[지재 판결문] 특허법원 2022허1872 - 거절결정(특)

[지재] 특허법원 2022허1872 - 거절결정(특).pdf

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- 1 -
특 허 법 원
제 부
결
사 건 허 거 결 특2022 1872 ( )
원 고 A
스트리 
송달장소 
자 B
소송 리인 특허법인 인벤싱크 담당변리사 지훈
고 특허청장
소송 행자 이종경
변 종 결 2022. 11. 30.
결 고 2023. 2. 3.
주 문
원고 청구를 각 다1. .
소송 용 원고가 부담 다2. .
- 2 -
청 구 취 지
특허심 원이 원 사건에 여 심결 취소 다2022. 1. 26. 2021 1001 .
이 유
기초사실1. 
가 이 사건 출원 명 . 갑 증 증( 3 , 3 )1)
명 명칭 1) : 스크 상 티클 체 처리를 장 그러 장 에 
사용 가열장
2) 출원일 우 권 주장일 출원번/ / : 2013. 10. 14./ 2012. 10. 12./ 
10-2013-122274
청구범 자 보 에 것 3) (2021. 2. 26. )
청구항 1【 】 스크 상 티클 체 처리 는 장 스 척 상부 면- , 
에 여 미리 결 향 스크 상 티클 지 상 스 척 이(
구 요소 ‘ 1 상 스 척 상 상부 면 상 스 척 상에 장착 상 ’); 
스크 상 티클 부에 장착 어도 개 개별 어가능 가열 엘리3
트들 상 개별 어가능 가열 엘리 트들 상 스 척 회 에 여 , 
지 식 장착 는 상 어도 개 개별 어가능 가열 엘리 트들, 3
이 ( 구 요소 ‘ 2-1 스크 상 티클 체 처리 는 장 체 처리 ’); -
역 내 부 우징 상 부 우징 상 어도 개 개별 어가능, 3
가열 엘리 트들 포함 고 이 ( 구 요소 ‘ 2-2 상 부 우징 닥 부분 ’), 
1) 이 사건 출원 명과 행 명들 청구범 명 내용 등 맞춤법이나 띄어쓰 부분 고 지 고 명 에 재 , 
시함 원 다.
- 3 -
벽 부분 포함 고 상 닥 부분 상 벽 부분 연결 고 상 벽 , , 
부분 상 체 처리 는 장 내 상 벽 부분 주변 역에 상 닥 부분-
부 돌출 는(upwardly projecting),2) 상 부 우징 이 ( 구 요소 ‘ 3 ’); 
상 어도 개 개별 어가능 가열 엘리 트들에 해 출 복사 3
과 는 상 상 스 척 상에 결 상 어도 개 개별, 3
어가능 가열 엘리 트들과 상 스크 상 티클 사이에 결 는, 
상 포함 고 이 ( 구 요소 ‘ 4 상 어도 개 개별 어가능 가열 ’), 3
엘리 트들 상 스 척 상에 결 상 스크 상 티클에 인 개
별 어가능 내부 간 외부 가열 구역들 규 해 스티드 , 
구 열 는 이 (nested) ( 구 요소 ‘ 2-3 스크 상 티클 체 처리’), -
는 장 이 이 사건 항 출원 명이라 다( ‘ 1 ’ ).
청구항 삭 청구항 종속항 재 생략 4, 11~33 ( ), 2, 3, 5~10 ( )【 】 【 】
명 주요 내용 4) 
2) 청구범 에는 돌출 는“ (upwardly projecting 는 과 같이 는이 복 재 어 있는데 뒤 는 보 이) ” ‘ ’ , ‘ ’
를 생락 여 재 다.
기술분야 
0001【 】 본 발명은 디스크 형상 아티클의 액체 처리를 위한 장치 및 그러한 장치에서 사, 
용하기 위한 가열 시스템에 관한 것이다. 
배경기술 종래기술의 문제점( ) 
0004【 】 가열된 프로세스 액체들을 사용할 때 웨이퍼의 표면에 걸친 온도 균일성을 달성, 
할 때 문제가 있고 웨이퍼 지름들이 증가함에 따라 문제가 좀 더 심각해진다는 것을 해결, 
하기 위한 필요성이 있다.
0005【 】 웨이퍼 지름이 증가할 때 웨이퍼의 중심 영역에 적용되는 지점의 액체와 그것이 , 
웨이퍼의 주변으로 방사상 외부로 움직인 후의 동일한 액체 사이의 온도 차이 역시 그렇게 
- 4 -
증가할 것이다 이것은 웨이퍼의 중심으로부터의 거리의 함수로서 변하는 에칭 비율을 초래. 
하고 따라서 불량한 프로세스 균일도 결과를 초래한다, .
0006【 】 이 문제를 경감하는 전통적인 접근들은 소위 말하는 붐 스윙 디스펜서인 이동" " , 
가능한 팔들로부터 프로세스 액체를 분배하는 것을 포함했다 그러나 이것은 그것의 동작뿐; , 
만 아니라 디바이스의 복잡도와 비용의 증가를 수반한다 문제는 프로세스 액체의 흐름을 . 
