는 것인지를 없 뿐만 니라 를 칼리 상 사TMAH
용 여 라인폭 이 가능 것인지에 구체 인 재나 실시 가 10nm
없 므 계 상 사이클 헥산 뷰티 락톤 사용 거나 , PGMEA, -γ
칼리 상 를 사용 면 드시 라인폭 이 득 TMAH 10nm
있는 것이라고 단 어 다고 이 타당 다.
라 이 사건 (2) 항 명이 계 상 사이클 헥산12 PGMEA, 
50) 다만 래 차 이 사건 항 명 진보 부 여부 항목에 살펴보는 같이 이러 구 통상 자가 ‘ . 14 ’ 
행 명 부 쉽게 도출 있다고 보인다 그러나 특허취소신청 4 . 심리 단계에 미리 취소이 를 통지 사 라고 
라도 그 사 를 특허취소결 에 취소이 삼지 다면 이 같 사 는 특허취소결 에 취소소송 차에
는 취소결 이 다른 취소이 에 해당 므 취소결 당 는 사 삼 없다‘ ’ , . 이 사건 특허취소결 에
이 사건 항 명 12 취소이 행 명 에 해 진보 이 부 다는 것만 들고 있 므 이 사건 취소소‘ 1 ’ , 
송 차에 는 이 사건 취소결 당 는 사 행 명 에 행 명 를 결합 면 진보 이 부 다는 사 를 주‘ 1 4 ’
장 없다고 것이다.
- 96 -
뷰티 락톤 거나 칼리 상 함 써 통상 - TMAHγ
자가 없는 효과를 갖는다고 보 어 다.
트산 뷰 (3) 틸 계 상 사용 여 라인폭 10nm
이 가능 것이고 계 상 인 사이클 헥산 뷰티 락톤이나 PGMEA, -γ
칼리 상 인 가 트산 뷰틸과 균등 에 해당 여 라인폭 TMAH 10nm
이 가능 다고 지라도 이 사건 명 명 에 도 계 상 , 
를 포함 고 있다고 볼 있고IPA 51) 살 것처럼 이소 이 계 , 
용 계 상 쓰이는 것 주지 용 에 해당 므 이 사건 , 
항 명 계 상 트산 뷰틸 등 신에 이소12 , PGMEA 
단 게 용 있는 도에 해당 다고 보 야 다 이소 등 · [
다른 계 상 이나 이외 칼리 상 외 고 계 상 인 TMAH 
사이클 헥산 뷰티 락톤과 칼리 상 인 만 트산 뷰PGMEA, - TMAH‘ ’ γ
틸처럼 라인폭 이 가능 다고 볼 만 사 이 없다10nm ]. 
라 (4) 이 사건 항 명이 등 계 상 이나 12 PGMEA TMAH
인 칼리 상 구 통상 자가 행 명 이소 1
계 상 사용 는 데 특별 어 움이 있다고 볼 없고 그에 , 
른 효과도 통상 자가 행 명 부 있는 도에 해당 다고 이 1
타당 다.
51) 이 사건 명 명 에는 “ 용 를 포함 는 상 이( , 계 상 이라고도 함 는 톤계 용 에스) , , 
계 용 계 용 마이드계 용 에 계 용 등 극 용 탄 소계 용 를 이용 있다 구체, , , . 
는 를 들면 , 일본 공개특허공보 단락 2014-048500 <0461>~<0463>에 재 것 외에 이드 시 이소뷰티르산 , 2-
틸 뷰티르산 뷰틸 이소뷰티르산 이소뷰틸 산 뷰틸 뷰탄산 뷰틸 트산 이소 들 있다 라고 , , , , .”
재 어 있고식별번 ( [0666]), 일본 공개특허공보 단락 2014-048500 <0462>에는 계 용 이소 등 
이 있다고 재 어 있어 이 사건 명에 계 상 소 이소 포함 고 있는 것, ( , IPA)
이라 볼 있다.
- 97 -
검토 결과 리4) 
에 검토 결과를 종합 면, 이 사건 항 명 통상 자가 12
행 명 에 해 는 쉽게 명 있다고 보1 어 우므 그 진보 이 부 지 , 
는다.
자 이 사건 항 명 진보 부 여부 . 13
살 같이 이 사건 항 , 12 명이 행 명 에 해 는 진보 이 1
부 지 는 이상 이 사건 항 명 종속항인 이 사건 항 명도 , 12 13
마찬가지 이 행 명 에 해 는 그 진보1 이 부 지 는다.52)
차 이 사건 항 명 진보 부 여부 . 14
구 요소별 계1) 
52) 이 사건 항 명 경우에도 해당 쟁 구 통상 자가 행 명 부 쉽게 도출 있다고 보이나 13 4 , 
이 사건 항 명 진보 부 여부에 본 같이 이 사건 취소소송 차에 는 이 사건 취소결 당‘ 12 ’
는 사 행 명 에 행 명 를 결합 면 진보 이 부 다는 사 를 주장 없다고 것이다‘ 1 4 ’ .
구성
요소
이 사건 제 항 정정발명14 선행발명 갑 제 호증4( 8 )
14-1
청구항 에 기재된 전자 재료 제조용 12
약액이 수용된 수용부를 갖는 전자 , 
재료 제조용 약액을 보관하는 용기로
서,
수납 용기 내에 고순도 이소프로필알PA IPA(
콜 를 넣고 온도 에서 개월간 보유함 식) , 50 6 (℃
별번호 도 등 참[0035], [0036], [0038], [ 1] 
조).
