[지재 판결문] 특허법원 2021허6771 - 등록무효(특)

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특 허 법 원
제 부
결
사 건 허 등 효 특2021 6771 ( )
원 고 A
일본국 
자 B
소송 리인 변 사 상욱 강경태 종 장 진 장재, , , , 
변리사 이만 이 욱 승식 사라, , , 
고 주식회사C 
이사 D
소송 리인 특허법인 다울
담당변리사 이병
변 종 결 2023. 4. 6.
결 고 2023. 6. 8.
주 문
원고 청구를 각 다1. .
- 2 -
소송 용 원고가 부담 다2. .
청 구 취 지
특허심 원이 당 당 병합 사건에 여 심결2021. 10. 26. 2021 758 , 2021 1068 ( ) 
이 이 사건 심결이라 다 특허 청구항 항 부분 취소( ‘ ’ ) 10-1115288 3
다.
이 유
사실1. 
가 이 사건 특허 명 . 
명 명칭 몰 드 리드리스 키지 이를 이용 키지 1) : LED 
출원일 등 일 등 번 2) / / : 2010. 3. 5./ 2012. 2. 6./ 10-1115288
특허권자 고 3) : 
자 청구에 청구범 추가 부분 삭 4) 2021. 5. 13. ( , 
부분 취소 시 다)1)
청구항 상 는 상부 면 부 면 갖는 다이 드 이 1 ( ’【 】 
구 요소 이라 다 상 다이 드 상부 면 상에 실장 도체 칩 이 구1‘ ); ( ’
요소 라 다 상 다이 드 주변 역에 상 다이 드 일 간격 이격 도2‘ ); 
다 리드 이 구 요소 이라 다 상 도체 칩과 상 다 리( ’ 3‘ ); 
드 각각 연결 는 연결 단도 클립 이 구 요소 라 다 ( ’ 4‘ ); 
1) 원고는 법 여부에 여는 다 지 않 므 후를 통틀어 이 사건 특허 명이라 다, ‘ ’ .
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어도 상 리드 면 일부 상 다이 드 일부를 노출 며 상 다이 
드 상 도체 칩 상 리드 상 , , 연결 단도 클립 덮는 키지 를 
포함 며 이 구 요소 라 다 상 다이 드 께가 상 리드 키지 ( ’ 5‘ ), 
외부 노출 는 외부 리드보다 꺼운 것 이 구 요소 이라 다 특징( ’ 6‘ )
는 몰 드 리드리스 키지.
청구항 항에 있어 상 다이 드 께는 인 것 2 1 , 0.25 0.6【 】 ～ ㎜
특징 는 몰 드 리드리스 키지.
청구항 항에 있어 상 리드 키지 외부 노출 지 3 1 , 【 】 
않는 내부 리드 역 상 다이 드 같 께를 갖는 것 이 구 요소 이라 ( ’ 7‘
다 특징 는 몰 드 리드리스 키지 이 이 사건 항 특허 명이라 ) ( ’ 3 ‘
다).
청구항 항에 있어 상 다이 드 상부 면이 일 이 리4 1 , 【 】 
스 고 상 도체 칩 다이 드 리 스 역에 실장 것 특징 는 , 
몰 드 리드리스 키지.
청구항 항에 있어 상 다이 드 부 면 는 상 리드 5 1 , 【 】 
면에는 키지 착 좋게 여 어도 나 , (dimple) 
는 그루 가 것 특징 는 몰 드 리드리스 키지(groove) .
청구항 항에 있어 상 다이 드 부 면과 상 리드 6 1 , 【 】 
면 동일 평면 며 상 키지 면 상 평면 부 일 , 
께 돌출 것 특징 는 몰 드 리드리스 키지.
청구항 항에 있어 상 키지 면 경사를 이루거나 상7 1 , , 【 】 
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키지 면에 해 직 것 특징 는 몰 드 리드리스 키지.
청구항 항에 있어 상 리드는 다이 드 양 에 게 8 1 , 【 】 
것 특징 는 몰 드 리드리스 키지.
청구항 항에 있어 상 다이 드 일 에 리드는 상 9 8 , 【 】 
다이 드 일 간격 이격 도 고 상 다이 드 다른 일 리드는 , 
상 다이 드 연결 것 특징 는 몰 드 리드리스 키지.
청구항 항에 있어 상 리드는 다이 드 일 에만 일 간격 10 1 , 【 】 
이격 게 고 리드가 지 않 다이 드 일 상 다이 드가 신, 
장 어 그 일부가 키지 외부 노출 것 특징 는 몰 드 리드리스 키지.
청구항 항에 있어 상 다이 드 상부 면 는 부 면 11 1 , 【 】 
어도 어느 나에 상 도체 칩 는 키지 착 좋게 , 
여 어도 나 이상 이 것 특징 는 몰 드 리드리스 키지.
청구항 12【 】 항에 있어 상 연결 단 도 이어 도는 도 1 , 
클립 포함 는 것 특징 는 몰 드 리드리스 키지.
청구항 상 는 상부 면 부 면 갖는 다이 드 상 13 ; 【 】 
다이 드 상부 면 상에 부착 는 도체 칩 상 도체 칩 상부 는 부 ; 
면 어도 어느 나에 솔 질 상 다이 드 주변 역에 상 ; 
다이 드 일 간격 이격 도 다 리드 상 도체 칩과 상 다; 
리드 각각 연결 는 도 클립 어도 상 리드 면 일; 
부 상 다이 드 일부를 노출 며 상 다이 드 상 도체 칩 상 리드 , , 
상 연결 단도 클립 덮는 키지 를 포함 는고, 상 다이 드 
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께가 상 리드 키지 외부 노출 는 외부 리드보다 꺼운 것 특징 
는 몰 드 리드리스 키지.
청구항 항에 있어 상 솔 질 주 구리14 13 , / / (Sn/Ag/Cu) 【 】 
합 주 주 납 합 주 합 니 에 택 , (Sn), / (Sn/Pb) , / (Sn/Ag) (Ni) 
어느 나 이루어진 것 특징 는 몰 드 리드리스 키지.
청구항 항에 있어 상 솔 질 웨이퍼 면 상에 스퍼15 13 , 【 】 
링 는 도 식 인 것 특징 는 몰 드 리드리스 키지.
청구항 항에 있어 상 리드 면에는 일 이 이 16 13 , 【 】 
고 상 도 클립 일단 상 내에 부착 것 특징 는 몰 드 리, 
드리스 키지.
청구항 상 는 상부 면 부 면 갖는 다이 드 상17 , 【 】 
다이 드 부 일 간격 이격 도 다 리드 상 다이 드 상; 
부 면에 실장 소자 상 소자 상 다 리드 각각 LED ; LED 
연결 는 연결 단 상 다이 드 상부 면 리드 상부 면 부 상 ; 
소자를 포함 는 역에 일 께 캐 티 상 캐 티 내에 충진 어 LED ; 
상 소자를 고 시키는 몰 재 일면이 상 몰 재 상부에 부착 며 면이 LED ; 
볼 태 즈 어도 상 리드 면 일부 상 다이 드 일부를 ; 
노출 며 상 다이 드 상 캐 티에 충진 몰 재를 덮는 키지 를 포함
고 상 다이 드 께가 상 리드 키지 외부 노출 는 외부 리, 
드보다 꺼운 것 특징 는 키지LED .
청구항 항에 있어 상 몰 재는 질 포함 는 것 특18 17 , 【 】 
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징 는 키지LED .
청구항 항에 있어 상 연결 단 도 이어 는 19 17 , (wire) 【 】 
도 클립 포함 는 것 특징 는 키지LED .
명 주요 내용 도면 5) 
술 야 
본 체 키 에 한 것 보다 체적 는 드 드 스 [0001] , 
키 그 한 다 드 키 에 한 것(Molded Leadless Package) (LED) 
다.
경 술 
적 체 키 는 체 또는 다 드 프 [0002] (die), (lead 
키 포함하여 다 체 드 프 frame) (package body) . 
다 드 에 착 드 프 드 는 어 에 하여 호 (die pad) , (wire)
전 적 연결 다 드는 어가 연결 는 내 드 체 키 . (inner lead)
접 단 역할 하는 드 다 내 드는 적(outer lead) . 
키 에 하여 전히 는 하여 드는 그 전체 키 , 
출 거나 드 가 출 다 후 같 드 . 
가 키 출 는 체 키 드 드 스 키
하 라 함 라고 한다(Molded Leadless Package, 'MLP' ) .
그 고 체 키 는 그 제조 공정에 라 타 키 [0003] , (sawing) 
타 키 다 타 키 는 체 탑 드 (punch) . 
프 다수 하나 블 드 다 내에 같 한 다 (block mold die) 
공정 키 드 프 절단하여 개 화함 제조하는 키 형 
말한다 타 키 는 체 탑 드 프 각각 개 드 다. , 
내에 개 적 한 다 등 각 드 프(individual mold die) , 
시 제조하는 키 형 말한다.
참조하 종래 타 는 체 또는 다 [0006] 1 , MLP(100) , (110) , 
키 다 드 드 포함하여 다 다 는 (120), (130) (140) . (110)
과 하 갖는다 드 하 (110a) (110b) . (140) (140a), (140b) 
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절단 가 드 하 전 또는 는 키 (140c) , (140) (140b)
출 어 드 형 한다 드는 (120) (metal pad) . MLP(100)
전 적 연결 하여 키 과 동 에 형(120) (120a)
다 그 고 다 드 는 어 에 하여 호 전 적 연결. , (110) (140) (150)
다 다 드 접착제 에 해 다 하 과 . (130) (130a) (160) (110) (110b)
착 다.
종래 에 드 절단 드 하 [0007] MLP , (14c) 
가 키 여 드 키 에 강하게 본 수 하 하여 드, 
절단 과 드 하는 하 에 적어 (140) (140c) (140b) 0.1㎜ 
갖 다 하여 키 제 과정에 드 (interval) . 
식각하여 제거하여야 하는 해 제조 단가가 가하는 문제점 다, . 
또한 종래 경 열 출 문제가 다 개 었다고는 하나 다 [0008] , MLP , 
드 드 께가 정 얇 문에 전 체 나 (130) (140) 0.2 0.25 LED ～ ㎜ 
에 적 하 에는 여전히 열적 스트 스 문제가 개 어야 하는 실정 다 열 출 효. 
하여 다 드 드 께 가시키 전체 키 피가 가하
문에 경 단 향하는 최근 전 에 합하 하게 다.
또한 종래 에 시스 보 에 실 하 [0009] , MLP (system boarder) MLP
는 과정에 가 문제점 나타나는 해 하 한다.
도 종래의 몰 드 리드리스 패키지 의 일 를 도시한 단면도[ 1] (MLP)
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는 시스 보 에 가 실 어 는 조물 하에 [0010] 2 1 MLP(100) [
는 시스 보 에 가 실 어 는 조물 시스 키 라 함 에 , (10) MLP(100) " " ]
한 개략적 단 다.
참조하 시스 보 에는 연결 드 연결 드 [0011] 2 , (10) (12)
전 적 연결하 한 회 라 형 어 다 연결 드(12) (circuit line, 14) . 
회 라 동 한 전 컨 등 형 적 동(12) (14)
한 께 가 다 그 고 드 연결 드 가 조 트. , MLP(100) (140) (12) (solder 
하여 접합 어 연결 시스 보 에 가 탑joint, 16) (10) MLP(100)
다.
종래 에 조 트 시스 보 에 접 [0012] MLP , (16) MLP(100) (10) 
합시킬 가하는 압 생하는 열에 하여 조 트 가 동 가 (16)
수가 다 조 트 가 동 띄게 흐 수가 문에 조. (16)
트 충 히 확보할 수가 없다 조 트 가 컨 (16) (h1) . (16) (h1) 30
과 같 충 하게 확보 않 시스 보 에 탑 할 , (10) MLP(100)㎛ 
다 드 과 시스 보 회 라 간격 무 좁 문에 (130) (14) 
키 신 확보할 수가 없다 그 고 심한 경 에는 다 드 시스 보. , (130)
회 라 접촉하게 어 단락 염 가 다 뿐만 아니라 조 트(14) . , 
도 시스템 보더 상에 도 의 가 실장 어 있는 시스템 패키지에 한 개략 인 [ 2] 1 MLP
단면도
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가 낮 조 트 체가 열적 스트 스나 계적 스트 스에 취(16) (h1) , (16) 
약해 문에 시스 키 신 어뜨 다.