증가함으로써 및 또는 웨이퍼의 반대측 상의 탈이온수와 같은 고온 액체를 분배함으로써 어, /
느 정도 해결될 수 있다 그러나 이들 기술들은 프로세스 액체들의 높은 소모를 초래한다; .
발명의 내용 
0008【 】 적어도 개의 개별적으로 제어가능한 적외선 가열 엘리먼트들은 스핀척 위에 위3
치결정될 때 디스크 형상의 아티클에 인접한 개별적으로 제어가능한 내부 중간 및 외부 가, 
열 구역들을 정의하기 위하여 네스티드 구성으로 배열된다(nested) .
0038【 】 도 및 는 두 개의 주요한 서브어셈블리들 즉 베이스 스핀척 과 모듈형 1 2 , , (10) 
적외선 가열 어셈블리 로 구성된 장치를 도시한다 스핀척 은 정지된 중심이 빈 (20) . (10) 
포스트 에 대한 회전을 위해 장착된 회전형 주 바디 를 포함한다(14) (main body) (12) . 
차례로 이 포스트 는 소켓들이 가열 어셈블리 로부터 아래로 종속되는 대응하는 , (14) , (20) 
수컷 커넥터들 미도시 을 수용하고 그 어셈블리 내의 가열 램프들에 구동 전류를 ( ) , (20) IR 
공급하는 포스트 의 숄더 에 있는 일련의 암컷 전기 소켓들 뿐만 아니, (14) (shoulder) (15) 
라 스핀척 위에 장착될 때 웨이퍼의 이면 위에 프로세스 액체 또는 가스를 분배하기 위한 
중심 노즐 을 포함한다(18) . 
- 5 -
도 본 발명의 실시예에 따른 디스크 < 1> 
형상의 아티클들을 처리하기 위한 장치의 
분해된 개관도
도 도 의 실시예 상면도< 2> 1
0041【 】 커버 는 램프들 에 의해 방출된 복사의 파장들에 투명한 물(24) (21, 23, 25) IR 
질로부터 형성된 판이고 이 판 은 예를 들어 당업자에게 알려진 것처럼 사파이어 또, (24) , , 
는 석영 유리로 형성될 수 있다 판 은 분배 노즐 의 상부 말단의 통과를 허용하기 . (24) (18) 
위해 그 안에 형성된 작은 중심 개구 를 갖는다, (19) .
0045【 】 도 의 평면도에서 이 실시예의 개의 가열 엘리먼트들의 각각이 곧은 부분 외2 , 3 (
부 가열 엘리먼트 의 경우에 에 의해 서로 연결된 개의 구부러진 부분 외부 가(25) 25-2) 2 (
열 엘리먼트들 의 경우에 및 들로 구성되는 것이 관측될 수 있다 중간 및 (25) 25-1 25-3) . 
내부 가열 엘리먼트들 및 은 각각 동일한 형상을 갖는다 이 실시예의 가열 엘리먼(23 21) , , . 
트들 은 이에 따라 일반적으로 형상이다(21, 23, 25) C .
그 결과 이 실시예에서 가열 엘리먼트들 의 위치 및 형상 둘 다 방 0046 , , (21, 23, 25) , 【 】 
사 정도가 가열 엘리먼트들의 단면 지름보다 상당히 큰 환상 영역을 각각의 가열 (annular) 
엘리먼트들이 가열하는 점에서 웨이퍼 가 정지된 가열 엘리먼트들 에 관하, (W) (21, 23, 25) 
여 척 에 의해 회전되는 경우 각각의 가열 엘리먼트는 회전하는 웨이퍼 에 관하여 (10) , (W) 
방사상으로 효율적으로 이동하도록 한다 본 실시예에서 그 구역들은 도 의 파선으로 도시. , 2
된 원들에 의해 경계가 결정되고 그 구역들은 도 의 및 으로 지정된다, 2 Z1, Z2 Z3 . 
하부 하우징 부분 또는 껍질 0048 (22) 【 】 
도 도 에 도시된 척을 통한 축단면도< 3> 1
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나 행 명들 . 
행 명 1) 1 증( 4 )
행 명 공개 일본 공개특허공보 에 게재 1 2007. 6. 14. 2007-149772
처리 장 에 것이며 주요 내용 도면 다 과 같다‘ ’ , . 
의 위쪽으로 향한 면은 램프들 (21, 23, 25) 
에 의해 방출되는 복사를 투명 판 IR (24) 
을 통해 위쪽으로 그리고 웨이퍼 의 아(W) 
래쪽으로 향하는 표면 위로 안내할 때 돕기 
위해 적합한 반사 코팅 을 제공받는 IR (31) 
것이 바람직하다. 
기술분야 
[0001] 본 발명은 반도체 웨이퍼나 액정표시장치 의 유리 기판으로 대표되는 플랫 패(LCD)
널 디스플레이 등의 피처리 기판에 대해서 세정 등의 액처리를 가하는 액처리 방법 및 (FPD) 
액처리 장치 및 액처리 방법을 실시하기 위한 제어 프로그램 및 컴퓨터 판독가능한 기억 매
체에 관한 것이다.