14-2
상기 용기에 검사액을 충전하여, 25 , ℃
일간 보관 후30 , , 
14-3
상기 검사액 중의 Single Particle 
법에 의하여 측정되는 철 ICP-MASS , 
원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도, 
구리 원자를 포함하는 입자성 메탈의 
농도 및 아연 원자를 포함하는 입자, 
성 메탈의 농도의 합이 이하100ppt 
수납 용기 안의 에 용출한 금속 이온IPA IPA
을 유도 결합 고주파 플라즈마 발광 ICP-MS(
분광 질량 분석계 로 분석하고 고순도 에 ) , IPA
대한 철 구리 니켈 크롬의 금속 이온 총량, , , 
이 이하로 나타나 있음 식별번호 10ppt (
표 표 [0001], [0034]-[0036], [0038], [ 1], [ 2] 
- 98 -
공통 차이2) 
이 사건 항 명 구 14 요소 내지 과 행 명 구14-1 14-3 4
요소는 모 자 재료 조용 약, 고 도 이소[ IPA( )]53) 보 는 용
부를 갖는54) 용 납 용 에 검사 고 도 충 여 일 도 일 [IPA ] [ IPA]
간 동 보 후 검사 철, , 구리 등 포함 는 탈 철 구리 등 속 농 [ , ]
도가 일 범 이 인 용 납 용 라는 에 동일 다[IPA ] .
다만 이 사건 항 명 14 이 사건 항 명에 재 자 재료 12
조용 약 어 있는 에 행 명 차이가 있고 이 4 ( ‘차이 8이라 ’
다 이 사건 항 명 일간 보 는 면에 행 명 는 ), 14 25 30 , 4 5℃
에 개월간 보 다는 에 차이가 있다 이 0 6 ( ‘℃ 차이 9라 다 이 사’ ). , 
건 항 명 법에 여 는 것이나 행14 Single Particle ICP-MASS , 
명 는 법에 해 는 것이라는 에 차이가 있고 이 4 ICP-MASS ( ‘차이 10 이’
라 다 이 사건 항 명 철 구리 연 입자 탈 농도 합이 ), 14 , 
이 어 있는 면에 행 명 에는 철 구리 크롬 니 속 이100ppt , 4 , , 
량이 이 라는 에 차이가 있다 이 10ppt ( ‘차이 11 이라 다’ ).
차이 들에 검토3) 
가 차이 ) 8
53) 이 에 재 부분 이 사건 항 명 구 요소에 는 행 명 구 요소이다 14 4 . 
54) 행 명 에 용부에 명시 인 재는 없지만 고 도 를 있는 납 용 라면 당연히 를 용 4 , IPA IPA IPA
있는 용부를 구 것이라는 것 통상 자라면 쉽게 추 있는 사항에 해당 뿐만 니라 행 명 , 4
도면 부 도 용부가 구 는 것임 있다고 보 야 다[ 1] .
인, 등 참조).
용기. 이소프로필알콜 수납 용기IPA( ) .
- 99 -
차이 과 8 이 사건 항 명 구 이 사건 항 명 14 12
에 재 자 재료 조용 약 어 있는 것인데 살 같이 이 , 
사건 항 명에 차이 과 구 외 나 지 구 통상 12 6
자가 행 명 부 쉽게 극복 있는 도에 해당 고 차이 과 1 , 6
이 사건 항 명 구 통상 자가 행 명 부 는 쉽게 극복 12 1
있다고 보 어 다.
그러나 다 과 같 이 에 추어 볼 차이 과 이 사건 항 , 6 12
명 구 통상 자가 행 명 과 동일 사 분야에 해당 는 1 ·
행 명 동일 거나 이 부 쉽게 도출 있다고 볼 있 므 결국 차이 4 , 
과 이 사건 8 14항 명 구 통상 자가 행 명 결합1, 4
부 쉽게 도출 있다.
행 명 명 (1) 4 에는 래 같 재들이 있다.
- 따라서 본 발명의 목적은 , 장기간 저장하더라도 고순도 의 순도가 저하되지 않는 고순도 IPA
수납 용기를 제공IPA 하는데 있다 식별번호 ( [0009]).
이상의 설명으로 이해되는 바와 같이 본 발명의 수납 용기는 적어도 내면이 니켈의 산화 처- , 
리층에 의해 구성됨으로써, 금속 불순물의 용출이 매우 고도로 억제되어 상기 수납 용기에 IPA 
고순도 를 장기간 유지 보관하더라도 의 순도 품질은 양호하게 유지IPA IPA 된다 그 결과. , 의 IPA
금속 농도의 증가에 따른 반도체 제조 액정 표시 소자 제조 등에서의 트러블을 회피할 수 있, 
고 제품의 수율 향상 더욱이 안정 운전에도 공헌, 할 수 있다 식별번호 ( [0032]).
- 실시예 1 
생략 얻어진 고순도 수납 용기의 내표면인 도금층을 분석하면 니켈 순도 이( ) IPA , 99.99… … ％ 
상 철 크롬 구리의 함유량은 이하 다 다음으로 대기 중에서 시간 가열 , , , 100 ppm . 400 3 ℃ 
산화 처리를 행하여 두께가 옹스트롬의 니켈 산화층을 얻었다 이어서 저항률 300 . 18 M ·cm Ω
- 100 -
재들 부 행 명 는 장 간 장 라도 고 도 도가 , 4 IPA
지 는 고 도 납 용 를 공 고자 는 것이어 이 부 행 명 는 IPA , 4
용 에 속 용출량 감 고자 는 것임 있다 실시 에 는 . , IPA 
용 에 입 우 가 있는 속 평가 상 여 스 인리스강에 니 도(Ni) 
용 에 용 납 고 있 므 입 우 가 있는 속 철 크롬IPA , (Fe), 
니 구리 등임 있 며 연 입 어 울 것임도 쉽(Cr), (Ni), (Cu) , (Zn)
게 추 있어 입이 라도 연 극히 미량 포함 것임도 충분히 , (Zn)
있다 즉 행 명 에 용 에 연 농도는 철 농도 이 . 4 IPA (Zn) (Fe)
볼 있고 실시 경우 연 농도는 도 이 일 것이라 쉽게 추, 1 (Zn) 4ppt 
이상의 초순수로 정밀 세척 이어서 저항률 이상의 고순도 로 정밀 세척을 했, 1000 M ·cm IPAΩ
다 이이서. , 수납 용기에 고순도 순도 이상 를 채우고 온도 에서 개월간 IPA IPA( 99.99 ) , 50 6％ ℃
유지한 후 수납 용기 내의 에 용출한 금속 이온을 분석, IPA IPA 했다 결과를 표 에 나타냈다. 1 
식별번호 ( [0035]).