그 고 시스 보 에 탑 하는 과정에 조 트 [0013] , MLP(100) (10) (16)
가 동 가 게 현 나 어짐 현 , MLP(100) (collapse) (tilt) 
생할 염 가 다 현 생하 드 가 연결 드 접 . MLP(100) (140) (12)
접촉 염 가 고 어짐 현 생하 시스 키 신 , MLP(100)
어뜨 는 문제점 다.
또한 조 트 가 동 띄게 어 압 에 해 게 [0014] , (16)
드 드 간격 좁아 게 므 고 하여 드 드 간격 , 
정 게 확보하여야 한다 라 드 수 가시키는 한계가 다0.5 . , .㎜ 
해결하 는 과제 
본 해결하 는 과제는 제조단가 가시키 않 열 출 능 [0015] 
가 드 수 하게 가시킬 수 는 조 드 드 스 키 제
공하는 다.
본 해결하 는 다 과제는 제조단가 가시키 않 열 [0016] 
출 능 가 드 수 하게 가시킬 수 는 드 드 스 키 채
한 다 드 키 제공하는 다(LED) .
실시하 한 체적 내 
내 참조하 본 는 체 다 [0038] 3 4b , MLP(200) , (210), 
드 드 어 키 포함하여 다(230), (240), (250) (220) .
도 본 발명의 실시 에 른 몰 드 리드리스 패키지 의 면도[ 3] 1 (MLP)
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체 들 다 드 트랜 스 다 스 [0039] (210) , , (thyristor), IGBT
같 전원 체 형 집적 회 회 등 다양한 체 포, , , 
함할 수 다.
다 드 는 호 는 하 가 [0040] (230) (230a) (230b)
그 에 체 실 다 체 들 에폭시 접착제 또는 (210) . (210)
등 절연 접착제 또는 절연 프 해 다 드 (solder) (260) (tape) (230)
에 착 다 접착제 종 에는 특 한 제한 없다(230a) . (260) .
특히 본 에 다 드 는 께 갖 [0041] MLP (230) 0.25 0.6 (d1)～ ㎜
는 종래 다 드가 것에 비해 것 특징 다 게 다 , 0.2 0.25 . ～ ㎜
드 께 껍게 할 경 다 드 해 키 내 열 효(230) (d1)
도 도 도 에 도시 의 라 단하여 나타내 보인 단면도들[ 4a], [ 4b] 3 MLP A-A'
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과적 출할 수 문에 체 동 신 크게 향 시킬 수 다.
다 드 체 착 는 정 [0042] (230) (210)
스 어 다 는 열 출 효 가시키 하여 다 드 (h2) (recess) . , (230)
께 껍게 함 키 피가 커 는 것 하 한 것 다 (d1) , 
드 스 만큼 키 께 감 시킬 수 키(230) (h2) , 
께 해 체 께 않아 다 다 드 . (230)
스 역 폭 수 열 출 효 만 체 크 고 하여 결정할 수 
다.
다 드 주 역에는 정 갭 고 다수 드 들 [0043] (230) (gap) (240)
다 드 는 그 다 드 하 과 동 한 . (240) (240b) (230) (230b)
형 한다 드 과 다 드 하 동. , (240) (240b) (230) (230b)
한 에 한다 드 체 또는 알루미늄 합 . (240) (210) (Au) (Au)/ (Al) 
등 물 형 어 하여 전 적 연결 다(250) .
다 드 하 과 드 에 하여 키 [0044] (230b) (240b)
출 다 다 드 하 드 가 출. , (230b) (240b)
수 또는 시 같 만 출 수 다 다 드 하 . 
에는 키 접착 좋게 하 하여 정 식각 플(230b) (220)
또는 그루브 가 형 어 수 다 플 또는 그루브 수(dimple) (groove)(235) . (235)
는 키 에 라 달라 수 다.
드 는 어가 연결 는 내 드 체 키 접 [0045] (240) (241)
단 역할 하는 드 루어 는 내 드 는 다 드(242) , (241) (230)
찬가 키 내 열 효과적 출할 수 0.25 0.6～ ㎜
께 갖는다 그러나 드 경 에는 제한 키 피 내에 적절한 (d1) . , (242)
수 드 현하여야 하 문에 내 드에 비해 께 얇게 한다(d2) .
키 는 에폭시 화합물 과 [0046] (220) (Epoxy Molding Compound, EMC)
같 루어 다 키 는 적어 드 . (220) (240b) (230c)
과 다 드 하 출하 한 갭 채 고 다 드(230b) (gap)
체 드 어 러싼다 다 드 하 (230), (210), (240) (250) . (230)
출하는 키 하 과 드 다 드 하 (230b) (220b) (240b) 
동 에 않고 단차 갖는다 다 드 하 (230b) . , (230b) 
- 12 -
드 키 하 정 께 돌출 형태(240b) (220b) (h3) 
가 다 같 다 드 하 키 . (230b) (220b)
정 께 돌출 함 그 께 만큼 키 내 흡습 경 가 연 고(h3) (h3) , 
키 시스 보 에 할 고 플 수행하 라 열적 스트 스 최
화할 수 다 또한 시스 보 다 드 에 정 간격 확보하므 드 피. , 
종래 에 수 다 라 동 한 키징 적 내에 (pitch) 0.5 0.4 . , ㎜ ㎜
현할 수 는 드 수 가시킬 수 하나 키 현 가능한 능 , 
종 가시킬 수 다.
키 에 시 것과 같 비스듬하게 경 갖 [0047] (220c) 4a
는 조 수 또는 에 시 것과 같 키 키 , 4b (220c)
하 에 해 수 한 조 수 는 는 키 절단 식에 라 (220b) , 
수 다 에 시 것과 같 키 비스듬한 경 는 . 4a (220c)
형 하는 드 타 형 하는 경 경 드 (punched type) , (240)
단 는 키 략 정 돌출 다 에 시 것과 (220) 0.08 0.15 . 4b～ ㎜ 
같 키 수 경 는 블 드 같 절단수단 절(220c) (blade)
단하는 형 형 하는 경 경 에는 드 단 가 키 (sawing type) , (240)
돌출 않는다(220) .
같 본 제 실시 에 한 에 다 드 께 [0048] 1 MLP , (230)
정 껍게 함 키 내 열 효과적 (d1) 0.25 0.6～ ㎜ 
출할 수 고 동 신 크게 향 시킬 수 다 또한 다 드 . , (230)
정 스 함 다 드 께 가 한 키 께 
가 할 수 키 께 해 체 께 않아 , 
다 또한 다 드 하 드 키 하. , (230b) (240b)
정 께 돌출 함 흡습 경 가 연 고 시스 보 에 (220b) , 
할 고 플 수행하 라 열적 스트 스 최 화할 수 시스 보, 
다 드 에 정 간격 확보하므 드 피 수 므 동(pitch)
한 키징 적 내에 현할 수 는 드 수 가시킬 수 하나 키, 
현 가능한 능 종 가시킬 수 다.
참조하 본 실시 는 체 과 드 연결하 하 [0050] 5 , MLP(300)
여 어 신에 전 클 하는 것 제 하고는 에 시 제(wire) (clip) 4a 1 
실시 동 하다 라 동 한 에 해 는 동 한 참조 호 MLP(200) . , 
- 13 -
하고 복 는 생략하 한다, .
본 실시 에 한 경 체 과 드 가 클 [0051] MLP(300) (210) (240) (255)
해 전 적 연결 다 클 같 전 료 루어 다 클. (255) (Cu) . 
과 체 클 과 드 는 각각 해 연결(255) (210), (255) (240) (solder)(265)
다 는 들 주 합 주 주 납 합. (265) / / (Sn/Ag/Cu) , (Sn), / (Sn/Pb) , 
주 합 또는 니 등 포함할 수 다 웨 에 형 하는 최/ (Sn/Ag) (Ni) . 
종 단계에 웨 에 물 형 하거나 본 드 물 형, 
한다 물 형 하는 는 스 또는 전 . (sputtering) 
식 할 수 다(electroplating) .
클 드 에 착할 시 같 클 착 역 [0052] (255) (240) , 
드 정 스시 홈 형 하고 홈 내에 클 (240) (h4) (255)
착 하 클 과 드 결합 고 클 해 키 (255) (240) (255)
피가 커 는 것 할 수 다 특히 시 것과 같 키 . , (220)
비스듬한 경 클 착 드 스시키 효과적 착할 수 다.
같 체 과 드 전 클 연결할 경 전 클 [0053] , 
어에 비해 적 문에 흐 는 전 양 가시킬 수 고 열 출 효 
가시킬 수 다 한 본 실시 경 에 경 같 키 . , , 4b
수 하게 할 수 다.
본 제 실시 는 에 시 본 제 실시 [0055] 3 MLP(400) 4a 1 
도 본 발명의 실시 에 른 몰 드 리드리스 패키지 의 단면도[ 5] 2 (MLP)
- 14 -
는 드 조에 차 가 다 다 드 드 과 MLP(200) . (230) (245)
연결 어 고 다 드 다 드 정 간격 격 어 다 다 드 , (245) . 
연결 않 드 는 전 료 루어 어 해 체 과 (245) (250) (210)
연결 다 드 조 제 하고는 에 시 동 하므 동 한 . (245) 4a MLP(200)
에 해 는 동 한 참조 호 하고 복 생략하 한다, .
키 경 같 비스듬하게 경 갖 [0056] (220) (220c) 6a
는 조 거나 같 키 하 에 해 수 한 조 수 는, 6b (220b)
는 키 절단 식에 라 수 다 키 비스듬한 , . (220c)
경 는 형 하는 드 타 형 하는 경 경 드(punched type) , 
단 는 키 략 정 돌출 다 키 (245) 0.08 0.15 . ～ ㎜ 
수 한 경 는 블 드 같 절단수단 절단하는 형(220c) (blade) (sawing 
형 하는 경 경 에는 드 단 가 키 type) , (245) (220)
돌출 않는다.
다 드 는 키 내 열 효과적 출할 수 하 [0057] (230)
하여 종래 다 드보다 께 갖 형 다0.25 0.6 (d1) . ～ ㎜
워 다 드 해 키 피가 가하는 것 하 하여 , (230)
에 시 것과 같 다 드 정 스시킨 후 6c (230) (h2) 
스 역에 접착제 하여 체 착할 수 다(260) (210) .
도 도 도 도 본 발명의 실시 에 른 몰 드 리드리스 패[ 6a], [ 6b], [ 6c], [ 6e] 3 
키지 의 단면도들(MLP)
- 15 -
또한 열 출 효 하여 에 시 것과 같 체 [0058] , 6d , 
과 드 연결 어가 아닌 전 클 할 수 다 는 접착(210) (245) (255) . 
- 16 -
다 행 명들 . 
행 명 갑 증 1) 1( 4 )
공개 일본 공개특허공보 특개 에 게재 이 게이2006. 2. 16. 2006-49694 '
지ㆍ리드 임 이라는 명칭 명 주요 내용 도면 별지 과 같다' , [ 1] .
행 명 갑 증 2) 3( 6 )
공개 민국 공개특허공보 에 게재 2006. 5. 19. 10-2006-0052560
향상 신뢰 높 열 출 능 갖는 몰 드 리드리스 키지 소잉 몰‘
드 리드리스 키지 그 조 법이라는 명칭 명 주요 내용 도면 별’ , [
지 같다2] .
행 명 갑 증 3) 6( 5 )
공개 일본 공개특허공보 특개 에 게재 스탬 2009. 11. 12. 2009-267398 '
가공 이용 여 는 상 가지는 도체 소자 키지 라는 명칭 명' , 
주요 내용 도면 별지 과 같다[ 3] .