발명의 내용 
[0020] 세정 처리 장치 는 아우터 체임버 의 내부에 이너 컵 도 과 이너 컵 (100) (2) (11)( 2) (1
내에서 웨이퍼 를 유지하는 스핀 척 과 스핀 척 에 유지된 웨이퍼 의 이면측에 1) (W) (12) , (12) (W)
웨이퍼 에 대향하도록 그리고 상하이동 가능하게 설치된 언더 플레이트 를 가지고 있(W) (13)
다. 
[0027] 스핀 척 은 회전 플레이트 와 회전 플레이트 의 중앙부에 접속되어 회전 (12) (41) (41)
플레이트 의 하방으로 연장되는 회전 (41)
도 처리장치의 개략 단면도 < 2> 
- 7 -
행 명 2) 2 증( 5 )
행 명 는 공고 등 특허공보 에 게재 열처리 2 2005. 8. 18. 10-0509085 ‘
원통체 를 가지고 웨이퍼 를 지지하(42) , (W)
는 지지 핀 과 웨이퍼 를 보유하는 (44a) (W)
보유 핀 이 회전 플레이트 의 주변(44b) (41)
부에 장착되어 있다. 
[0028] 회전 원통체 의 하단부의 외(42)
주면에는 벨트 가 권회되고 있고 벨트(45)
를 모터 에 의해서 구동시킴으로(45) (46)
써 회전 원통체 및 회전 플레이트, (42) (4
를 회전시켜 유지 핀 에 유지된 웨1) , (44b)
이퍼 를 회전시킬 수 있게 되어 있다(W) . 
[0029] 언더 플레이트 는 회전 플레(13)
이트 의 중앙부 및 회전 원통체 내를 관통 삽입해 형성된 샤프트 지지 기둥 에 접(41) (42) ( )(47)
속되어 있다 샤프트 는 그 하단부에 있어서 수평판 에 고정되어 있고 이 수평판. (47) , (48) , (48)
은 샤프트 와 일체적으로 에어 실린더 등의 승강기구 에 의해 승강가능하게 되어 있다(47) (49) . 
그리고 언더 플레이트 는 이 승강기구 에 의해 스핀 척 과 반송 암 도시 생략 사이(13) (49) , (12) ( ) 
에서 웨이퍼 의 전달이 실시될 때에는 반송 암과 충돌하지 않도록 회전 플레이트 에 (W) , (41)
근접하는 위치에 강하되고 웨이퍼 의 이면에 대해 세정 처리를 실시하기 위해서 패들 액, W (
막 을 형성할 때에는 웨이퍼 의 이면에 근접하는 위치로 상승된다 또 패들에 의한 세정 ) , (W) . , 
처리가 종료된 후에는 적당의 위치에 하강된다 또한 언더 플레이트 의 높이 위치를 고. , (13)
정시키고 회전 원통체 를 승강시키는 것에 의해 스핀 척 에 보유된 웨이퍼 와 언, (42) (12) (W)
더 플레이트 와의 상대 위치를 조정해도 된다(13) . 
[0030] 언더 플레이트 및 샤프트 에는 그 내부를 관통하도록 세정액인 물약이나 린(13) (47) , 
스액인 순수한 물 및 액막 파괴용의 가스 예를 들면 질소 가스 를 웨이퍼 의 이면으로 향( ) (W)
하여 공급하는 이면 세정용 노즐 이 설치되고 있다 또 언더 플레이트 에는 히터 가 (50) . , (13) (33)
매설되고 있고 도시되지 않은 전원으로부터 급전됨으로써 언더 플레이트 를 통하여 웨이, (13)
터 의 온도 제어가 가능해지고 있다(W) . 
- 8 -
시스 에 것이다’ . 
기술분야 
[0001] 본 발명은 예를 들면 가열 램프 시스템을 사용하여 반도체 웨이퍼와 같은 피처리
체상에서 어닐링 프로세스 화학증착 등과 같은 열 처리를 실행하기 위한 시스템에 관, CVD( ) 
한 것이다.
발명의 내용 
[0003] 반도체 웨이퍼가 위치되는 탑재대는 온도의 분균일성의 발생이 회피하도록 회전된
다.
[0054] 증착 프로세스가 열 처리로서 웨이퍼 상에서 실행되는 경우에 증착 가스는 (W) , N2 
가스와 같은 캐리어 가스와 함께 처리 챔버 내의 처리 공간 내로 제공된다(42) (S) .
[0056] 레그 부분 의 자석 부분 은 회전 자기장을 추종하도록 이동된다 따라서 레(50) (52) . , 
그 부분 및 지지 링 은 이에 의해 회전된다 그 결과 지지 링 에 의해 유지된 반도(50) (48) . , (48)
체 웨이퍼 는 열 처리 간격 동안에 회전된다 이에 의해 웨이퍼 의 온도가 웨이퍼 의 (W) . , (W) (W)
표면에 걸쳐서 균일하게 제조될 수 있는 조건이 유지된다.
[0063] 상술한 실시예에 있어
서 가열 램프 시스템 은 대략 , (86)
반원 형상을 갖도록 형성된 동
심으로 배치된 튜브형 가열 램
프 를 포함하며 또한 램프(90) , (9
에 공급된 전력은 각각 제어 0)
부분 에 의한 독립적인 제어(200)
를 통해서 각 영역에 대해서 제
어된다.