- 실시예 2 
실시예 과 동일한 도금층을 형성한 후 온도 의 가성 소다액 중에서 분간 1 , 80 5A/dm2, 30 ℃
전해 산화 처리를 행하고 수납 용기를 제작했다 이 수납 용기의 내표면을 분석하면 산화 , IPA . , 
처리층의 두께는 이었다 이어서 실시예 과 동일한 세척을 실시한 후150 . 1 , Å 고순도 를 채우IPA
고 온도 에서 개월간 유지한 후 에 용출한 금속 이온을 분석, 50 6 , IPA℃ 했다 결과를 표 에 나. 1
타냈다 식별번호 ( [0036]).
표 식별번호 - [ 1] ( [0039])
속 이온 농도(ppt)
Fe Cr Ni Cu 체 용출량
실시 1 4 2 1 1 8
실시 2 5 2 2 1 10
비교 1 23 13 7 15 58
- 101 -
있다.
(2) , 살 같이 도체 조 공 에 사용 는 용 에 포함
는 속 이 에는 이 속 탈 뿐만 니라 입자 속 탈 도 존재 다는 것 ( ) ( )
이 사건 명 우 일 이 에 통상 자에게는 자명 상식에 해당
는 것이므 통상 자라면 행 명 에 재 철 구리 등 이 농도는 입, 4 , 
자 탈과 이 탈이 함께 포함 농도임 충분히 있다고 보 야 다 .
라 (3) 행 명 실시 에 재 용 에 포함 철 구리4 1 IPA ․ ․
연 입자 탈과 이 탈 농도 합 이 이고( Mt) 10ppt ,∑ 55) 통상 
인 약 에 이 탈 농도가 입자 탈 농도보다 많다는 고 해 보
면,56) 행 명 실시 에 재 용 에 포함 철 구리 연 입 4 1 IPA , 
자 탈 농도 합 이 가 다고 이 타당 다( Mp) 5ppt .∑
그리고 살 (4) 것처럼 는 계 용 계 상 IPA
쓰이는 것 주지 용 에 해당 므 행 명 에 계 상 , 4 IPA 
용 철 구리 연, 입자 탈 농도 합 이 볼 있고(Mp) 5ppt , 
철 구리 연 이 탈 농도 합 도 이 볼 있다, ( Mi) 5ppt .Σ
종합해 보면 이 (5) , 사건 항 명에 철 구리 연 입자 탈 12 , 
농도 합이 이 이고 계 상 경우에는 철 구리 연 입자100ppt , , 
탈 농도 합 이 이 이며 이 탈 농도 합 이 (Mp) 5.6ppt ( Mi)Σ
이 이며 칼리 상 경우에는 철 구리 연 입자 탈 농도367.5ppt , , 
합 이 이 이고 이 탈 농도 합 이 이 인 구(Mp) 98ppt ( Mi) 959ppt , Σ
55) 철 구리 연 이 이다 (4ppt)+ (1ppt)+ (4ppt)=9ppt , 10ppt .
56) 이 사건 명 실시 들 부 도 철 구리 연 이 탈 농도가 이들 입자 탈 농도보다도 훨 많 , , 
있다.
- 102 -
행 명 실시 용 철 구리 연 입자 탈 농도 합4 1 IPA , 
이 이고 철 구리 연 이 탈 농도 합 도 이(Mp) 5ppt , , ( Mi) 5ppt Σ
인 구 과 실질 동일 거나57) 이 부 통상 자가 쉽게 도출 있 
다58)고 이 타당 다 그에 라 차이 과 이 사건 항 명 구. 6 12
통상 자가 행 명 과 동일 사 분야에 해당 는 행 명 과 동1 · 4
일 거나 이 부 쉽게 도출 있다고 볼 있고 결과 차이 과 , 8
이 사건 항 명 구 통상 자가 행 명 결합 부 쉽14 1, 4
게 도출 있다고 볼 있다.
이 여 원고는 행 명 에 재 속 농도는 납 용 (6) , 4 1
부 용출 에 라 증가 등 농도 즉 납 용 부 용출 양만 Fe, Cu , 
말 는 것이고 약 등 농도를 나타내는 것이 니므 행 명 IPA Fe, Cu , 
에는 약 4 철 구리 연 입자 탈 농도 합이 , 이 인 구 이 100ppt 
개시 거나 시 어 있지 니 다는 취지 주장 다.
그러나 원고 주장 행 명 실시 가 납 용 부 용출 속 4
이 양만 는 것이 해 는 통상 납 용 에 보 에 포, IPA
함 는 속 이 농도나 양 다 납 용 에 보 후 에 포함IPA
는 속 이 분 는 등 법 해야 것 보이나 재 , 
같이 행 명 실시 에는 납 용 에 고 도 도 이상4 1 “IPA IPA( 99.99 )％
를 채우고 도 에 개월간 지 후 납 용 내 에 용출 속 , 50 6 , IPA IPA℃
57) 계 상 인 경우 철 구리 연 입자 탈 농도 합 이 이 이며 이 탈 농도 합 , (Mp) 5.6ppt (Σ
이 이 인 구Mi) 367.5ppt .
58) 칼리 상 인 경우 철 구리 연 입자 탈 농도 합 이 이 이고 이 탈 농도 합 , (Mp) 98ppt ( Mi)Σ
이 이 인 구959ppt .
- 103 -
이 분 했다 결과를 에 나타냈었다 라고 재 어 있어 식별번 . 1 .” ( [0035]), 
실시 에 개월간 납 용 내에 보 자체에 포함 는 속 이1 50 6 ‘IPA ’℃
분 것이라고 이 타당 다 원고 주장 들이 어 다. .
나 차이) 9
차이 이 사건 항 명 일간 보 는 구 인 9 14 25 30℃ 
데 이에 는 구 행 명 에는 용 도 에 개월간 보, 4 IPA 50 6℃
는 구 이 재 어 있다 식별번 참조( [0035], [0036], [0038] ).