행 명 갑 증 4) 8( 7 )
제 신 한다 는 들 주 합 주(265) . (265) / / (Sn/Ag/Cu) , 
주 납 합 주 합 또는 니 등 포함할 수 다(Sn), / (Sn/Pb) , / (Sn/Ag) (Ni) . 
체 형 하는 최종 단계에 체 또는 앞 에 물(210) (210) /
형 하거나 본 드 물 형 한다 물 형 하는 , . 
는 스 또는 전 식 할 수 다(sputtering) (electroplating) .
그 고 클 드 에 착할 에 시 같 드 [0059] , (255) (245) , 6e
정 스시 클 과 드 결합 가시키고 (245) (255) (245)
클 해 키 피가 커 는 것 할 수 다(255) . 
- 17 -
공개 일본 공개특허공보 특개 에 게재 도체 장2002. 8. 9. 2002-222906 '
조 법 도체 장 라는 명칭 명이다 다만 이 사건 소송에 구체' . 
그 내용 인용 지 아니 므 내용에 재는 생략 다, .
행 명 갑 증 5) 9( 8 )
공개 일본 공개특허공보 특개 에 게재 도체 장2008. 3. 13. 2008-60256 '
라는 명칭 명이다 다만 이 사건 소송에 구체 그 내용 인용 지 아니' . 
므 내용에 재는 생략 다, .
행 명 갑 증 6) 10( 9 )2)
공개 일본 공개특허공보 특개 에 게재 도체 2005. 7. 28. 2005-203469 '
키지 라는 명칭 명 주요 내용 도면 별지 같다' , [ 4] .
다 이 사건 심결 경 . 
미도리야 리아 주식회사는 고를 상 특허심 원 당 1) 2021. 3. 12. 2021
이 사건 특허 명 청구항 항 항 항에 여 원고는 고758 1 , 2 , 7 , 2021. 4. 9. 
를 상 특허심 원 당 이 사건 특허 명 청구항 항에 항에 2021 1068 1 16
여 이 사건 특허 명 특허출원 에 공지 상 명 내지 ’ 1 93) 동일 
명이므 특허법 조 항 고 그 명이 속 는 분야에 통상 29 1 , 
지식 가진 사람 이 통상 자라고 다 이 행 명 에 에 여 쉽게 ( ‘ ’ ) 1 9
2) 원고는 이 사건 항 특허 명 진보 부 는 행 행 명 이 사건 심결취소소송에 새 이 출3 10
다.
3) 상 명 행 명 과 상 명 행 명 과 상 명 행 명 과 상 명 는 행1 1 , 3 3 , 6 6 , 8
명 과 상 명 는 행 명 각 같고 상 명 는 공개 일본 공개특허공보 특개8 , 9 9 , 2 2001. 3. 23. 2001-77278
에 게재 도체 키지 이것 에 리드 임 도체 키지 조 법과 그 몰드라는 명칭 명' ' , 
상 명 는 공개 민국 공개특허공보 에 게재 다이 드에 미 돌 가 4 2006. 6. 2. 10-2006-0059575 ‘
도체 키지라는 명칭 명 상 명 는 공개 일본 공개특허공보 특개 에 게재 회 ’ , 5 2004. 7. 22. 2004-207275 '
장 그 조 법이라는 명칭 명 상 명 공개 민국 공개특허공보 ' , 7 2004. 3. 10. 
에 게재 도체 키지라는 명칭 명인데 이 사건 소송에 는 상 명 출 지 10-2004-0021037 ‘ ’ , 2, 4, 5, 7
않았다.
- 18 -
명 있 므 특허법 조 항 다라고 주장 면 특허 효심29 2 ’
청구 고 고는 효심 차에 이 사건 특허 명 청구범 를 , 2021. 5. 13. 
가 재 같이 는 내용 청구를 다., 4) . 
특허심 원 고 청구를 인 고 이 사건 특허 2) 2021. 10. 26. “ , 
명 청구항 항 항 항에 항 통상 자가 행 명 에 에 여 1 , 2 , 4 16 1, 3 7
쉽게 명 있어 특허법 조 항 조 항에 라 그 특허가 133 1 1 , 29 2
효 어야 므 이 사건 특허 명 청구항 항 항 항에 항에 심1 , 2 , 4 16
청구는 인용 고 이 사건 항 특허 명 행 명 에 에 여 진보 이 부, 3 1 9
지 않 므 이 사건 항 특허 명에 심 청구는 각 다 라는 내용 3 .”
이 사건 심결 다. 
인 근거 다 없는 사실 갑 에 증 변 체 취지[ ] , 1 9 , 
당사자 주장2. 
가 원고 주장 . 
이 사건 항 특허 명 통상 자가 행 명 에 거나 행 명 3 1 1㉮ 
에 행 명 결합 여 는 행 명 에 거나 행 명 에 행 명 6 3 3 6㉯ 
결합 여 는 행 명 에 거나 행 명 에 행 명 결합 여 10 10 6㉰ 
쉽게 명 있 므 특허법 조 항 다29 2 .
나 고 주장 . 
이 사건 항 특허 명 통상 자가 행 명 에 라도 쉽 3 1, 3, 6, 10
게 명 없 므 진보 이 있다. 
단3. 
- 19 -
가 . 몰 드 리드리스 키지 미
이 사건 항 특허 명 행 명 몰 드 리드리스 키지 3 1, 3, 6, 10 ‘
에 명이다 그런데 몰 드 리드리스 키지에 (Molded Leadless Package)’ . 
여 원고는 시스 보 상에 실장 있도 리드 다이 드 면 일부‘ (mount)
가 키지 상부면 시스 보 부에 실장 는 부면 시스 보 상부에 ( ) (
실장 노출 도체 키지라고 주장 고 고는 외부 리드 면 일부가 키) ’ , ‘
지 외부 노출 도체 키지라고 주장 면 행 명 이 이 사건 ’ 3, 10
항 특허 명 구 요소 과 동일 구 갖고 있는지 여부에 여 다 므3 6, 7 , 
몰 드 리드리스 키지 미에 여 본다.
법리 1) 
특허 명 보 범 는 청구범 에 있는 사항에 여 여지고 명
명이나 도면 등에 여 보 범 를 거나 장 는 것 원 허용
지 않지만 청구범 에 있는 사항 명 명이나 도면 등 참작 여야 , 
인 미를 게 이해 있 므 청구범 에 있는 사항 해 , 
언 일 인 미 내용 면 도 명 명이나 도면 등 참작 여 
언에 여 고자 는 를 고찰 다 객 합리 여야 ․
다 법원 고 후 결 등 참조( 2015. 5. 14. 2014 2788 ).
구체 단 2) 
이 사건 특허 명 명 에 는 몰 드 리드리스 키지 미에 여 ’ ‘
리드는 이어가 연결 는 내부 리드 도체 키지 외부 속 단자“ (inner lead)
역 는 외부 리드 구 다 내부 리드는 통상 키(outer lead) . 
- 20 -
지 에 여 히 는데 여 외부 리드는 그 체 키지 외, 
부 노출 거나 외부 리드 면 일부가 외부 노출 다 후자 같이 외부 리드 . 
면 일부가 키지 외부 노출 는 도체 키지를 몰 드 리드리스 키지
이 라 함 라고 다 단번 라고 (Molded Leadless Package, 'MLP' ) ( [0002]).”
고 있 므 이 사건 특허 명 명 명에는 이 사건 특허 명 청구범 에 , 
재 몰 드 리드리스 키지에 여 외부 속 단자 역 는 외부 리‘ ’ ‘
드 체가 아닌 그 면 일부만이 키지 외부 노출 는 도체 키지’
라고 어 있 알 있다.
아래 같 이 사건 특허 명 도 에 나타난 몰 드 리드리스 키지[ 5]
를 보면 이 사건 특허 명 명 에 재 몰 드 리드리스 키지 미 같, ‘ ’
이 외부 속 단자 역 는 외부 리드 체가 아닌 그 면 일부(242)
만이 키지 외부 노출 도체 키지 즉 외부 리드 면 면, , 
면 상면 각 일부는 키지 외부 노출 나 이들 다른 (240b), (240c) 
일부는 키지 에 해 덮여있 알 있다. 
도 본 발명의 실시 에 른 몰 드 리드리스 패키지 의 단면도[ 5] 2 (MLP)
- 21 -
편 행 명 명 에는 몰 드 리드리스 키지 미에 여 이 3 ‘ ’
사건 특허 명 명 같이 리드는 이어가 연결 는 내부 리드 “ (inner lead)
도체 키지 외부 속 단자 역 는 외부 리드 구(outer lead)
다 내부 리드는 통상 키지 에 여 히 는데 여 외부 리. , 
드는 그 체 키지 외부 노출 거나 외부 리드 면 일부가 외부 노출
다 후자 같이 외부 리드 면 일부가 키지 외부 노출 는 도체 . 
키지를 라고 다 단번 라고 어 있다MLP ( [0010]).” . 
그리고 아래 같이 행 명 명 도면에는 종래 몰 드 리드리스 3
키지 시를 개시 고 있는데 앞 본 몰 드 리드리스 키지 같이 , ‘ ’
외부 속 단자 역 는 외부 리드 체가 아닌 일부 도 에 부 ([ 1a]
면과 면 일부 는 도 에 부 면 일부 면 일부 만이 키지 [ 1b] )
외부 노출 도체 키지가 나타나 있다. 
행 [ 3 ]
참조하 종래 는 체 착 는 드프 [0005] 1 , MLP(110) , (111)
도 종래의 몰 드 리드리스 패키지 의 일 를 나타내 보인 단면도[ 1a] (MLP)
- 22 -
검토 결과 리 3) 
이 사건 항 특허 명 몰 드 리드리스 키지에 명인데 여 3 ‘ ’ , 
몰 드 리드리스 키지는 리드 다이 드 면 일부가 키지 상부면 ‘ ’ ‘
는 부면 노출 도체 키지 여 해 없고 리드 도체 ’ , ‘
드 키 에 출 는 조 갖는다(112) (113) (114) . 
에 드 키 다 에 출 다 체(115) (113) (116) . 
과 드 는 어 에 해 호 전 적 연결 다(111) (115) (117) .
는 종래 다 나타내 보 단 에 한 [0006] 1b MLP , MLP
한 항들 미 특허등 호 제 호에 개시 어 다6,437,429 .
참조하 종래 는 다 키 다 [0007] 1b , MLP(120) , (die)(121), (122), 
드 드 포함하여 다 다 는 하(123) (124) . (121) , (121a) 
갖는다 드 과 하 절단 가(121b) . (124) (124a) , (124b) (124c)
드 하 는 탈 드 형 하 해 한정 다 탈, (124) (124b) . 
드는 키 출 전 적 연결 하여 (122) , MLP(120)
키 동 에 형 다 다 드 접착제 에 해 다(122) . (123) (126)
하 과 착 그 키 출 다 다(121) (121b) , (122) . 
드 는 어 에 해 호 전 적 연결 다(121) (124) (125) .
도 종래의 몰 드 리드리스 패키지의 다른 를 나타내 보인 단면도[ 1b] 
- 23 -
키지 외부 속 단자 역 는 외부 리드 체가 아닌 면 일부가 
키지 외부 노출 도체 키지 해 여야 다’ . 
나 이 사건 항 특허 명 진보 부 여부 . 3
법리 1) 
명 진보 를 단 에는 어도 행 범 내용 진보 , 
단 상이 명과 행 차이 통상 자 에 여 증거 
등 에 나타난 자료에 여 악 다 통상 자가 특허출원 당시 , 
에 추어 진보 단 상이 명이 행 과 차이가 있는데도 그러 
차이를 극복 고 행 부 쉽게 명 있는지를 살펴보아야 다 이 경우 . 
진보 단 상이 명 명 에 개시 어 있는 알고 있 
사후 통상 자가 쉽게 명 있는지를 단해 는 안 다 법원 (
고 후 원합 체 결 등 참조2020. 1. 22. 2016 2522 ).