[0064] 웨이퍼 의 주변부는 (W)
그 중심과 비교할 때 램프로부터 방사된 상대적으로 많은 양의 열을 갖고 있다 이러한 상. 
황을 다루기 위해서 상술한 실시예에 있어서 램프 가 상술한 바와 같이 동심으로 배치, , (90)
되고 그리고 공급 전력이 각각 개별적으로 각 도 가열 램프의 배열 평면도< 12> 
도 열처리 시스템의 측면도< 9> 
- 9 -
다 이 사건 심결 경 . 
특허청 심사 이 사건 출원 명 그 명이 속 는 분야1) 2020. 8. 24. ‘
에 통상 지식 가진 사람 이 통상 자라 다 이 행 명 에 여 ( ‘ ’ ) 1, 2
동심 영역에 대해서 제어됨으로써 그 지향성, 
이 개선되고 또한 웨이퍼 의 반경방향을 , (W)
따라 고정밀도로 온도 제어를 실행할 수 있
다 따라서 웨이퍼 의 표면의 온도가 웨이. , (W)
퍼 의 표면에 걸쳐서 효율적으로 균일하게 (W)
될 수 있도록 제어될 수 있다 상술한 지향성. 
은 또한 상술한 바와 같이 투과 윈도우 의 (68)
두께 를 감소시킴으로써 개선될 수 있다 따(t) . 
라서 지향성이 더욱 개선될 수 있다, .
[0065] 도 의 실시예에 있어서 각 가열 12 , 
램프 는 반원과 유사하게 형성된다 그러나 호 형상의 개구 각도는 이것으로 제한되지 (90) . , 
않으며 호 의 개구 각도를 가진 호 형상 호 의 개구 각도를 가진 호 형상 , 90°(1/4 ) , 60°(1/6 )
등으로 각 가열 램프 를 형성할 수 있다 또한 상이한 영역을 위한 상이한 개구 각도를 (90) . , 
가진 호 형상을 가진 튜브형 가열 램프가 조합될 수 있다. 
[0066] 더욱이 원의 단지 일부분만이 도 에 도시된 바와 같이 절취된 대략 원형 링형상 , 13
튜브형 가열 램프 를 이용할 수도 있다(90A) .
프로세스와 같은 감압 대기 또는 진공 대기하에서 처리가 실행된다 그러나 [0071] CVD . , 
열 처리가 어닐링 프로세스 확산 프로세스 등과 같이 대기압 대기 또는 대기압 대기 근처, , 
의 대기에서 실행되는 경우에 도 에 도시된 투과 윈도우의 내압성을 증가시키기 위해서 , 9
지지 프레임 부재 를 제공할 필요는 없다 이러한 경우에 도 에 도시된 바와 같이 투(66) . , 18 , 
과 윈도우 는 단지 링 을 거쳐서 처리 챔버 의 상부에 직접 설정된다 이에 의해(68) O- (64) (42) . , 
웨이퍼 의 표면과 가열 램프 시스템 사이의 거리 를 더 감소시킬 수 있다 따라서(W) (86) (D) . , 
가열 램프 시스템 의 지향성이 더욱 개선되며 그에 따라 각 영역에 대한 온도 제어의 정(86) , 
밀도를 더욱 개선할 수 있다.
- 10 -
쉽게 명 있는 것이므 진보 이 부 다 라는 이 견 출통지를 .‘
다 이에 원고는 보 를 출 고 재심사를 청구 면 . 2020. 10. 26. 2021. 2. 26. 
보 를 출 나 특허청 심사 이 사건 출원 명 , 2021. 3. 22. ‘ 2020. 8. 
자 거 이 를 해소 지 못 다 라는 이 거 결 다24. .’ .
이에 원고는 특허심 원 원 거 결 에 불복 2) 2021. 4. 21. 2021 1001
심 청구를 고 특허심 원 원고 심 청구를 각 는 이 사, 2022. 1. 26. 
건 심결 다.
인 근거 다 없는 사실 갑 내지 증 증 내지 , 1 4 , 1 1, 2, 2 5, 【 】
증 각 재 변 체 취지14, 15 , 
당사자 주장의 요지2. 
가 원고 . 
이 사건 항 출원 명 부 우징에 포함 어도 개 개별 어가능 1 3
가열 엘리 트는 행 명 히 상이 고 이 사건 항 출원 명 우징1 , 1
행 명 속이 찬 구조체인 언 이트 상이 다 행 명 에는 1 . 1
이 사건 항 출원 명 복사 과 는 과 개 개별 어 가능 가1 3
열 엘리 트가 내부 간 외부 가열 구역들 규 해 스티드 구 , 
열 는 것에 는 구 이 개시 어 있지 다.
행 명 는 튜 가열램 과 도우를 개시 고 있 나 이 가열램 2
과 도우는 처리챔버 외 는 상부에 어 있어 이 사건 항 출원 명 가, 1
열 엘리 트 이 스 척 상부에 장착 는 것과 에 차이가 있 며 , 
행 명 과 도우 지지 임 이 사건 항 출원 명 과 차2 (68) (72) 1
- 11 -
이가 있다. 