이 사건 명 명 를 살펴보 도 용 에 검사 충 여 25 30℃ 
일간 보 함에 른 가 재 어 있지 고 우 효과를 갖는다는 
뒷 침 만 근거도 찾 볼 없다 행 명 보 조건인 도 . 4 ‘ 5
개월간 이 사건 항 명 보 조건인 일간에 해 0 6 ’ 14 ‘25 30 ’℃ ℃ 
고 장 간 조건에 해당 는 것이어 행 명 에 분 , 4 ICP-MASS IPA 
용 내 속 량 이 사건 항 명 보 조건 동일 용 14
분 했 경우보다 속 량이 많 것이라고 보는 것이 합리 이ICP-MASS
므 통상 자라면 고 도 도가 지 도 도 개월, IPA ‘ 50 6℃ 
간인 보 조건 요에 라 일간 조 는 데 특별 어’ ‘25 30 ’℃ 
움이 있다고 볼 없다.
라 차이 이 사건 항 명 구 통상 자가 9 14
행 명 부 쉽게 도출 있는 도에 해당 고 그에 른 효과도 통상 4 , 
자가 행 명 부 있는 도에 해당 다4 .
다 차이 ) 10
- 104 -
차이 살 차이 동일 므 차이 과 이 사건 10 1, 5 , 10
항 명 구 통상 자가 행 명 부 쉽게 극복 있는 14 1
도에 해당 고 그에 른 이 사건 항 명 효과도 통상 자가 행, 14
명 부 있는 도에 해당 다1 .
라 차이 ) 11
차이 과 이 사건 항 명이 철 구리 연 입자 탈 11 14 , 
농도 합이 이 구 살 같이 행 명 실질100ppt 4
동일 거나 이 부 쉽게 도출 있다.
검토 결과 리4) 
에 검토 결과 를 종합 면, 이 사건 항 명 통상 자가 행14
명 결합에 여1, 4 쉽게 명 있 므 그 진보 이 부 다 , .
카 이 사건 항 명 진보 부 여부 . 15
이 사건 항 명 15 이 사건 항 명14 종속항 검사 이 , ‘
용 에 보 고자 는 자 재료 조용 약 는, , 용 에 보 고자 는 
자 재료 조용 약 구 는 원료 일부 는 복 를 합 합 ’
것인데 통상 자 재료 조용 약 합 사용 는 것 통상 자에게, 
는 자명 상식에 해당 는 것일 뿐만 니라 이 사건 명 명 를 , 
살펴보 도 구 에 른 를 찾 볼 없다.
라 이 사건 항 명 통상 자가 행 명 결합에 15 1, 4
여 쉽게 명 있 므 그 진보 이 부 다, .
타 이 사건 항 명 진보 부 여부 . 17
- 105 -
구 요소별 계1) 
공통 차이2) 
이 사건 항 명 구 요소 행 명 구 요 17 17-1 17-2 1
구성
요소
이 사건 제 항 정정발명17 선행발명 갑 제 호증1( 5 )
17-1
법에 의하여 Single Particle ICP-MASS
측정되는 철 원자를 포함하는 입자성 , 
메탈의 농도 구리 원자를 포함하는 , 
입자성 메탈의 농도 및 아연 원자를 , 
포함하는 입자성 메탈의 농도의 합을 
로 하고Mp , Single Particle Σ
법과 법에 의하여 ICP-MASS ICP-MASS
측정되는 철 원자를 포함하는 이온성 , 
메탈의 농도 구리 원자를 포함하는 , 
이온성 메탈의 농도 및 아연 원자를 , 
포함하는 이온성 메탈의 농도의 합을 
로 한 경우에 및 가 하기 Mi , Mp MiΣ Σ Σ
식을 충족시키는 전자 재료 제조용 , 
약액이며,
Mp Mi 100ppt.Σ ≤Σ ≤
플라스마 질량스펙트럼 분석시 철(ICP-MS) , , 
구리 아연의 농도가 각각 , 0.09ppb, 0.07ppb, 
인 초고순도 전자급 이소프로판올 용0.05ppb
액임 식별번호 등 참( [0030], [0032], [0038] 
조).
17-2
상기 전자 재료 제조용 약액은 유기계 
현상액 또는 알칼리 현상액이고 상기 , , 
유기계 현상액은 에서의 증기압이 20℃
이하인3kPa ,
초고순도 전자급 이소프로판올은 마이크로 
전자 화학 시약에서 중요한 품종이며 반도체 , 
부품의 생산 초대규모 집적회로 어셈블리 및 , 
가공 프로세스에서의 세정과 부식에 광범위
하게 응용됨 식별번호 등 참조( [0002] ).
전자 재료 제조용 약액.
초고순도 전자급 화학 시약 이소프로판올 용(
액).
- 106 -
소는 모 자 재료 조용 약 자 시약, [ ]59) 불 인 철 구리 연 , 
포함 는 탈 철 구리 연 등 포[ , , 함 는 속 농도가 일 범 를 갖는 ]
자 재료 조용 약 자 시약 이라는 에 동일 다[ ] .
다만 이 사건 항 명 법과 법에 17 Single Particle ICP-MASS ICP-MASS
여 는 것인 면에 행 명 법에 해 는 것이라는 , 1 ICP-MASS 
에 차이가 있고 이 ( ‘차이 12 라 다 이 사건 항 명 철 구리 ’ ), 17 , 
연 입자 탈 농도 합 과 철 구리 연 이 탈 농도 ( Mp) , Σ
합 이 어 있는 것이나 행 명 철 구리 연( Mi) Mp Mi 100ppt , 1 , , Σ Σ ≤Σ ≤
농도가 각각 인 에 차이가 있다 이 0.09ppb, 0.07ppb 0.05ppb ( ‘차이 13’
이라 다 이 사건 항 명 약 계 상 는 칼리 상). 17 , 
이고 상 계 상 에 증 이 이 인 것인 면에 행, 20 3kPa , ℃
명 약 이 이고 에 증 에 구체 인 재가 없다는 에 차1 IPA 20℃
이가 있다 이 ( ‘차이 14 라 다’ ). 