청구범 에 재 청구항이 복 구 요소 어 있는 경우에는 각 
구 요소가 결합 체 사상이 진보 단 상이 는 것
이지 각 구 요소가 독립 여 진보 단 상이 는 것 아니므 그 명 , 
진보 여부를 단함에 있어 는 청구항에 재 복 구 분해 후 각각 분
해 개별 구 요소들이 공지 것인지 여부만 는 안 고 특 과 해결, 
원리에 여 결합 체 구 곤란 보아야 것이
며 이 결합 체 구 명이 갖는 특 효과도 함께 고 여야 , 
것이다 그리고 여러 행 헌 인용 여 명 진보 이 부 다고 해. 
는 그 인용 는 조합 는 결합 면 해당 명에 이를 있다는 암시 동 , 
- 24 -
등이 행 헌에 시 어 있거나 그 지 않 라도 해당 명 출원 당시 
상식 해당 분야 본 과 경향 해당 업계 요구 등에 추, , , , 
어 보아 통상 자가 용이 게 그 같 결합에 이를 있다고 인 있는 
경우이어야 다 법원 고 후 결 등 참조( 2015. 7. 23. 2013 2620 ).
행 명 는 행 명 에 여 진보 이 부 는지 여부 2) 1 1, 6
가 이 사건 항 특허 명과 행 명 구 요소 ) 3 1
이 사건 항 특허 명 각 구 요소에 는 행 명 각 구 요소3 1
는 아래 재 같다.
구 요소 이 사건 항 특허 명3 행 명 1
1 상 는 상부 면 부 면
갖는 다이 드; 
리드 임 부분2 (18) , 1○ 
리드 임 부분 공동 동굴 부( )
내 에 용 고 있는 다이ㆍ(16) ( )內
들 갖춘다 단번 (20) ( [0011]).
다이ㆍ 들 상 는 상(20)○ 
부 면 부 면 갖는다 도 ([
1]).
2 상 다이 드 상부 면 상에 실장
도체 칩; 
집 회 다이 는 다이ㆍ 들(22) , ○ 
에 장착 어지고 략 다이(20) , ( ) (22)
는 납 에 해 열 다이 부, (24) (22)
다이ㆍ 들 에 놓 있는 (20)
납 다이 스 등 주지 법
다이ㆍ 들 에 장착 다 다른 (20) . 
실시 태 경우에는 다이 는, (22) , 
착 재료 는 착 이 에 해 다
이ㆍ 들 에 장착 있다 단번(20) (
- 25 -
[0013]).
3 상 다이 드 주변 역에 상 다
이 드 일 간격 이격 도 
다 리드; 
집 회 다이 는 다이ㆍ 들(22) , ○ 
에 장착 어지고 다이ㆍ 들이 공(20) , 
동 동굴 부 내에 고 있 므 다( ) , 
이 는 복 리드 에 해 러(22) , (14)
싸여진다 단번 ( [0013]).
4 상 도체 칩과 상 다 리드 각
각 연결 는 도 클
립 ; 
다이 는 복 다이 본 드(22) , ○ 
를 포함 다 다이 본 드(26) . (26) 
가운데 몇 가지는 이어 에 해 , (28)
리드 가운데 는 몇 개 인가(14) 
리드에 속 고 있다
단번 ( [0014]).
5 어도 상 리드 면 일부 상
다이 드 일부를 노출 며 상 
다이 드 상 도체 칩 상 리드 , , 
상 도 클립 덮는 키지 
를 포함 고, 
도체 이스 는(device)(10) , ○ 
어도 리드 면 리드 (14) 2
임 부분 면 노출시킨 상(18)
태에 집 회 다이 상부 , (22)
면 이어 리드 상부 , (28) (14)
면 덮는 지재료 를 욱 포함(30)
다 단번 ( [0015]).
지재료 는 다이ㆍ 들 집(30) (20), ○ 
회 다이 리드 이어(22), (14) 
를 덮는다 도 (28) ([ 1]).
6 상 다이 드 께가 상 리드 
키지 외부 노출 는 외부 
리드보다 꺼운 것
리드 임 부분 속 1 (12)○ 
는 속 합 에 어 , 1
소 께를 갖는다 략 리. ( ) 2
드 임 부분 아주 알맞게는(18) , , 
께 는 다른 께를 갖1 2
는다 를 들면 량 열 생 는 . , 
- 26 -
원 회 경우에는 리드 , 2
임 부분 히트 싱크 사용 (18)
있다 그러 경우에는 아주 알맞게. , 
는 께는 께보다도 , 2 1
껍다 람직 실시 태 경우에. 
는 께는 께 약 , 1 , 2
인가 는 그것 이 다 어떤 경. 
우에는 부분이 약 , 1 8 (0.2032 )㎜
께를 갖고 께가 1 , 2
약 인 리드 임 20 (0.508 )㎜
조했다 단번 ( [0011]).
다이ㆍ 들 께 께(20) ( 2 )○ 
는 리드 지재료 외부 (14) (30)
노출 는 면 부분 께 ( 1
께 보다 껍다 도 ) ([ 1]).
7 상 리드 키지 외부 노
출 지 않는 내부 리드 역 상 다
이 드 같 께를 갖는 것 특징
는 몰 드 리드리스 키지.
리드 지재료 외부 (14) (30)○ 
노출 지 않는 부분 다이ㆍ 들(20)
보다 얇 께를 갖는다 도 ([ 1]).
도체 이스 는(device)(10) , ○ 
어도 리드 면 리드 (14) 2
임 부분 면 노출시킨 상(18)
태에 집 회 다이 상부 , (22)
면 이어 리드 상부 , (28) (14)
면 덮는 지재료 를 욱 포함(30)
다 단번 ( [0015]).
본 명 집 회 키징 , ○ 
집 회 에 고 특히 키징 집, 
회 용 리드 임에 다(
- 27 -
나) 공통 차이 분
분야 ⑴ 
이 사건 항 특허 명 몰 드 리드리스 키지 3 ‘ (Molded Leadless 
에 것이고 행 명 어도 리드 면 리드 Package)’ , 1 ‘ (14) 2
임 부분 면 노출 도 키징 도체 이스 청구항 항(18) (device)( 9 , 14
항 에 것이므 양 명 도체 몰 드 리드리스 키지에 것이라는 )’ , 
에 동일 다. 
구 요소 1, 2, 3, 6⑵ 
이 사건 항 특허 명 구 요소 상 는 상부 면 3 1, 2, 3, 6 ‘
부 면 갖는 다이 드 다이ㆍ 들[ (20)]4) 구 요소 다이 드 다이ㆍ 들( 1)’, ‘ [
상부 면 상에 실장 도체 칩 집 회 다이 구 요소 다이 드(20)] [ (22)]( 2)’, ‘
다이ㆍ 들 주변 역에 다이 드 다이ㆍ 들 일 간격 이격 도 [ (20)] [ (20)]
다 리드 리드 구 요소 다이 드 께 께 가 리드 [ (14)]( 3)’, ‘ ( 2 )
키지 외부 노출 는 외부 리드 께 보다 꺼우며 구 요소 이고( 1 ) ( 6)’ , 
4) 이 사건 항 특허 명 3 구 요소에 는 행 명 구 요소를 안에 재 고 이 같 식 1 , 
다.
단번 [0001]).
도면 도 [ 5] 도 [ 1]
- 28 -
행 명 도 구 요소 과 동일 구 가지고 있다 이에 여 당사1 1, 2, 3, 6 (
자 사이에 다 이 없다).
구 요소 4⑶ 
이 사건 항 특허 명 구 요소 이에 는 행 명 구 3 4 1
요소는 도체 칩 집 회 다이 과 다 리드 리드 각각 연[ (22)] [ (14)] 
결 속 다는 에 공통 다 다만 구 요소 는 도 클립 연결 는 면( ) . , 4 , 
행 명 이어 속 다는 에 차이가 있다 이 차이 이라 1 (28) ( ‘ 1-1’
다). 
구 요소 5⑷ 
이 사건 항 특허 명 구 요소 이에 는 행 명 구 3 5 1
요소는 어도 리드 리드 면 일부 다이 드 리드 임 부분[ (14)] [ 2 (1
일부를 노출 며 다이 드 도체 칩 집 회 다이 리드 리드 를 덮8)] , [ (22)], [ (14)]
는 키지 지재료 를 포함 다는 에 공통 다 다만 구 요소 키[ (30)] . , 5
지 는 도체 칩과 리드를 연결 는 도 클립 덮는 면 행 명 지, 1
재료 는 집 회 다이 리드 를 속 는 이어 를 덮는다는 에 (30) (22) (14) (28)
차이가 있다 이 차이 라 다( ‘ 1-2’ ).
구 요소 7⑸ 
이 사건 항 특허 명 구 요소 리드 키지 외부 노 3 7
출 지 않는 내부 리드 역 다이 드 같 께를 갖는 면 행 명 리, 1
드 지재료 외부 노출 지 않는 부분 다이ㆍ 들 보다 얇 께(14) (30) (20)
를 갖는다는 에 차이가 있다 이 차이 이라 다( ‘ 1-3’ ). 
- 29 -
다 차이 에 검토) 
앞 든 증거 변 체 취지에 여 알 있는 다 과 같 사 
종합 여 보면 이 사건 항 특허 명 이 사건 특허 명 명 에 개시 어 있, 3
는 내용 알고 있 사후 단 지 않는 이 사건 특허 명 출원 
당시 에 추어 통상 자가 행 명 에 여 는 행 명 에 1 1
행 명 결합 여 차이 극복 고 쉽게 명 있다고 보 6 1-1, 1-2, 1-3
어 다. 
아래 같 이 사건 특허 명 명 재 도면 도시에 면 , ⑴ 
이 사건 항 특허 명 종래에 열 출 효 높이 여 다이 드 리3 ⓐ 
드 께를 증가시키면 체 키지 부 가 증가 는 리드 리드 사ⓑ 
이 간격 게 보 여야 므 리드 를 증가시키는 데 계가 있는 
해결 명이다 같 해결 여 이 사건 항 특허. 3
명 다이 드 께를 키지 외부 노출 는 외부 리드보다 껍게 
고 구 요소 리드 키지 외부 노출 지 않는 내부 리드 역 다이 ( 6), 
드 같 께를 가지며 구 요소 차이 도체 칩과 다 리드 각각 ( 7, 1-3), 
도 클립 연결함 써 구 요소 차이 도체 키지 내부 ( 4, 1-1, 2) ⓐ 
열 외부 효과 출 있도 고 외부 리드 께를 얇게 구 함, 
써 구 요소 키지 부 내에 리드 를 용이 게 증가시킬 ( 6) ⓑ 
있도 다. 
즉 이 사건 항 특허 명 다이 드 내부 리드 께는 같 면 껍, 3
게 고 외부 리드 께는 얇게 구 므 높 열 출 능 가지면 도 리드 
- 30 -
를 쉽게 증가시킬 있고 도체 칩과 리드를 도 클립 연결 므 열 , 
출 능 욱 높이는 개 효과가 있다.
건 특허 [ ]
또한 종래 경 열 출 문제가 다 개 었다고는 하나 다 [0008] , MLP , 
드 드 께가 정 얇 문에 전 체 나 (130) (140) 0.2 0.25～ ㎜ 
에 적 하 에는 여전히 열적 스트 스 문제가 개 어야 하는 실정 다 열 LED . 
출 효 하여 다 드 드 께 가시키 전체 키 피가 
가하 문에 경 단 향하는 최근 전 에 합하 하게 다.
또한 조 트 가 동 띄게 어 압 에 해 게 [0014] , (16)
드 드 간격 좁아 게 므 고 하여 드 드 간격 , 
정 게 확보하여야 한다 라 드 수 가시키는 한계가 다0.5 . , .㎜ 
본 해결하 는 과제는 제조단가 가시키 않 열 출 능 [0015] 
가 드 수 하게 가시킬 수 는 조 드 드 스 키 제
공하는 다.
특히 본 에 다 드 는 께 갖 [0041] MLP (230) 0.25 0.6 (d1)～ ㎜
는 종래 다 드가 것에 비해 것 특징 다 게 , 0.2 0.25 . ～ ㎜ 다 
드 께 껍게 할 경(230) (d1) 다 드 해 키 내 열 효
과적 출할 수 문에 체 동 신 크게 향 시킬 수 다 .