행 명 는 가스를 이용 열처리 시스 이어 행 명 과 같 체를 이용 2 1
열처리 시스 에 결합 어 울 뿐 니라 행 명 램 를 용 는 램 스2
행 명 히 를 용 는 언 이트 는 그 구조가 매우 상이 여(84) 1 (13) , 
행 명 램 스 를 행 명 에 채용 도 어 다 라 이 사건 항 2 (84) 1 . 1
출원 명 그 진보 이 부 지 는다. 
나 고 . 
이 사건 항 출원 명과 행 명 개별 어가능 어도 개 가열 1 1 , 3
엘리 트가 스티드 구 열 가열 엘리 트들에 해 출 복사 , 
과 해 가열 엘리 트 스크 상 티클 사이에 과 이 다는 
가열 엘리 트를 포함 는 부 우징 벽이 닥 돌출 는 에 , 
차이가 있 나 이 같 차이는 이 사건 분야 주지 용 내지는 행 명 , 
에 동일 구 이 개시 어 있거나 통상 자가 그 같이 개시 사항 부 2
쉽게 도출해 낼 있 며 행 명 과 는 그 분야가 동일 여 결합에 어 움, 1 2
이 없다 라 이 사건 출원 명 그 진보 이 부 다. . 
이 사건 심결의 위법 여부3. 
가 이 사건 출원 명 진보 부 여부 . 
이 사건 항 출원 명과 행 명 구 요소 1) 1 1
구성
요소
이 사건 제 항 출원발명1 선행발명 1
1
디스크 형상의 아티클을 액체 처리하는 장-
치로서 스핀척의 상부표면에 관하여 미리 , 
디스크 형상의 웨이퍼 를 액 처리하는 (W)
장치로서 스핀척 의 상부표면에서 지지, (12)
- 12 -
결정된 배향으로 디스크 형상의 아티클을 
유지하기 위한 상기 스핀척
판 과 유지판 으로 웨이퍼 를 미(44a) (44b) (W)
리 결정된 배향으로 지지 및 유지하는 스
핀척(12)
식별번호 및 도 참조( [1, 27] 2 )
2-1
상기 스핀척의 상기 상부표면 위와 상기 스
핀척 상에 장착될 때 상기 디스크 형상의 
아티클 하부에 장착된 적어도 개의 개별적3
으로 제어가능한 가열 엘리먼트들로서 상기 , 
개별적으로 제어가능한 가열 엘리먼트들은 
상기 스핀척의 회전에 관하여 정지된 방식
으로 장착되는 상기 적어도 개의 개별적으, 3
로 제어가능한 가열 엘리먼트들
스핀척 상에 장착될 때 디스크 형상의 (12) , 
웨이퍼 하부에 장착된 언더플레이트(W) (13)
의 히터(33)
스핀척 의 회전에 대해 정지된 상태의 (12)
히터(33)
식별번호 및 도 참조( [28-30] 2 )
2-2
디스크 형상의 아티클을 액체 처리하는 장-
치의 액체 처리 영역 내의 하부하우징으로
서 상기 하부하우징은 상기 적어도 개의 , 3
개별적으로 제어가능한 가열 엘리먼트들을 
포함하고
웨이퍼 를 액 처리하는 장치의 액체 처(W)
리 영역 내의 언더플레이트 는 히터(13) (33)
를 포함하고 도 참조, ( 2 )
3
상기 하부하우징은 바닥 부분 및 측벽 부분
을 포함하고 상기 바닥 부분 및 상기 측벽 , 
부분은 서로 연결되고 상기 측벽 부분은 상, 
기 액체 처리하는 장치 내의 상기 측벽 부-
분의 주변 영역에서 상기 바닥 부분으로부
터 위로 돌출되는 상기 (upwardly projecting) 
하부하우징
언더플레이트 는 바닥과 측벽을 포함하(13)
고 상기 바닥과 측벽은 서로 연결되고 , ( 
도 참조2 )
4
상기 적어도 개의 개별적으로 제어가능한 3
가열 엘리먼트들에 의해 방출된 복사선을 
투과하는 판으로서 상기 판은 상기 스핀척 , 
상에 위치결정된 때 상기 적어도 개의 개3
별적으로 제어가능한 가열 엘리먼트들과 상
기 디스크 형상의 아티클 사이에 위치결정
없음
- 13 -
공통 차이 2) 
가 구 요소 ) 1
구 요소 과 행 명 구 체 처리 장 티클 웨이퍼 상부 1 1 , ( )
면에 지 는 스 척 포함 고 있다는 에 동일 다. 
나 구 요소 과 ) 2-1 2-3
구 요소 과 행 명 구 티클 가열 는 단 가지며 2-1, 2-3 1 , , 
그 가열 단 가열 엘리 트 히 스 척 회 에 해 지 상태를 지 다는 ( , )
에 동일 다 다만 구 요소 과 개별 어가능 어도 개 가. 2-1 2-3 3
열 엘린 트가 스티드 구 열 는 면 행 명 에는 명 명에 히, 1
가 있다는 재는 있 나 히 열 그 어 식에 재는 없다 이 , (
‘차이 1 이라 다’ ).