차이 들에 검토 3) 
가 차이 ) 12
차이 는 결국 이 사건 항 명이 행 명 법에 12 17 1 ICP-MASS 
법 추가 여 것인데 살 것처럼 통상Single Particle ICP-MASS , 
자가 법 이용 여 도체 이스 등 도체 Single Particle ICP-MASS
조 공 에 사용 는 약 에 포함 속 나노입자 불 농도를 있는 
것임 쉽게 있다 에 살펴본 같이 통상 자가 행 명 . 1
59) 이 에 재 부분 이 사건 항 명 구 요소에 는 행 명 구 요소이다 17 1 . 
- 107 -
에 사용 는 신에 여 용시키는 데 ICP-MASS Single Particle ICP-MASS
특별 어 움이 있다고 보 어 우므 통상 자가 행 명 에 사용, 1
는 외에 도 추가 여 사용 는 데에는 마찬ICP-MASS Single Particle ICP-MASS
가지 특별 어 움이 있다고 볼 없고 그에 른 효과도 통상 자, 
라면 행 명 부 있는 도에 해당 다1 .
나 차이 ) 13
차이 과 13 이 사건 항 명 구 철 구리 연 이17 , 
탈 농도 합 이 이 이고 철 구리 연 입자 탈 농( Mi) 100ppt , Σ
도 합 철 구리 연 이 탈 농도 합 보다 작거나 같( Mp) , ( Mi)Σ Σ
다는 것인데 살 것처럼 철 구리 연 입자 탈( Mp Mi 100ppt), , Σ ≤Σ ≤
농도 합 이 이 인 구 이 ( Mp) 100ppt Σ 통상 자가 행 명 부 쉽게 1
극복 있다고 보 어 운 것이므 ,60) 마찬가지 이 차이 과 이 13
사건 항 명17 구 도 통상 자가 행 명 부 는 쉽게 극복 1
있다고 보 어 다.
다 차이 ) 14
차이 이 사건 항 명 구 계 상 에 14 17 20℃
증 이3kPa 는 것이나 통상 증 공 상 요에 해 임, 
택 있는 사항에 불과 므 ,61) 차이 이 사건 항 14 17
명 구 통상 자가 행 명 부 쉽게 극복 있고 그에 른 1 , 
60) 다만 이 같 구 본 같이 통상 자가 행 명 부 쉽게 도출 있다고 보이나 이 사건 취 , 4 , 
소소송 차에 는 이 사건 취소결 당 는 사 행 명 에 행 명 를 결합 면 진보 이 부 다는 사‘ 1 4 ’
를 새롭게 주장 없다고 것이다.
61) 살 것처럼 행 명 에도 계 상 칼리 상 등 상 사용 고 계 상 에 증3 , , 20℃
이 이 인 구 이 재 어 있다식별번 등 참조3kPa ( [0334], [0336], [0338], [0341] ).
- 108 -
효과도 통상 자가 행 명 부 있는 도에 해당 다1 .
검토 결과 리4) 
에 검토 결과를 종합 면 이 사건 항 명 통상 자가 , 17
행 명 에 여는 쉽게 명 있다고 보 어 우므 그 진보 이 부 지 1 , 
니 다.
이 사건 항 명 진보 부 여부 . 18, 19
이 사건 항1) 18 명 진보 부 여부 
가 구 요소별 계 ) 
구성
요소
이 사건 제 항 정정발명18 선행발명 갑 제 호증1( 5 )
18-1
약액 중의 법Single Particle ICP-MASS
에 의하여 측정되는 철 원자를 포함, 
하는 입자성 메탈의 농도 구리 원자, 
를 포함하는 입자성 메탈의 농도 및 , 
아연 원자를 포함하는 입자성 메탈의 
농도에 따라 상기 약액 중의 입자성 , 
메탈의 저감화 방법을 선택하고,
의 공업급 이소프로판올 에 화99.0wt(%) (IPA)
학 전처리를 실시하여 순도를 향상시킨다 식(
별번호 등 참조[0012], [0032] ).
여과액을 정류62)한다 정류 프로세스에서 증. 
기를 더욱 가열함으로써 가열 증기를 형성하
고 이것으로부터 미세공막을 통해 과열 증기
를 여과한다 막 여과 후의 과열 증기를 냉각. 
하고 분획을 수집하고 분획을 미세공막을 통
해 여과하여 여과액 속의 과립수를 컨트롤하
여 초고순도 전자급 염산 또는 이소프로판올
을 얻는다 식별번호 등(IPA) ( [0012] ).
양이온에 대한 플라스마 질량스펙트럼
분석시 철 구리 아연의 농도가 각(ICP-MS) , , , 
각 인 초고순도 전0.09ppb, 0.07ppb, 0.05ppb
자급 이소프로판올 용액임 식별번호 ( [0030], 
등 참조[0032], [0038] ).
18-2
선택된 상기 저감화 방법을 이용하여, 
상기 철 원자를 포함하는 입자성 메탈
의 농도 상기 구리 원자를 포함하는 , 
입자성 메탈의 농도 및 상기 아연 원, 
자를 포함하는 입자성 메탈의 농도 중 
적어도 하나를 저감시키고 상기 저감, 
화 방법은 약액을 증류하는 방법을 포
함하는,
18-3
상기 저감화 방법을 이용하여 상기 , 
약액 중의 상기 철 원자를 포함하는 , 
- 109 -
나 구체 인 단) 
이 사건 항 명 자 재료 조용 약 조 법에 독립항18
, ‘증 는 법 포함 는’ 감 법이 재 어 있지 다는 외 고는 
이 사건 항 명과3 동일 구 요소를 구 고 있다 . 그에 라 살 것
처럼 이 사건 항 명 3 통상 자가 행 명 1 부 는 행 명 과 1
결합 부2 쉽게 극복 있다고 보 어 우므 이 사건 항 명 , 18
도 마찬가지 이 통상 자가 행 명 1 부 는 행 명 과 결합1 2
부 쉽게 극복 있다고 보 어 다 .
라 이 사건 항 명 통상 자가 행 명 18 1 부 는 행
명 과 결합 부1 2 쉽게 명 있다고 보 어 우므 그 진보 이 부 , 
지 는다.