드 는 어가 연결 는 내 드 체 키 접 [0045] (240) (241)
단 역할 하는 드 루어 는(242) , 내 드 는 다 드(241) (230)
찬가 키 내 열 효과적 출할 수 0.25 0.6～ ㎜
께 갖는다(d1) . 그러나 , 드 경 에는 제한 키 피 내에 적절한 (242)
수 드 현하여야 하 문에 내 드에 비해 께 얇게 한다(d2) .
도 본 발명의 실시 에 른 몰 드 리드리스 패키지 의 단면도[ 5] 2 (MLP)
- 31 -
아래 같 행 명 명 재에 면 행 명 도 리 1 , 1 2⑵ 
드 임 부분 즉 다이ㆍ 들 부분 께를 껍게 구 여 히트 싱크 (18), (20) 
사용 는 경우 열 효 산 있고 리드 임 부분 께는 , 1 (12)
그 이 얇게 구 여 리드 임 부분 키징 공 쉽게 1 (12)
있도 알 있다 그러나 아래 같 행 명 도면 도시에 . 1
면 행 명 도체 키지는 리드 이어 에 속 는 부분 , 1 (14) (28)
같 [0053] 체 과 드 전 클 연결할 경 , 전 클 
어에 비해 적 문에 흐 는 전 양 가시킬 수 고 열 출 효 
가시킬 수 다. 
또한 [0058] , 열 출 효 하여 에 시 것과 같 6d , 체 
과 드 연결 어가 아닌 전 클 할 수 다(210) (245) (255) .
드 는 어가 연결 는 내 드 체 키 접 [0074] (340) (341)
단 역할 하는 드 루어 는(342) , 내 드 는 다 드(341) (330)
찬가 키 내 열 효과적 출할 수 0.25 0.6～ ㎜
께 갖는다(d1) . 그러나 드 경 에는 제한 키 피 내에 적절한 , (342)
수 드 현하여야 하 문에 내 드에 비해 께 얇게 한다(d2) .
- 32 -
지재료에 덮여있는 부분 께 즉 내부 리드 역과 다이 들 이 같 께 , (60)
지 않고 내부 리드 역 께가 다이 들 보다 얇게 었고 도체 (60) , 
키지 내부 열 외부 욱 효과 출 있도 내부 리드 께를 껍
게 거나 도체 칩과 다 리드 각각 도 클립 연결 는 구 에 
는 사상 행 명 에는 나타나 있지 않다1 .
행 [ 1 ]
참조하 그 본 에 한 체 스 [0011] 1 , , (device)(10)
실시 형태 확 단 다 략 제 드 프 아주 알맞게는 제 . ( ) 2 (18) , , 1
께 는 다 제 께 갖는다 들 량 열 생하는 전원 회 경 에2 . , 
는 제 드 프 히트 싱크 할 수 다 그러한 경 에는 아주 , 2 (18) . , 
알맞게는 제 께는 제 께보다 껍다 람 한 실시 형태 경 에는 제 , 2 1 . , 1
께는 제 께 약 절 또는 그 하 다 어 경 에는 제 약 , 2 . , 1 8
제 께 갖고 제 께가 약 드 프 제조(0.2032 ) 1 , 2 20 (0.508 )㎜ ㎜
했다 께 함 제 드 프 쉽게 각각 드 프 . , 1 , 
할 수 고 동시에 제 드 프 효 적 열 행할 수 다, 2 . 
도 본 발명의 일실시 태에 의한 패키지 반도체 바이스[ 1] (wound package)
의 확 단면도(device)
- 33 -
아래 도면과 같이 행 명 도 에 나타난 도체 이스 리드 1 [ 1] (14)
자 상 상부 부분만 내부 리드 보고 부 부분만 외부 리드 본다고 ‘T’
라도 다이ㆍ 들 께가 내부 리드 역 께 다르다는 구 갖고 있다(20)
고 것이다.
편 아래 같 행 명 도면 도시에 면 행 명 6 , 6⑶ 
도체 키지도 클립과 속 는 부분 키지 에 덮여있는 부분(208) (220) , 
즉 내부 리드 역이 다이 드 같 께 것이 아닌 다이 드보다 (204)
얇 께 었 알 있다.
행발명 의 도 본 발명의 일실시 태에 의한 패키지 반도체 1 [ 1] (wound package)
바이스 의 확 단면도(device)
행발명 의 도 패키지를 하 한 본 발명에 의한 조법의 실시 태의 단면도6 [ 2J] 
- 34 -
같이 행 명 과 모 구 요소 에 는 구 개시1 6 7
고 있지 않고 이를 내포 는 암시 고 있다고 보 도 어 다 구 요소 이 이 . 7
사건 특허 명 출원 당시 통상 자에게 공지 는 주지 용 이라고 볼 
만 별다른 증거도 없다 라 행 명 이 구 요소 에 는 구 포. 1 5, 6
함 고 있고 행 명 에 구 요소 에 는 구 포함 고 있어 통상 , 6 4
자가 행 명 에 행 명 결합 다고 라도 이 사건 항 특허 명 1 6 , 3
구 요소 에 는 구 포함 고 있지 않다7 . 
욱이 이러 구 상 차이 인해 이 사건 항 특허 명 구 요 3⑷ 
소 이 구 요소 과 인 결합 통해 는 효과 도체 키지 7 4, 5, 6
열 출 효 향상 면 도 키지 께를 증가시키지 않고 조 공 효
지 있다는 면에 도 행 명 과 결합 명에 해 다소 나1 6
효과를 있다고 볼 있다. 
라 검토 결과 리) 
라 이 사건 항 특허 명 통상 자가 행 명 에 거나 3 1
행 명 에 행 명 결합 라도 쉽게 명 없 므 진보 이 부 지 1 6
않는다.
행 명 는 행 명 에 여 진보 이 부 는지 여부 3) 3 3, 6
가 이 사건 항 특허 명과 행 명 구 요소 ) 3 3
이 사건 항 특허 명 각 구 요소에 는 행 명 각 구 요소3 3
는 아래 재 같다.
구 요소 이 사건 항 특허 명3 행 명 3
- 35 -
1 상 는 상부 면 부 면
갖는 다이 드; 
집 회 다이 는 칩 이 다(2020)○ 
이 드 는 상부 면에 (2004) 1 
를 들어 솔 같 착 에 (2021)
해 열 도 식 부
착 다 단번 ( [0186]).
닥 다이 드MLP(2000)○ 
부 면 참조번 없 즉 (2004) ( ), 
다이 가 부착 면 쪽 (2020)
면 노출시키는 앙 리 스 (2250)
포함 다 단번 ( [0190])
2 상 다이 드 상부 면 상에 실장
도체 칩; 
집 회 다이 는 칩 이 다(2020)○ 
이 드 는 상부 면에 (2004) 1 
를 들어 솔 같 착 에 (2021)
해 열 도 식 부
착 다 단번 ( [0186]).
3 상 다이 드 주변 역에 상 다
이 드 일 간격 이격 도 
다 리드; 
들 리 스들 리드/ (2230, 2240)○ 
들 이 가 장착 (2006, 2008) MLP(2000)
회 보드 도시 지 않 부 ( ) /
는 그 일 거리만큼 떨어질 
있도 해 다 단번 ( [0188]).
4 상 도체 칩과 상 다 리드 각
각 연결 는 도 클
립 ; 
본드 이어 가 내부 외부 (2050)○ 
리드들 각 다이(2006, 2008) (2020)
에 연결시킨다 단번 (
[0186]).
5 어도 상 리드 면 일부 상
다이 드 일부를 노출 며 상 
다이 드 상 도체 칩 상 리드 , , 
상 도 클립 덮는 키지 
몰 질 는 몸체MLP ○ 
는 리드 임 다이 드(2010) (2002), 
내부 리드들 외부 리(2004), (2006) 
드들 각 러싼다 단번 (2008) (
- 36 -
를 포함 고, [0185]).
다이 는 다이 드 에 부(2020) (2004)○ 
착 면 외 고는 몸체 내에 (2010) 
러싸인다 단번 ( [0186]).
각 리드들 닥 면(2006, 2008)○ 
일부는 각 상당 는 리 스들/
내에 외부 경에 노출(2230, 2240) 
다 언 면 리 스들. , / (2230, 
내에 리드들 2240) (2006, 2008)
닥 면들 몸체 를 는 몰(2010)
질에 해 덮히지 않고 외부 노
출 다 단번 ( [0187]).
닥 다이 드MLP(2500)○ 
부 면 참조번 없 즉 (2504) ( ), 
다이 가 부착 면 쪽 (2520)
면 노출시키는 앙 리 스 (2560)
포함 다 단번 ( [0197]).
6 상 다이 드 께가 상 리드 
키지 외부 노출 는 외부 
리드보다 꺼운 것
외부 리드들 몸체 (2008) (2010)○ 
면 부 일 거리만큼 (2244)
연장 다 단번 ( [0189]).
다이 드 께는 몸(2004) MLP ○ 
체 외부 노출 외부 리드들(2010)
께 동일 다 도 (2256) ([ 30]).
7 상 리드 키지 외부 노
출 지 않는 내부 리드 역 상 다
이 드 같 께를 갖는 것 특징
는 몰 드 리드리스 키지.
리드 이어에 연결 는 부분○ 
몸체 내부에 덮이는 부분MLP 
다이 드 같 께를 갖는다
도 ([ 30]) 
본 명 도체 키지에 것○ 
- 37 -
나) 공통 차이 분
분야 ⑴ 
이 사건 항 특허 명과 행 명 몰 드 리드리스 키지 3 3 ‘ (Molded L
에 것이라는 에 동일 다eadless Package)’ . 
구 요소 1, 2, 3⑵ 
이 사건 항 특허 명 구 요소 상 는 상부 면 3 1, 2, 3 ‘
부 면 갖는 다이 드 다이 드[ (2004)]5) 구 요소 다이 드 다이 드( 1)’, ‘ [
상부 면 상에 실장 도체 칩 집 회 다이 는 칩 구 요소 (2004)] [ (2020)](
다이 드 다이 드 주변 역에 다이 드 다이 드 일 간2)’, ‘ [ (2004)] [ (2004)]
격 이격 도 다 리드 내부 리드들 외부 리드들 구 요소 [ (2006) (2008)](
이고 행 명 도 구 요소 과 동일 구 가지고 있다 이에 여 3)’ , 3 1, 2, 3 (
5) 이 사건 항 특허 명 3 구 요소에 는 행 명 구 요소를 안에 재 고 이 같 식 1 , 
다.
특히 향상 신뢰 높 , 
열 출 능 갖는 몰 드 리드리스 
키지 이 (Molded Leadless Package, 
소잉 그것 조MLP) MLP 
법에 것이다 단번 ( [0002]).
도면 도 [ 5] 도 [ 30]
- 38 -
당사자 사이에 다 이 없다).
구 요소 4⑶ 
이 사건 항 특허 명 구 요소 이에 는 행 명 구 3 4 3
요소는 도체 칩 다이 과 다 리드 내부 외부 리드들 각각 [ (2020)] [ (2006, 2008)] 
연결 다는 에 공통 다 다만 구 요소 는 도 클립 연결. , 4
는 면 행 명 본드 이어 연결 다는 에 차이가 있다 이 차, 1 (2050) ( ‘
이 이라 다2-1’ ). 
구 요소 5⑷ 
이 사건 항 특허 명 구 요소 이에 는 행 명 구 3 5 3
요소는 어도 리드 면 일부 각 리드들 닥 면 일부 다[ (2006, 2008) ] 
이 드 일부 다이 드 부 면 를 노출 며 다이 드 다이 드[ (2504) ] [ (2004)], 
도체 칩 다이 리드 내부 리드들 외부 리드들 를 덮는 러싸[ (2020)], [ (2006) (2008)] (
는 키지 몸체 를 포함 다는 에 공통 다 다만 구 요소 ) [MLP (2010)] . , 5
키지 는 도체 칩과 리드를 연결 는 도 클립 덮는 면 행 명 , 3
몸체 는 다이 내부 외부 리드들 연결 는 본드 MLP (2010) (2020) (2006, 2008)
이어 를 덮는다는 에 차이가 있다 이 차이 라 다(2050) ( ‘ 2-2’ ).