다 구 요소 ) 2-2
구 요소 행 명 구 가열장 를 용 는 구 이라는 에 2-2 1 , 
동일 다.
라 구 요소 ) 3
되는 상기 판을 포함하고, 
2-3
적어도 개의 개별적으로 제어가능한 가열 3
엘리먼트들은 상기 스핀척 상에 위치결정될 
때 상기 디스크 형상의 아티클에 인접한 개
별적으로 제어가능한 내부 중간 및 외부 가, 
열 구역들을 규정하기 위해 네스티드 
구성으로 배열되는 디스크 형상의 (nested) , 
아티클을 액체 처리하는 장치 -
히터 가 웨이퍼 를 가열하는 디스크 (33) (W) , 
형상의 웨이퍼 를 액처리하는 장치(W)
- 14 -
구 요소 가열 엘리 트를 포함 는 부 우징 벽이 닥 부 돌 3
출 는 구조를 이루고 있는 것이다 그런데 행 명 구 히 가 언. 1
이트에 매립 는 구조여 구 요소 과 차이가 있다 이 3 ( ‘차이 2라 다’ )
마 구 요소 ) 4
구 요소 는 가열 엘리 트들과 스크 상 티클 사이에 여 가열 엘리 4
트들에 해 출 는 복사 과 는 인데 행 명 히 가 매립 어 있, 1
므 구 요소 에 는 구 구 고 있지 다 이 4 ( ‘차이 3 이라 다’ ).
차이 리 ) 
이 사건 항 출원 명과 행 명 웨이퍼 같 티클 체 처리를 1 1
장 에 것 티클 웨이퍼 상부 면에 지 는 스 척 포함 며, ( ) , 
티클이 스 척 회 에 해 지 상태를 지 면 티클 가열 는 단 구
고 있다는 에 동일 다. 
그러나 양 명 티클 가열 는 구체 인 가열 단과 가열 단 지 내지 지 
지 는 구 에 차이가 있어 행 명 부 이 사건 항 출원 명에 이르 해, 1 1
는 행 명 언 이트에 매립 는 히 를 스티드 구 열 고 1① 
개별 어 는 어도 개 가열 엘리 트 변경 여야 고 가열 엘리 트를 3 , ② 
포함 는 부 우징 벽이 닥 부 돌출 는 것 변경 면 , ③ 
가열 엘리 트에 해 출 는 복사 과 는 부가 여야 다.
차이 용이극복 여부에 단 3) 
가 차이 ) 1
행 명 히 를 구 요소 과 같이 개별 어가능 어 (1) 1 2-1, 2-3
- 15 -
도 개 가열 엘리 트 변경 는 것이 용이 지 여부3
가 이 사건 출원 명 명 명 경 에는 다 과 같 재가 있다( ) .
경 에 재에 면 스크 상 티클 웨이퍼 체 처리 는 , ( )
장 에 웨이퍼 면 도를 균일 게 여 붐 스 스펜스 식 이“ ” 
부 사용 여 있고 이는 웨이퍼 면 도를 균일 게 는 것 , 
티클 체 처리 는 장 를 작 개 고 어야 는 요 사항 이 , 
분야에 당면 과 라는 것 있다. 
그런데 행 명 에 다 과 같이 복 램 가열 엘리 트 를 개별 어 2 ( )
는 구 이 개시 어 있다. 
0004【 】 가열된 프로세스 액체들을 사용할 때 웨이퍼의 표면에 걸친 온도 균일성을 달성할 , 
때 문제가 있고 웨이퍼 지름들이 증가함에 따라 문제가 좀 더 심각해진다는 것을 해결하기 , 
위한 필요성이 있다.
0005【 】 웨이퍼 지름이 증가할 때 웨이퍼의 중심 영역에 적용되는 지점의 액체와 그것이 , 
웨이퍼의 주변으로 방사상 외부로 움직인 후의 동일한 액체 사이의 온도 차이 역시 그렇게 
증가할 것이다 이것은 웨이퍼의 중심으로부터의 거리의 함수로서 변하는 에칭 비율을 초래. 
하고 따라서 불량한 프로세스 균일도 결과를 초래한다, .
0006【 】 이 문제를 경감하는 전통적인 접근들은 소위 말하는 붐 스윙 디스펜서인 이동가" " , 
능한 팔들로부터 프로세스 액체를 분배하는 것을 포함했다 그러나 이것은 그것의 동작뿐; , 
만 아니라 디바이스의 복잡도과 비용의 증가를 수반한다 문제는 프로세스 액체의 흐름을 . 
증가함으로써 및 또는 웨이퍼의 반대측 상의 탈이온수와 같은 고온 액체를 분배함으로써 , /
어느 정도 해결될 수 있다 그러나 이들 기술들은 프로세스 액체들의 높은 소모를 초래한; 
다.