이 사건 항 명 진보 부 여부 2) 19
가 구 요소별 계) 
62) 는 용 ‘ ( )’ ‘精溜 증 여 각 분 분리 는 일 미 므 국어 사 참조 이 부 통상 자’ ( ), 
라면 는 증 에 포함 는 것임 쉽게 있다.
입자성 메탈의 농도 상기 구리 원자, 
를 포함하는 입자성 메탈의 농도 및 , 
상기 아연 원자를 포함하는 입자성 메
탈의 농도의 합을 이하로 하, 100ppt 
는
전자 재료 제조용 약액의 제조 방법. 초고순도 전자급 화학 시약 생산 방법.
구성
요소
이 사건 제 항 정정발명19 63) 선행발명 갑 제 호증3( 7 )
- 110 -
19-1
용제를 함유하는 감활성광선성 또(1) 
는 감방사선성 수지 조성물에 의하여 
감활성광선성 또는 감방사선성막을 형
성하는 공정,
상기 감활성광선성 또는 감방사선(2) 
성막을 노광하는 공정 및, 
노광한 상기 감활성광선성 또는 감(4) 
방사선성막을 현상액을 이용하여 현, 
상하는 공정을 갖는 패턴 형성 방법으
로서,
가 감활성광선 또는 감방사선성 수지 조성( ) 
물에 의해 기판상에 감활성광선 또는 감방사
선성 수지 조성물막을 형성하는 공정,
나 상기 막에 활성 광선 또는 방사선을 조( ) 
사하는 공정 및,
다 상기 활성 광선 또는 방사선이 조사된 ( ) 
막을 현상액을 이용하여 현상하는 공정을 적, 
어도 갖는 패턴 형성 방법 청구항 제 항 등 ( 9
참조).
19-2
상기 전자 재료 제조용 약액은 Single 
법에 의하여 측정되Particle ICP-MASS
는 철 원자를 포함하는 입자성 메탈, 
의 농도 구리 원자를 포함하는 입자, 
성 메탈의 농도 및 아연 원자를 포함, 
하는 입자성 메탈의 농도의 합을 MpΣ
로 하고 법, Single Particle ICP-MASS
과 법에 의하여 측정되는ICP-MASS , 
철 원자를 포함하는 이온성 메탈의 농
도 구리 원자를 포함하는 이온성 메, 
탈의 농도 및 아연 원자를 포함하는 , 
이온성 메탈의 농도의 합을 로 한 MiΣ
경우에 및 가 하기 식을 충, Mp MiΣ Σ
족시키며,
Mp Mi 100ppt.Σ ≤Σ ≤
-
19-3
공정 의 상기 현상액이 전자 재료 (4) , 
제조용 약액이며,
상기 전자 제조용 약액은 유기계 현상
액 또는 알칼리 현상액이며 상기 유, 
유기계 현상액 알칼리 현상액 등의 현상액을 , 
사용하고 유기계 현상액은 에서의 증기, 20℃
압이 이하임 식별번호 3kPa ( [0334], [0336], 
등 참조[0338], [0341] ).
- 111 -
나 구체 인 단) 
이 사건 항 명 구 요소 내지 각각 이 사건 항 19 19-1 19-3 9
명 구 요소 과 이 사건 항 명 구 요소 동일9-1 , 17 17-1 17-2
구 요소를 구 고 있다.
그에 라 살 같이 구 요소 행 명 에 재 가 감 9-1 3 ‘( ) 
는 감 사 지 조 에 해 상에 감 는 감 사 
지 조 막 는 공 나 상 막에 는 사 조사 는 공 , ( ) 
다 상 는 사 이 조사 막 상 이용 여 상 는 공, ( ) , 
어도 갖는 법에 구 청구항 항 등 참조 과 실질 ’ ( 9 )
동일 므 , 이 사건 1 항 명 구 요소 마찬가지 이 행 명 9 19-1
구 과 실질 동일 다3 . 
그리고 구 요소 구 에 같이 행 명 에 재 19-3 3 ‘
계 상 칼리 상 등 상 사용 고 계 상 에 증, , 20℃
이 이 인 구 식별번 등 참조 과 실질3kPa ’ ( [0334], [0336], [0338], [0341] )
동일 다.
에 , 살펴본 것처럼 이 사건 항 명에 철 구리 연 입17 , 
자 탈 농도 합 과 철 구리 연 이 탈 농도 합 이 ( Mp) , ( Mi)Σ Σ
63) 구 요소 편 를 여 이 사건 항 명에 공 상 상 이 자 재료 조용 약 이며 를 , 19 ‘ (4) , ,’
구 요소 에 포함시 고 를 구 요소 에 포함시 다19-3 , ‘ Mp Mi 100ppt’ 19-2 .Σ ≤Σ ≤
기계 현상액은 에서의 증기압이 20℃
이하인3kPa ,
패턴 형성 방법. 패턴 형성 방법.
- 112 -
어 있는 구 요소 는 Mp Mi 100ppt 19-2Σ ≤Σ ≤ 통상 자가 행 명 에 1
여 쉽게 명 있다고 보 어 운 것이고, 이 사건 항 명 구17
행 명 에도 시사나 시 어 있지 니 것이다 그러므 이 사건 3 . 
항 명에 철 구리 연 입자 탈 농도 합 과 철 구리 19 , ( Mp) , Σ
연 이 탈 농도 합 이 어 있는 구 ( Mi) Mp Mi 100pptΣ Σ ≤Σ ≤
통상 자가 행 명 과 결합 부 는1 3 쉽게 극복 있다고 보 어 
다.64)
라 이 사건 항 명 통상 자가 행 명 19 1과 결합3
부 는 쉽게 명 있다고 보 어 우므 그 진보 이 부 지 는다 , .
이 사건 항 명 진보 부 여부 . 20, 21
1) 이 사건 항 명 진보 부 여부20
가 구 요소별 계 ) 
64) 다만 에 본 같이 해당 쟁 구 통상 자가 행 명 부 쉽게 도출 있다고 보이나 이 사건 , 4 , 
취소소송 차에 는 이 사건 취소결 당 는 사 행 명 에 행 명 를 결합 면 진보 이 부 다는 ‘ 1, 3 4 ’
사 를 새 주장 없다고 것이다.