구 요소 6⑸ 
이 사건 항 특허 명 구 요소 다이 드 께가 리드 3 6㈎ 
키지 외부 노출 는 외부 리드보다 꺼운 면 행 명 다이 드, 3 (20
께는 몸체 외부 노출 외부 리드들 께 동일 다04) MLP (2010) (2256)
는 에 차이가 있다 이 차이 이라 다( ‘ 2-3’ ). 
- 39 -
이에 여 원고는 아래 행 명 도면에 나타난 같이 행 , 3㈏ 
명 몰 드 리드리스 키지도 이 사건 항 특허 명 외부 리드에 는 3 3
구 랫 포함 고 있고 구 요소 과 동일 게 다이 드 (2258) , 6 (2004)
께를 리드 몸체 외부 노출 는 랫 보다 껍게 는 구(2256) (2010) (2258)
그 포함 고 있다고 주장 다. 
그러나 원고 주장과 같이 행 명 외부 리드 에 랫 3 (2256) (225
외부 리드에 포함 는 것 보 라도 외부 리드 체 부분 키지 8) , (2256)
몸체에 덮여있지 않고 노출 어 외부 속 단자 능 는 부분 랫뿐만 
아니라 부면 일부 면 상부면 일부를 함께 포함 고 있다 그러므 행 명 , . 3
에 단지 랫만이 외부 리드에 해당 는 구 이라고 보 는 어 고 리드 MLP , 
랫 포함 이들 체 부분 외부 리드 보아야 다. 
그리고 이 일 체 께는 그 체를 구 는 부분 가장 
얇 부분 께를 미 다 보다는 가장 주 부분 는 가장 꺼운 부분 께
를 미 는 것 보는 것이 합리 이고 같 이 아래 이 사건 특허 명 도 , 
행발명 의 도 도 의 의 실시 의 단면도3 [ 30] 29 MLP 2 
- 40 -
등에 나타난 를 보면 이 사건 특허 명 도 역시 내부 리드 부분에 리드 4a , MLP
체 께보다 작 께 부분인 내부 리드 가장 안쪽 부에 식각 어 있는 부
분 일부 포함 고 있다고 라도 이를 내부 리드 께라고 지 않고 내부 리드
가장 주 부분이면 가장 꺼운 부분인 내부 리드 께라고 고 있d1
알 있다. 
그러므 행 명 경우 외부 리드 에 랫이 다이 3 (2256)
드 께보다 얇게 것이라고 라도 이를 구 요소 과 동일 구 , 6
보아 다이 드 께가 외부 리드보다 껍게 구 이라고 볼 는 없다, . 
구 요소 7⑹ 
이 사건 항 특허 명 구 요소 과 이에 는 행 명 구 3 7 3
요소는 리드 키지 외부 노출 지 않는 내부 리드 역 리드 이어(
에 연결 는 부분 몸체 내부에 덮이는 부분 다이 드 다이 드MLP ) [
같 께를 갖는다는 에 실질 동일 다(2004)] .
도 도 에 도시 의 라 단하여 나타내 보인 단면도[ 4a] 3 MLP A-A'
- 41 -
다 차이 에 검토) 
행 명 직 회 다이 리드들 연 3 (2020) (2006, 2008)⑴ 
결 는 재료 이어를 채택 고 있는데 통상 자가 도체 키지 내 열 , 
출 효 향상 해 이어 신 도 클립 채택 여 구 는 것이 이 
사건 특허 명 출원 에 통상 자에게 이미 주지 용 이라고 볼 증거는 없
다6) 구 요소 연결 재료 이어 신 클립 구 는 것이 통상. 4, 5
자에게 주지 용 단 히 용 것에 불과 다고 라도 아래 같 , 
이 사건 특허 명 명 재에 면 이 사건 항 특허 명 구 요소 , 3 6
다이 드 께를 외부 리드보다 껍게 는 구 이 구 요소 ‘ ’ 4, 5
결합 여 종래 몰 드 리드리스 키지에 해 꺼운 다이 드를 통해 
키지 내부 열 외부 효과 출 있 며 동시에 키지 부 , 
내에 리드를 구 있다는 특징 효과를 공 는 몰 드 
리드리스 키지를 공 는 명임 알 있 므 아래 같이 행 명 이 다, 3 ‘
이 드 께를 외부 리드보다 껍게 는 구 갖고 있지 않 이상 동일’
작용효과가 있다고 볼 없다.
6) 행 명 에는 연결 단 알루미늄 이어가 사용 고 이어 지 않 이어를 1 “ , , 
포함 는 여러 종 재료 직경이 가지가지인 주지 이어를 사용 있다 단번 고 개시 어 있 뿐( [0014])” , 
연결 재료 이어 신 도 클립 채택 여 용 는 구 이 통상 자에게 주지 용 이라는 별다른 증거는 
없다. 
건 특허 [ ]
드 는 어가 연결 는 내 드 체 키 접 [0045] (240) (241)
단 역할 하는 드 루어 는 내 드 는 다 드(242) , (241) (230)
찬가 키 내 열 효과적 출할 수 0.25 0.6～ ㎜
께 갖는다 그러나 드 경 에는 제한 키 피 내에 적절한 (d1) . , (242)
- 42 -
아래 같 행 명 도면 도시에 면 다이 드 3 , (2004)⑵ 
께가 몸체 외부 노출 외부 리드들 께 동일 게 MLP (2010) (2256)
특징만 개시 고 있 뿐 구 요소 에 는 특징이나 구 6
개시 고 있지 않다. 
수 드 현하여야 하 문에 내 드에 비해 께 얇게 한다(d2) .
같 체 과 드 전 클 연결할 경 전 클 [0053] , 
어에 비해 적 문에 흐 는 전 양 가시킬 수 고 열 출 효 
가시킬 수 다 한 본 실시 경 에 경 같 키 . , , 4b
수 하게 할 수 다.
또한 열 출 효 하여 에 시 것과 같 체 [0058] , 6d , (21
과 드 연결 어가 아닌 전 클 할 수 다0) (245) (255) .
본 제 실시 에 는 다 드 키 [0061] 4 MLP(500) (230)
확 어 다 드 가 키 출 드(220) , (24
는 다 드 에만 다 키 하 보여주고 는 참조하7) . 7
키 앙 뿐만 아니라 드가 출 는 에 다 드 가 , (230)
드 같 형태 출 어 접 단 역할 하게 다 게 다 (247) . 
드 가 접 키 출 경 열 출 효 가시킬 수 다
드 드 연결하는 어 수 수 다 다 드 드. (230) (247) 
조는 에 시 실시 동 하므 동 한 참조 호 하 그 6b MLP
생략한다.
다 드 체 착 는 정 [0042] (230) (210) (h
스 어 다 는 열 출 효 가시키 하여 다 드 2) (recess) . , (230)
께 껍게 함 키 피가 커 는 것 하 한 것 다 (d1) , 
드 스 만큼 키 께 감 시킬 수 키(230) (h2) , 
께 해 체 께 않아 다 다 드 . (230)
스 역 폭 수 열 출 효 만 체 크 고 하여 결정할 수 
다.
- 43 -
라 행 명 이 사건 항 특허 명과 구 에 있어 차이 3 3⑶ 
가 있 뿐만 아니라 이러 구 상 차이 인해 이 사건 항 특허 명에 , 3
는 종래 에 해 다이 드 께를 껍게 구 함 써 도체 키지 MLP
열 출 효 향상 면 동시에 외부 리드 께를 얇게 함 
키지 부 내에 리드를 구 있다는 작용효과에 있어 도 차
이가 있다고 볼 있다.
원고는 이 사건 항 특허 명 리드 는 ㄴ 자 상이나 행 3 (240) “ ”⑷ 
명 외부 리드 는 ㄱ 자 상이라는 에 만 차이가 있 뿐 그 노출 는 3 (2256) “ ”
부분과 상이 동일 데 키지 면 노출 는 부분 보면 ㄴ 자 상이, “ ”
나 ㄱ 자 상이나 별다른 차이가 없어 그 효과도 다르지 않다는 취지 주장 다“ ” .
행발명 의 도 도 의 의 단면도 3 [ 29a] 28 MLP
행발명 의 도 도 의 의 실시 의 단면도3 [ 30] 29 MLP 2 
- 44 -
그러나 이 사건 항 특허 명 앞 본 구 요소 에 다이 드 3 6
께를 종래 다이 드보다 껍게 구 면 외부 리드보다 껍게 MLP
구 함 써 도체 키지 열 출 능 향상 는 효과를 가진다 그리고 구. 
요소 에 외부 리드 께를 다이 드 내부 리드보다 얇게 구 함 써 6, 7
키지 부 내에 리드를 구 있는 효과를 가진다 구. 
요소 에 도체 칩과 리드를 연결 는 구 요소 도 클립 채택 고4, 5 , 
구 요소 에 내부 리드 역 께도 다이 드 께 다르게 구 지 않고 7
동일 께 구 함 써 도체 키지 열 출 효과를 욱 향상 면 도 조
단가를 증가시키지 않는다는 효과를 가진다.
그런데 행 명 는 구 요소 내부 리드 역 다이 3 MLP 7
드 같 께 는 구 포함 고 있고 원고 주장과 같이 이 사건 항 , 3
특허 명 리드 행 명 외부 리드 상이 ㄱ 자 ㄴ 자인 것 (240) 3 (2256) “ ” , “ ”
외에는 그 상이 사 다고 라도 행 명 여 히 구 요소 , 3 4, 5, 6
구 특징 포함 고 있지 않 므 구 에 있어 차이가 있고 이러 구, 
상 차이 인해 작용효과 면에 있어 도 동일 다고 보 어 다. 
게다가 통상 자가 사후 고찰이 아니고 는 행 명 ㄱ 자 3 “ ”
상 외부 리드를 특별 이 없이 이 사건 항 특허 명 리드 같이 3
ㄴ 자 상 변경 고 나아가 외부 리드 역 내부 리드 다이 드보다 “ ” , 
얇 께 계 변경 동 를 갖 어 다 원고 이 부분 주장 이 없다. .
라 검토 결과 리) 
라 이 사건 항 특허 명 통상 자가 행 명 에 거나 3 3
- 45 -
행 명 에 행 명 주 행 명 행 명 부분 이 같다 결합3 6( 1 )
라도 쉽게 명 없 므 진보 이 부 지 않는다.
행 명 는 행 명 에 여 진보 이 부 는지 여부 4) 10 10, 6
가 이 사건 항 특허 명과 행 명 구 요소 ) 3 10
이 사건 항 특허 명 각 구 요소에 는 행 명 각 구 요소3 10
는 아래 재 같다.
구 요소 이 사건 항 특허 명3 행 명 10
1 상 는 상부 면 부 면
갖는 다이 드; 
도체 소자(semiconductor ○ 
가 도 착 등에 라 device)(2)
다이 드 에 착 고 있다 단(3) (
번 [0014]).
다이 드 는 상 는 상부 (3)○ 
면 부 면 갖고 있고 도, 
체 소자 가 다이 드 상부 면상(2)
에 실장 어 있다 도 ([ 1]).
2 상 다이 드 상부 면 상에 실장
도체 칩; 
3 상 다이 드 주변 역에 상 다
이 드 일 간격 이격 도 
다 리드; 
도체 소자(semiconductor device)○ 
상 극부 도시 지 않 가 본 ( )
이어 리드 단자(bonding wire)(4)
에 속 고 있다(lead terminal)(5) (
단번 [0014]).
리드 단자 는 다이 드 주변 (5)○ 
역에 다이 드 일 간격 이격
도 복 개 어 있다 도 ([ 1]).