피처리체의 각 영역에 대해서 개별적으로 제어되는 열 처리 시스템이 제공된다0024 .【 】 
웨이퍼 의 주변부는 그 중심과 비교할 때 램프로부터 방사된 상대적으로 많은 양0064 (W)【 】 
의 열을 갖고 있다 이러한 상황을 다루기 위해서 상술한 실시예에 있어서 램프 가 상술. , , (90)
- 16 -
즉 이 같이 티클 체 처리 는 장 에 있어 티클 면 도를 균일 , , 
게 는 것 이 사건 출원 명이 속 는 분야에 당면 과 이고 행, 
명 에 그 같 과 를 해결 있는 개별 어 는 복 가열 램2 ‘
가 개시 어 있 므 통상 자는 행 명 히 를 행 명 개별 (90)’ , 1 ‘ ’ 2 ‘
어 는 복 가열 램 변경 여 구 요소 과 같 구 쉽게 도(90)’ 2-1, 2-3
출 있다. 
나 원고는 행 명 체를 이용 처리장 인 면 행 명 는 ( ) , 1 2
체를 이용 처리장 처리장 종 가 상이 므 행 명 에 행 명 1 2
램 를 결합 곤란 다는 취지 주장 나 에 든 각 증거에 해 인 는 , 
래 같 종합 면 행 명 에 행 명 를 결합 는 것 통상 자, 1 2
에게 용이 다고 인 다. 
① 행 명 명 경 란에 일 도체 집 회 를 2 “
조 해 는 증착 스 어닐링 산 산 스 스 링 포, , , , 
스 에칭 질 등과 같 다양 열 가 도체 웨이퍼, , 
같 실리 상에 몇 번 복 실행 다 이러 경우에 집 회 . , 
특 품 처리량 높 지 해 상 다양 열 , 
가 웨이퍼 체 면상에 보다 일 게 실행 어야 다 이를 해 열 . 
스 달 웨이퍼 도에 라 상당히 좌우 에 웨이퍼 도는 , 
한 바와 같이 동심으로 배치되고 그리고 공급 전력이 각각 개별적으로 각 동심 영역에 대
해서 제어됨으로써 그 지향성이 개선되고 또한 웨이퍼 의 반경방향을 따라 고정밀도로 , (W)
온도 제어를 실행할 수 있다 따라서 웨이퍼 의 표면 온도가 웨이퍼 의 표면에 걸쳐서 . (W) (W)
효율적으로 균일하게 될 수 있도록 제어될 수 있다.
- 17 -
열처리에 그 체 면에 걸쳐 높 도 일 해야 다 식별번 ”( [0002], 
라는 재가 있다 같 재 부 도체 작 열 공[0003]) . 
에 있어 웨이퍼 도를 균일 게 는 것 요 고 사항임 , 
있고 이는 체를 이용 처리장 냐 니면 체를 이용 처리장 이냐에 라 달, 
라진다고 없다 . 체를 이용 처리장 에 행 명 는 티클 균2
일 도 어를 과 삼고 있고 이 사건 출원 명 경 에 나타나 , 
있듯이 체를 이용 처리장 에 도 티클 균일 도 어를 요 과
삼고 있 보 라도 체를 이용 처리장 체를 이용 처리장 모, 
에 티클 도를 균일 게 는 것 요 게 고 어지는 사항 내
지 과 임 있다 라 행 명 에 같 과 를 해결. 2
있는 단인 램 가 개시 어 있는 이상 통상 자가 행 명 , 2
램 를 체를 이용 처리장 에 도입 동 는 충분 다고 것이다. 
행 명 식별번 에는 이면 용 노즐 통해 1 [0030] (50)② 
인 약 이나 린스 인 뿐만 니라 막 용 가스 를 들면 질소 가(
스 를 웨이퍼 이면 향해 공 는 이면 용 노즐 이 어 있다고 ) (W) (50)
재 어 있고 행 명 식별번 에도 증착 스가 열 처리 웨이퍼, 2 [0054]
상에 실행 는 경우에 증착 가스는 질소(W) (N2 가스 같 캐리어 가스 함께 처) 
리 챔버 내 처리 공간 내 공 다고 재 어 있다 라 이 사건 (42) (S) . 
분야에 통상 자라면 행 명 에 행 명 를 결합해 보는 것 충분히 1 2
고 해 볼 있다고 것이다. 
행 명 체를 이용 처리장 에 웨이퍼를 균일 게 가열 는 램 2③ 
- 18 -
를 행 명 과 같 체를 이용 처리장 에 도입 는데 과도 계변경 요1
다고 보이지 는다 즉. , 행 명 가열 단과 구 외 나 지 구1
에 과도 변경 없이 행 명 램 구 용 있다2 . 
이에 여 원고 주장과 같이 , ④ 체를 이용 처리장 가 체를 이용 
처리장 에 해 이 는 나 통상 자에게 부품 크 를 내장 는 장 에 , 
맞게 축소 내지 는 것 통상 인 창작행 에 지나지 므 같 크, 
나 부 차이가 행 명 과 결합에 장 요소가 다고 볼 없다1 2 . 
가열엘리 트를 스티드 구 변경 는 것이 용이 지 여부 (2) ‘ (nested) ’
이 사건 출원 명 명 에는 스티드 구 이라는 용어 미에 ‘ (nested) ’
명이 없 나 그 용어 일 미, 3) 도면 내지 를 참작 면 이는 내 에 2 5
는 램 를 외 에 는 램 상 러싸 포개어지는 둥지 태 구조
를 미 는 것 해 다. 