구성
요소
이 사건 제 항 정정발명20 선행발명 갑 제 호증3( 7 )
20-1
용제를 함유하는 감활성광선성 또(1) 
는 감방사선성 수지 조성물에 의하여 
감활성광선성 또는 감방사선성막을 형
성하는 공정,
상기 감활성광선성 또는 감방사선(2) 
성막을 노광하는 공정,
노광한 상기 감활성광선성 또는 감(4) 
방사선성막을 현상액을 이용하여 현, 
가 감활성광선 또는 감방사선성 수지 조성( ) 
물에 의해 기판상에 감활성광선 또는 감방사
선성 수지 조성물막을 형성하는 공정,
나 상기 막에 활성 광선 또는 방사선을 조( ) 
사하는 공정 및,
다 상기 활성 광선 또는 방사선이 조사된 ( ) 
막을 현상액을 이용하여 현상하는 공정을 적, 
어도 갖는 패턴 형성 방법 청구항 제 항 등 ( 9
- 113 -
나 구체 인 단) 
상하는 공정 및, ,
현상된 상기 감활성광선성 또는 감(5) 
방사선막을 린스액을 이용하여 세정, 
하는 공정을 갖는 패턴 형성 방법으로
서,
참조).
유기 용제를 포함한 현상액을 이용하여 현상
하는 공정 후에는 린스액을 이용하여 세척하
는 공정을 포함하는 것이 바람직하다 식별번(
호 [0349]).
20-2
공정 의 상기 감활성광선성 또는 감(1)
방사선 수지 조성물 공정 의 상기 , (4)
현상액 및 공정 의 상기 린스액 중 , (5)
적어도 하나가 전자 재료 제조용 약액
이며,
상기 전자 재료 제조용 약액은 Single 
법에 의하여 측정되Particle ICP-MASS
는 철 원자를 포함하는 입자성 메탈, 
의 농도 구리 원자를 포함하는 입자, 
성 메탈의 농도 및 아연 원자를 포함, 
하는 입자성 메탈의 농도의 합을 MpΣ
로 하고 법, Single Particle ICP-MASS
과 법에 의하여 측정되는ICP-MASS , 
철 원자를 포함하는 이온성 메탈의 농
도 구리 원자를 포함하는 이온성 메, 
탈의 농도 및 아연 원자를 포함하는 , 
이온성 메탈의 농도의 합을 로 한 MiΣ
경우에 및 가 하기 식을 충, Mp MiΣ Σ
족시키는,
Mp Mi 100ppt.Σ ≤Σ ≤
-
패턴 형성 방법. 패턴 형성 방법.
- 114 -
이 사건 항 명 구 요소 과 는 각각 이 사건 항 20 20-1 20-2 10
명 구 요소 이 사건 항 명 구 요소 과 동일 구 요10-1 19 19-1
소를 구 고 있다.
그에 라 살 같 이 구 요소 행 명 에 재 구 과 10-1 3
실질 동일 므 , 이 사건 항 명 구 요소 마찬가지 이20 20-1
행 명 구 과 실질 동일 다 구 요소별 를 살펴보 라도 3 [
마찬가지 구 요소 행 명 구 요소 실질 동일 다20-1 3 ].
에 살펴본 것처럼 구 요소 , 19-1 통상 자가 행 명 1, 3 
결합 부 쉽게 극복 있다고 보 어 우므 마찬가지 이 구 요소 , 
인20-2 상 과 같 자 재료 조용 약 철 구리 연 입자 탈 농 , 
도 합 과 철 구리 연 이 탈 농도 합 이 ( Mp) , ( Mi) Mp MiΣ Σ Σ ≤Σ ≤
어 있는 구 100ppt 통상 자가 행 명 1, 3 결합 부 는 쉽 
게 극복 있다고 보 어 다.65)
라 이 사건 항 명 통상 자가 행 명 20 1과 결합3
부 는 쉽게 명 있다고 보 어 우므 그 진보 이 부 지 는다 , .
2) 이 사건 항 명 진보 부 여부21
가 구 요소별 계 ) 
65) 다만 에 본 같이 해당 쟁 구 통상 자가 행 명 부 쉽게 도출 있다고 보이나 이 사건 , 4 , 
취소소송 차에 는 이 사건 취소결 당 는 사 행 명 에 행 명 를 결합 면 진보 이 부 다는 ‘ 1, 3 4 ’
사 를 새롭게 주장 없다고 것이다.
구성
요소
이 사건 제 항 정정21 발명66) 선행발명 갑 제 호증4( 8 )
21-1
전자 재료 제조용 약액이 수용된 수용
부를 갖는 전자 재료 제조용 약액을 , 
수납 용기 내에 고순도 이소프로필알PA IPA(
콜 를 넣고 온도 에서 개월간 보유함 식) , 50 6 (℃
- 115 -
보관하는 용기로서, 
상기 용기에 검사액을 충전하여, 25 , ℃
일간 보관 후30 , ,
상기 검사액 중의 Single Particle 
법에 의하여 측정되는 철 ICP-MASS , 
원자를 포함하는 입자성 메탈의 농도, 
구리 원자를 포함하는 입자성 메탈의 
농도 및 아연 원자를 포함하는 입자, 
성 메탈의 농도의 합이 이하100ppt 
이며,
별번호 도 등 참[0035], [0036], [0038], [ 1] 
조).
수납 용기 안의 에 용출한 금속 이온IPA IPA
을 유도 결합 고주파 플라즈마 발광 ICP-MS(
분광 질량 분석계 로 분석하고 고순도 에 ) , IPA
대한 철 구리 니켈 크롬의 금속 이온 총량, , , 
이 이하로 나타나 있음 식별번호 10ppt (
표 표 [0001], [0034]-[0036], [0038], [ 1], [ 2] 
등 참조).