4 상 도체 칩과 상 다 리드 각
각 연결 는 도 클
립 ; 
5 어도 상 리드 면 일부 상
다이 드 일부를 노출 며 상 
다이 드 상 도체 칩 상 리드 , , 
본 이어 속부(bonding wire) ○ 
실장 (mounted substrate)
면 즉 본 이어 를 , (bonding wire)
- 46 -
상 도 클립 덮는 키지 
를 포함 고, 
속 면과 마주 보는 면 가운데, 
부 에 가리키는 역 이외 A
역 에폭시 지 가(epoxide resin)
리고 있 며 도체 키지(wound 
아래쪽 면에 는 외부 package)
속부 본 이어(bonding wire) 
속부 부 에 가리키는 역이 A
노출 고 있다 아래쪽 면 앙부에 . , 
다이 드도 노출 고 있다 단번 (
[0016]).
도체 키지 는 (wound package)(1)○ 
상 종래 도체 키지(wound 
슷 게 도체 소자package) , 
가 도 (semiconductor device)(2)
착 등에 라 다이 드 에 (3) 
착 고 있다 욱이 도체 소자. 
를 외계 부 (semiconductor device)
보 해 에폭시 지(epoxide 
에 도체 소자resin)(6)
를 지 고 있(semiconductor device)
다 단번 ( [0014]). 
6 상 다이 드 께가 상 리드 
키지 외부 노출 는 외부 
리드보다 꺼운 것
도 부 에 가리키는 본 1 f○ 
이어 속부 께가 (bonding wire) 
도 부 에 가리키는 0.15 , 1 g㎜
외부 속부 께가 가 0.05㎜
는 것처럼 구 어 있다 단번 (
[0015]). 
도 부 에 가리키는 본 2 h○ 
7 상 리드 키지 외부 노
출 지 않는 내부 리드 역 상 다
이 드 같 께를 갖는 것 특징
는 몰 드 리드리스 키지.
- 47 -
나) 공통 차이 분
분야 ⑴ 
이 사건 항 특허 명과 행 명 몰 드 리드리스 키지 3 10 ‘ (Molded 
에 것이라는 에 동일 다Leadless Package)’ . 
구 요소 1, 2, 3⑵ 
이 사건 항 특허 명 구 요소 상 는 상부 면 3 1, 2, 3 ‘
부 면 갖는 다이 드 다이 드[ (3)]7) 구 요소 다이 드 다이 드 ( 1)’, ‘ [ (3)]
상부 면 상에 실장 도체 칩 도체 소자 구 요소 다이 드 다이 드[ (2)]( 2)’, ‘ [
주변 역에 다이 드 다이 드 일 간격 이격 도 다 리(3)] [ (3)]
7) 이 사건 항 특허 명 3 구 요소에 는 행 명 구 요소를 안에 재 고 이 같 식 10 , 
다.
이어 속부 께가 (bonding wire) 
가 는 것처럼 구 어 있다0.2 (㎜
단번 [0018]). 
도체 키지 (wound package)○ 
아래쪽 면에 는 외부 속부 
본 이어 속부 (bonding wire) 
부 에 가리키는 역이 노출 고 A
있다 단번 ( [0016]).
도면 도 [ 5] 도 [ 1 ]⒜
- 48 -
드 리드 단자 구 요소 이고 행 명 도 구 요소 과 동일 구[ (5)]( 3)’ , 10 1, 2, 3
가지고 있다 이에 여 당사자 사이에 다 이 없다( ).
구 요소 4⑶ 
이 사건 항 특허 명 구 요소 이에 는 행 명 구 3 4 10
요소는 도체 칩 도체 소자 과 다 리드 리드 단자 각각 [ (2)] [ (5)] 
연결 속 다는 에 공통 다 다만 구 요소 는 도 클립 연결 는 ( ) . , 4
면 행 명 본 이어 속 다는 에 차이가 있다 이 차이 , 10 (4) ( ‘ 3-1’
이라 다). 
구 요소 5⑷ 
이 사건 항 특허 명 구 요소 이에 는 행 명 구 3 5 10
요소는 어도 리드 면 일부 다이 드 일부를 노출 며 리드 단자 [ (5) 
외부 속부 면 본 이어 속부 부 에 해당 는 부분 (13) (12) A
면 노출 며 다이 드 다이 드 도체 칩 도체 소자 리드 리드 단자] [ (3)], [ (2)], [
를 키지 덮는다 에폭시 지 지 다 는 에 공통(5)] [ (epoxide resin)(6) ]
다 다만 구 요소 키지 는 도체 칩과 리드를 연결 는 도 클립 . , 5
덮는 면 행 명 에폭시 지 는 도체 소자 리드 단, 10 (epoxide resin)(6) (2)
자 를 속 는 본 이어 를 지 다는 에 차이가 있다 이 차이 (5) (4) ( ‘ 3-2’
라 다). 
구 요소 6⑸ 
이 사건 항 특허 명 리드 키지 외부 노출 는 외부 3 ‘
리드에 는 행 명 구 요소는 외부 속부 인데 행 명 ’ 10 ‘ (13)’ , 10
- 49 -
명 에는 다이 드 외부 속부 께가 명시 재 어 있지 않
나 외부 속부 께가 인 구 이 실시 재 어 있고 도 , 0.05 , [ 1 ]㎜ ⒜
에는 다이 드 께가 외부 속부 보다 껍게 도시 도체 키지(3) (13)
가 나타나 있다 라 이 사건 항 특허 명 구 요소 과 이에 는 (1) . 3 6
행 명 구 요소는 다이 드 다이 드 께가 리드 키지 외10 [ (3)]
부 노출 는 외부 리드 외부 속부 보다 껍다는 에 실질 동일[ (13)]
다.
구 요소 7⑹ 
이 사건 항 특허 명 리드 키지 외부 노출 지 않는 3 ‘
내부 리드에 는 행 명 구 요소는 본 이어 속부 인데 행’ 10 ‘ (12)’ , 
명 도 에는 본 이어 속부 께가 다이 드 께 다르게 10 [ 1 ] (12)⒜
도시 도체 키지 가 나타나 있다 라 이 사건 항 특허 명 구 요소 (1) . 3 7
리드 키지 외부 노출 지 않는 내부 리드 역 다이 드 같 
께를 갖는 면 행 명 본 이어 속부 는 다이 드 다른 께를 , 10 (12)
갖는다는 에 차이가 있다 이 차이 이라 다( ‘ 3-3’ ). 
편 행 명 도 에 나타난 도체 키지 태를 보면 그 본 , 10 2 , ⒜
이어 속부 께가 다이 드 께 같 것처럼 도시 어 있 나(12) (3) , 
본 이어 속부 는 그 상면이 에폭시 지 에 해 덮이고 본 이어 에 (12) (6) (4)
해 속 며 그 면 체가 에폭시 지 부 노출 어 납 등 합재료 에 (6) (11)
해 실장 상에 풋 과 속 는 것 개시 어 있(14)
므 이 사건 항 특허 명 내부 리드 외부 리드 능 함께 가지는 구3
- 50 -
볼 있다 라 행 명 도 에 나타난 도체 키지는 이 사건 . 10 2⒜
항 특허 명 구 요소 과 같이 다이 드 께가 외부 리드보다 껍게 3 6
것이 아니고 같 께 것이다.
다 차이 에 검토) 
앞 든 증거 변 체 취지에 여 알 있는 다 과 같 사 
종합 여 보면 이 사건 항 특허 명 이 사건 특허 명 명 에 개시 어 있, 3
는 내용 알고 있 사후 단 지 않는 이 사건 특허 명 출원 
당시 에 추어 통상 자가 행 명 에 여 차이 10 3-1, 3-2, 3
극복 고 쉽게 명 있다고 보 어 다-3 . 
아래 같 이 사건 특허 명 명 재에 면 도체 칩과 리드 , ⑴ 
연결 단 도 이어 는 도 클립 등이 있는데 이 도 클, 
립 구 경우 이어에 해 면 이 에 르는 양 증가시킬 
있고 열 출 효 도 높일 있다는 것 알 있다. 
행발명 의 도 외부 판 속부의 이 및 께의 규 이 를 명하 한 10 [ 2 ] ⒜
모식도
- 51 -
그리고 아래 같 이 사건 특허 명 명 재에 면 이 사건 , ⑵ 
항 특허 명 몰 드 리드리스 키지는 구 요소 에 도체 칩과 리드를 3 4, 5
연결 는 단 이어 신 도 클립 채택 여 구 고 구 요소 에 다이 , 6
드 께를 외부 리드보다 껍게 구 함 써 몰 드 리드리스 키지 내부 열
외부 효과 출 있고 구 요소 에 다이 드 내부 리드 께, 7
를 다르게 지 않고 동일 게 구 함 써 열 출 효 극 면 도 
도체 키지 조 공 에 효 높일 있고 이 함께 외부 리드는 다이 , 
드 내부 리드보다 얇게 구 함 써 키지 부 내에 리드 를 용이
게 증가시킬 있다는 것 알 있다 그러므 이 사건 항 특허 명 몰. 3
드 리드리스 키지는 구 요소 이 구 요소 내지 과 결합 어 이러 7 4 6
작용효과를 다는 것 알 있다. 
건 특허 [ ]
연결 수단 전 어 는 전 클 포함할 수 다 [0027] .
같 체 과 드 전 클 연결할 경 전 클 [0053] , 
어에 비해 적 문에 흐 는 전 양 가시킬 수 고 열 출 효 
가시킬 수 다 한 본 실시 경 에 경 같 키 . , , 4b
수 하게 할 수 다.
또한 열 출 효 하여 에 시 것과 같 체 [0058] , 6d , 
과 드 연결 어가 아닌 전 클 할 수 다(210) (245) (255) .
건 특허 [ ]
또한 종래 경 열 출 문제가 다 개 었다고는 하나 다 [0008] , MLP , 
드 드 께가 정 얇 문에 전 체 나 (130) (140) 0.2 0.25 LED ～ ㎜ 
에 적 하 에는 여전히 열적 스트 스 문제가 개 어야 하는 실정 다 열 출 효. 
하여 다 드 드 께 가시키 전체 키 피가 가하
문에 경 단 향하는 최근 전 에 합하 하게 다.
- 52 -
본 해결하 는 과제는 제조단가 가시키 않 열 출 능 [0015] 
가 드 수 하게 가시킬 수 는 조 드 드 스 키 제
공하는 다.
특히 본 에 다 드 는 께 갖 [0041] MLP (230) 0.25 0.6 (d1)～ ㎜
는 종래 다 드가 것에 비해 것 특징 다 게 다 , 0.2 0.25 . ～ ㎜
드 께 껍게 할 경 다 드 해 키 내 열 효(230) (d1)
과적 출할 수 문에 체 동 신 크게 향 시킬 수 다.
드 는 어가 연결 는 내 드 체 키 접 [0045] (240) (241)
단 역할 하는 드 루어 는 내 드 는 다 드(242) , (241) (230)
찬가 키 내 열 효과적 출할 수 0.25 0.6～ ㎜
께 갖는다 그러나 드 경 에는 제한 키 피 내에 적절한 (d1) . , (242)
수 드 현하여야 하 문에 내 드에 비해 께 얇게 한다(d2) .
같 체 과 드 전 클 연결할 경 전 클 [0053] , 
어에 비해 적 문에 흐 는 전 양 가시킬 수 고 열 출 효 
가시킬 수 다 한 본 실시 경 에 경 같 키 . , , 4b
수 하게 할 수 다.
또한 열 출 효 하여 에 시 것과 같 체 [0058] , 6d , 
과 드 연결 어가 아닌 전 클 할 수 다(210) (245) (255) .
본 제 실시 에 는 다 드 키 [0061] 4 MLP(500) (230)
확 어 다 드 가 키 출 드(220) , (24
도 본 발명의 실시 에 른 몰 드 리드리스 패키지 의 단면도[ 5] 2 (MLP)
- 53 -
그러나 행 명 도면 도시에 면 행 명 도체 키 10 , 10⑶ 
지는 구 요소 에 는 구 에폭시 지 부 노출 면 외부 6 (6)
속 단자 능 는 외부 속부 가 다이 드 께보다 얇게 (13)
는 특징 포함 고 있 나 도체 소자 리드 단자 를 연결 는 재료가 클, (2) (5)
립이 아닌 이어이므 구 요소 차이가 있고 리드 단자 에폭시 지4, 5 , (5) (6)
에 해 덮이면 본 이어 속 는 본 이어 속부 가 다이 드(4) (12) (3)
보다 얇게 어 있 므 구 요소 과 차이가 있 알 있다7 .