그런데 행 명 에는 가열 램 시스 략 원 상 갖도 동 2 ‘ (86)
심 튜 가열 램 라는 재가 있 며 도면 에는 상 튜(90)’ , 12
가열 램 가 복 개 동심 러싸는 태 것이 나타나 있다 . 
증 재 상에 면 이 같 상 속 열처리 장 분야에 7, 8
이 사건 출원 명 이 에 리 지고 사용 는 임 있다. 
3) 동사 미는 에 둥우리를 만들어 주다 둥우리에 다 등 미를 갖는다 원고가 인용 고 있는 슈 림 어사 ‘nest’ ‘~ . ’ .: 
참조. 
- 19 -
라 통상 자가 행 명 를 참작 여 가열 엘리 트 구조를 스 2 ‘
티드 구 변경 는 것에 어떠 어 움이 있다고 볼 없다(nested) ’ . 
차이 에 검토 소결 (3) 1
라 차이 행 명 히 를 행 명 개별 어 는 복 가열 1 1 ‘ ’ 2 ‘
램 변경 행 명 에 나타난 램 구조를 지 면 그 가열 램(90)’ , 2
를 행 명 에 결합함 써 쉽게 극복 있다1 . 
나 차이 ) 2
차이 는 이 사건 출원 명에 가열 엘리 트를 용 는 우징 벽이 닥 2 , 
부 돌출 는 구조에 것이다.
이 사건 출원 명에 우징 벽이 닥 부 돌출 는 구조를 가지는 
것 복사열 출 는 가열 엘리 트가 용 있는 공간 공 것이, 
다 식별번 도( [0048], 3). 편 램 에 복사열 가열원 사용 는 행 명 
에 도 복사열 내 여 램 스 우징 벽이 래 돌출 어 어 2 ( )
이 사건 출원 명 행 명 도면 2 12
- 20 -
있는 구조를 가지고 있다.
이 같이 행 명 에 는 이 사건 출원 명과 달리 램 스 벽이 래 2 (84) ‘
돌출 어 있 나 이는 램 를 웨이퍼 상부에 함에 른 것이다 즉 행’ , . 
명 램 를 행 명 에 히 가 에 면 자연히 램 를 용2 1 , 
는 램 스 벽도 이 사건 출원 명과 마찬가지 돌출 게 다 그런데 ‘ ’ . 
통상 자는 행 명 히 를 행 명 램 변경 그 본1 2
래 히 인 웨이퍼 부를 우 고 것이므 결국 차이 는 행, 2
명 에 해 쉽게 극복 있는 것이다1, 2 . 
다 차이 ) 3
차이 행 명 에 이 사건 항 출원 명 이 없다는 것인데 (1) 3 1 1 (24) , 
행 명 에는 이 사건 출원 명 과 실질 동일 능과 작용효과를 2 (24)
갖는 과 도우 가 개시 어 있다 그리고 과 도우 는 복사열 이용 는 (68) . ( )
램 에 램 열 과 면 램 를 보 것 식별번 가열( [0041])
단 램 를 사용 면 그에 라 자연히 는 구 이다 내지 . 7 12
증 재 상에 면 스 겐 램 웨어퍼 사이에 창 창 , ( )
이 사건 출원 명 행 명 도면 2 17
- 21 -
여 스 겐 램 에 사 는 복사열 창 창 통해 웨이퍼에 ( )
가 여 이를 가열 는 이 사건 출원 명 분야에 리 사용 고 있었다는 
있다 라 차이 행 명 히 를 행 명 램 체. 3 1 2
면 어 움 없이 극복 가능 것이다.
원고는 행 명 에 과 도우 지지 임 일체 구 이어 (2) 2 (72)
과 도우만 떼어내 행 명 에 결합 어 다고 주장 다1 .
살 건 행 명 에 지지 임 과 도우를 포함 는 램 스를 에 2
지지 는 구 식별번 과 도우를 포함 는 램 스를 웨이퍼 ( [0058])
부에 면 램 스를 지지 는 지지 임 요 없게 다 라 통상 . 
자가 행 명 램 구 행 명 에 결합 지지 임 외2 1
고 과 도우만 도입 는 것에 어 움이 있다고 볼 없다. 
항 출원 명 진보 에 단 소결 4) 1
이 사건 항 출원 명 통상 자가 행 명 에 행 명 를 결합 여 쉽 1 1 2
게 명 있어 그 진보 이 부 다.
나 소결 . 
특허출원에 있어 청구범 가 이상 청구항 이루어진 경우에 어느 나 
청구항이라도 거 이 가 있는 에는 그 특허출원 부가 거 어야 므 법원 (
고 후 결 등 참조 이 사건 항 출원 명 진보 이 부2009. 12. 10. 2007 3820 ), 1
어 특허를 없는 이상 나 지 청구항에 여 나 가 살펴볼 요 없
이 이 사건 출원 명 특허를 없다 라 이 결 같이 이 사건 심. 
결 법 다. 
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결론4. 
이 사건 심결 취소를 구 는 원고 청구는 이 없 므 이를 각 여 
주 과 같이 결 다.
재 장 사 구자헌
사 이 진
사