21-2
상기 전자 재료 제조용 약액은 Single 
법에 의하여 측정되Particle ICP-MASS
는 철 원자를 포함하는 입자성 메탈, 
의 농도 구리 원자를 포함하는 입자, 
성 메탈의 농도 및 아연 원자를 포함, 
하는 입자성 메탈의 농도의 합을 MpΣ
로 하고 법, Single Particle ICP-MASS
과 법에 의하여 측정되는ICP-MASS , 
철 원자를 포함하는 이온성 메탈의 농
도 구리 원자를 포함하는 이온성 메, 
탈의 농도 및 아연 원자를 포함하는 , 
이온성 메탈의 농도의 합을 로 한 MiΣ
경우에 및 가 하기 식을 충, Mp MiΣ Σ
족시키며,
Mp Mi 100ppt.Σ ≤Σ ≤
-
21-3
상기 전자 재료 제조용 약액은 유기계 
현상액 또는 알칼리 현상액이고 상기 , , 
유기계 현상액은 에서의 증기압이 20℃
이하인3kPa ,
-
- 116 -
나 구체 인 단) 
이 사건 항 명 구 요소 내지 각각 이 사건 항 21 21-1 21-3 14
명 구 요소 내지 구 요소 에 이 사건 항 명 인14-1 14-3( 14-1 12
용 고 있는 부분 외 과 이 사건 항 명 구 요소 ) , 17 17-1, 17-2
동일 구 요소를 구 고 있다.
살 같이 이 사건 항 명 구 요소 내지 14 14-1 14-3 통
상 자가 행 명 과 결합에 해 쉽게 극복 있1 4 므 , 이 사건 21
항 명 구 요소 도 마찬가지 이 통상 자가 행 명 과 21-1 1 4
결합에 여 쉽게 도출 있다. 
이 사건 항 명 구 요소 는 통상 자가 행 명 17 17-2 1
부 쉽게 극복 있는 도에 해당 므 이 사건 항 명 구 요소 , 21
마찬가지 이 통상 자가 행 명 에 해 쉽게 도출 있는 21-3 1
도에 해당 다.
이 사건 항 명 구 요소 에 해 살펴보면 에 살펴본 것처21 21-2 , 
럼 이 사건 항 명 17 구 요소 통상 자가 행 명 부 는 17-1 1
쉽게 극복 있다고 보 어 다 그러나 살 것처럼 행 명 실시 . 4 1
에 재 용 에 포함 철 구리 연 입자 탈과 이 탈 농도IPA , , 
합 이 이고 통상 이 탈 농도가 입자 탈 농도보다 ( Mt) 10ppt , ∑
66) 구 요소 편 를 여 이 사건 항 명에 를 구 요소 에 포함시 다, 21 ‘ Mp Mi 100ppt’ 21-2 .Σ ≤Σ ≤
용기. 이소프로필알콜 수납 용기IPA( ) .
- 117 -
많다는 것 통상 자에게는 자명 상식에 해당 다고 볼 있 므 , 
철 구리 연 입자 탈 농도 합 철 구리 연 이 탈 , ( Mp) , , ∑
농도 합 보다 작다고 이 타당 다 라 구 요소 행 명 ( Mi) . 17-1 4∑
구 과 실질 동일 고 그에 라 이 사건 항 명 구 요소 도 , 21 21-2
마찬가지 이 통상 자가 행 명 과 결합 부 쉽게 도출 1 4
있다고 보 야 다.
라 이 사건 항 명 통상 자가 행 명 21 1과 결합4
부 쉽게 명 있 므 그 진보 이 부 다 , .
거 소결 . 
검토 내용 종합 면 이 사건 항 명 행 명 에 , 1, 2, 4, 5, 7, 8 1
여 이 사건 항 명 행 명 과 결합에 여 이 사건 내지 , 6 1 2 , 9 11
항 명 행 명 과 결합에 여 이 사건 항 명 1 3 , 14, 15, 21
행 명 과 결합에 여 그 진보 이 부 다1 4 .
그러나 이 사건 항 명 행 명 는 행 명 과 결합에 3, 18 1 1 2
라도 이 사건 항 명 행 명 에 라도 이 사건 , 12, 13, 17 1 , 
항 명 행 명 과 결합에 라도 그 진보 이 부 지 는19, 20 1 3
다 라 이 사건 결 이 사건 내지 항 명에 . 1, 2, 4 11, 14, 15, 21
부분 이 결 같이 여 법 고 이 사건 내지 항 명, 3, 12, 13, 17 20
에 부분 이 결 달리 여 법 다.
결정 취소의 범위4. 
특허취소신청 차에 청구가 있는 경우 인 여부는 취소신청 차에 , 
- 118 -
함께 심리 므 독립 심 청구 경우 달리 청구 부분 지 , 
니 고 취소신청 결 이 는 에 함께 다 법원 고 ( 2011. 2. 10. 
후 결 법리 참조 특허 취소 여부는 청구항별 단 여야 2010 2698 ). 
라도 특허취소신청 차에 청구는 특별 사 이 없는 불가분 계에 있, 
어 일체 허용 여부를 단 여야 다 법원 고 후 결( 2009. 1. 15. 2007 1053 
법리 참조). 
에 본 같이 이 사건 결 이 사건 내지 항 1, 2, 4 11, 14, 15, 21
명에 부분 취소를 구 는 부분 이 없 나 이 사건 결 , 이 사건 
내지 항 명에 부분3, 12, 13, 17 20 취소를 구 는 부분 이 있어 이
를 인용 는 이상 법리에 추어 이 사건 결 이 함께 어야 이 사, 
건 청구에 부분도 취소를 면 없고 이 사건 결 , 이 사건 1, 2, 4 
내지 항 명에 부분11, 14, 15, 21 도 지 못 채 이 사건 청
구에 부분과 함께 취소 어야 므 결국 이 사건 결 모 취소 어야 , 
다.
결 론5. 
그 다면 이 사건 결 취소를 구 는 원고 청구는 결 이 있 므 
이를 인용 여 주 과 같이 결 다, . 
재 장 사 동규
- 119 -
사 우 엽
사 임 우