는 다 드 에만 다 키 하 보여주고 는 참조하7) . 7
키 앙 뿐만 아니라 드가 출 는 에 다 드 가 , (230)
드 같 형태 출 어 접 단 역할 하게 다 게 다 (247) . 
드 가 접 키 출 경 열 출 효 가시킬 수 다
드 드 연결하는 어 수 수 다 다 드 드. (230) (247) 
조는 에 시 실시 동 하므 동 한 참조 호 하 그 6b MLP
생략한다.
행발명 의 도 본 발명 용한 반도체 패키지의 한 를 명하 한 모식도10 [ 1 ] ⒜
- 54 -
그러므 이러 구 상 차이 인해 행 명 도체 키지는 10
이 사건 항 특허 명에 는 도체 키지 높 열 출 능 가지면3
도 조 공 에 효 지 있다는 작용효과에 있어 도 차이가 있
다고 볼 있다 그리고 행 명 명 나 도면에는 행 명 도체 . 10 10
키지가 이 같 특징이나 작용효과를 가질 있다는 이 개시 어 있
지 않다.
원고는 행 명 도면에는 본 이어 속부 께가 다이 10 (12)⑷ 
드 께 슷 게 도시 어 있는데 이 사건 특허 명 명 에는 내부 리드(3) , 
께가 다이 드 께 동일함 인 효과는 개시 어 있지 않 므 내부 , 
리드 께가 다이 드 께 슷 도면 이 사건 항 특허 명 작용효과3
를 달 있어 행 명 도 이 사건 항 특허 명과 실질 동일 작용10 3
효과를 공 있다는 취지 주장 다. 
그러나 앞 든 증거 변 체 취지에 여 인 는 아래 같 
사실 사 종합 여 보면 원고 주장 이 없다, .
이 사건 특허 명 명 에 재 를 살펴보면 이 사건 특허 명 , 
몰 드 리드리스 키지에 다이 드는 도체 칩과 직 합 어 있 면 키지
외부 노출 어 있 므 이를 종래 에 다이 드보다 껍게 구 여 , MLP
열 출 효 높일 있는 것임 알 있다 단번 그리고 내부 리드( [0041]). 
는 도체 키지 내부에 덮여 있 면 도 클립과 외부 리드를 연결 는 구
이므 키지 내부 열 외부 효과 출 있는 구 임 알 있다. 
그러므 내부 리드 부분 껍게 구 여 키지 내부 열 효 
- 55 -
출 있는데 이를 다이 드보다 껍게 구 는 경우 체 키지 부 가 , 
증가 여 경 단소를 지향 는 근 자 에 부합 지 못 게 에 내부 
리드는 다이 드 같 께 구 다는 것임 알 있다 단번 ( [0008], 
그러므 이 사건 특허 명 명 는 내부 리드 께를 다이 드 께[0045]). 
동일 게 구 는 구 특징 이를 통해 얻 있는 효과에 해 , 
개시 고 있다. 
이 사건 특허 명 목 종래 에 해 조단가를 증가시키지 MLP
않 면 높 열 출 능 가지며 리드 를 용이 게 증가시킬 있는 구조 
건 특허 [ ]
또한 종래 경 열 출 문제가 다 개 었다고는 하나 다 [0008] , MLP , 
드 드 께가 정 얇 문에 전 체 나 (130) (140) 0.2 0.25 LED ～ ㎜ 
에 적 하 에는 여전히 열적 스트 스 문제가 개 어야 하는 실정 다 열 출 효. 
하여 다 드 드 께 가시키 전체 키 피가 가하
문에 경 단 향하는 최근 전 에 합하 하게 다.
본 해결하 는 과제는 제조단가 가시키 않 열 출 능[0015] 
가 드 수 하게 가시킬 수 는 조 드 드 스 키 제공
하는 다.
특히 본 에 다 드 는 께 갖는 [0041] MLP (230) 0.25 0.6 (d1)～ ㎜
종래 다 드가 것에 비해 것 특징 다 게 다 , 0.2 0.25 . ～ ㎜
드 께 껍게 할 경 다 드 해 키 내 열 효과(230) (d1)
적 출할 수 문에 체 동 신 크게 향 시킬 수 다.
드 는 어가 연결 는 내 드 체 키 접 단 [0045] (240) (241)
역할 하는 드 루어 는 내 드 는 다 드 (242) , (241) (230)
찬가 키 내 열 효과적 출할 수 0.25 0.6～ ㎜
께 갖는다 그러나 드 경 에는 제한 키 피 내에 적절한 (d1) . , (242)
수 드 현하여야 하 문에 내 드에 비해 께 얇게 한다(d2) .
- 56 -
몰 드 리드리스 키지를 공 는 것이다 단번 그리고 이 사건 항 ( [0015]). 3
특허 명 몰 드 리드리스 키지는 구 요소 에 에 재 특징 가지4 7
는 구 들이 결합 것 이를 통해 높 열 출 능 가지며 
조단가를 증가시키지 않 면 키지 공간 내에 리드 를 용이 게 증
가시킬 있는 작용효과를 가지는 것임 알 있다.
그런데 아래 행 명 명 도면에 나타난 를 살펴보면 행 10 , 
명 목 종래 도체 키지를 구 는 재료 이에 합 는 실장 10
구 는 재료가 창 계 에 있어 차이에 있 므 이 인해 합 재, 
료에 이 해 도체 키지 리드 단자 실장 상에 납 등 
합 재료 합부에 크랙이 생 에 라 도체 키지 실장 과 속 신
뢰 있게 지 없다는 를 해결 고자 는 것이다 그리고 행 명 . 10
이러 를 해결 해 외부 속부 께 그 면 면 얇게 구
여 외부 속부가 외부 변 에 추종 있고 외부 속부 
이 집 는 것 감함 써 궁극 는 도체 키지 외부 사이 , 
합 신뢰 향상 것임 알 있다. 
라 이 사건 특허 명과 행 명 그 목 이 다를 뿐만 아니 10
라 행 명 이 사건 항 특허 명 구 특징 작용효과들에 해 10 3 , 
개시 고 있지 않 므 원고 주장과 같이 행 명 본 이어 , 10
속부 께도 다이 드 슷 께 것이라고 라도 그 차이나는 , 
구 다른 구 들과 결합 계를 고 이 사건 항 특허 명과 구 이 실, 3
질 동일 다거나 실질 동일 작용효과를 가지는 것이라고 보 는 어
- 57 -
다 그리고 통상 자가 이를 구 요소 과 같이 계 변경 는 경우 행 명 . 7 10
통해 달 고자 는 목 과 효과를 상실 게 다 그러므 이 사건 항 . 3
특허 명 차이 통상 자라도 사후 고찰이 아니고 는 3-1, 3-2, 3-3
행 명 부 쉽게 착안 여 계 변경 는 동 를 갖 어 다10 . 
건 특허 [ ]
본 체 키 에 한 것 다 한 것 정한 [0001] (wound package) . 
해졌 경 에 단 체가 가동하는 것에 해 접 신 향 하
고 한 체 키 는 것 다(wound package) .
그 만 종래 체 키 에 는 체 키 [0007] , (wound package) (wound 
료 실 료 창 계수 차package) (mounted substrate)
에 해 접합 료에 해져 드 단 접합 료 접합 에 , (lead terminal)
크랙 생겨 체 키 실 과 (crack) (wound package) (mounted substrate)
접 확보할 수 없는 것 다 드프 형 해 에폭시 수. , (lead frame)
도 합부의 크랙 의 발생 명하 한 모식도[ 8] (crack)
- 58 -
라 검토 결과 리) 
라 이 사건 항 특허 명 통상 자가 행 명 에 거나 3 10
행 명 에 행 명 결합 라도 쉽게 명 없 므 진보 이 부10 6
한 체 키 에폭시(epoxide resin) (wound package) (epoxy functi
에 실 한 경 들고 생각하 창 계수가 약 에폭on) 17×10 6 , －
시 수 창 계수가 약 에폭시(epoxide resin) 7×10 6 , (epoxy function)－
창 계수가 약 므 들 에 나타내는 것처60×10 6 8(a)－
럼 체 키 실 실시했다고 해 들 시점에(wound package) -25℃
는 창 계수가 가 큰 에폭시 수축량 크 해 문(epoxy function) (
에 에 나타내는 것처럼 에폭시 볼 한 양에 젖혀) 8(b) , (epoxy function)
져 다 그 고 같 실 형에 드 단. (mounted substrate) (lead ter
가 추종할 수 없 해 문에 체 키 실 minal) ( ), (wound package) (moun
접합 에 집 해 드 단 접합 료 접합ted substrate) (lead terminal)
에 크랙 생겨 체 키 실 (crack) , (wound package) (mounted substr
과 접 확보할 수 없는 것 다ate) .
본 점 거 아 창안 것 체 키 [0009] , (wound packag
접 접 신 향 할 수 는 체 키e) (wound p
제공하는 것 적 하는 것 다ackage) . 
적 달 하 해 본 과 는 체 키 [0010] (wound pac
는 체 그 체 kage) (semiconductor device) , (semiconductor device)
본 어 에 해 접 는 본 어 접 (bonding wire) (bonding wire) 
과 접 는 접 루어 는 단 체 , (semiconductor 
단 하는 수 갖추는 체 키 에 device) (wound package)
접 정해 해졌 경 에 수 
적어 가 해 가동하는 것처럼 한다. 
여 접 정해 해졌 경 에 수 [0011] 
해 가동하는 것처럼 하는 것에 해 접 가 형에 추종 
할 수 접 집 저감할 수 다. 
- 59 -
지 않는다.
나 소결 . 
라 이 사건 항 특허 명 통상 자가 행 명 부 3 1, 3, 6, 10
쉽게 명 있다고 볼 없어 행 명들에 여 진보 이 부 지 않는다.
결4. 
이 사건 심결 취소를 구 는 원고 청구는 이 없 므 이를 각 다 .

재 장 사 이 근
사 임경
사 재
- 60 -
별지 [ 1]
행 명 1
명 명칭 이 게이지ㆍ리드 임: 
술 야 
본 집적 회 키징한 집적 회 에 한 것 특히 키징한 집 [0001] , , 
적 회 드 프 에 한 것 다.
경 술 
집적 회 다 는 실 ㆍ웨 등 체 웨 형 형 [0002] (IC) , 
스다 드 프 웨 어 다 포트하는 들 포. , , IC
함하는 프 다 드 프 전 연결 행하는 드ㆍ핑거 갖는. , 
다 다 는 다 ㆍ 들에 착 어 고 다 에 다 본 ㆍ 드가 에 전 . , , , , 
연결 행하 해 어ㆍ본 해 드ㆍ핑거에 접 다 보호 료에 해 다, . 
어ㆍ본드 하 키 가 형 다 키 타 에 라 는 에 전, . · , 
연결 는 슬 형 형 키 같 그 할 수 고 또는 볼 그 드, (TSOP) , · ·
어 형 볼 착하는 것에 해 처 할 수 다 단 점에 (BGA) . 
해 다 프 트 회 같 다 회 에 전 적 접 할 수 는다, .
드 프 또는 니 합 형 다 다 다 ㆍ [0003] , , . 
들에 착하는 개 납 다 고출 스는 단히 고 납 다 1 , . , 
약 스 역 약 필 한다 그러나 고 에 어 는 드 프( 300 ) · ( 260 ) . , , 
열화하고 열화에 어ㆍ본 ㆍ프 스가 향 는 보다 하게 , , 
하 어 접합 야 적 화 납 플럭스 염에 해 , , 
향 는다 게다가 열 쉽게 하 해 는 고출 스 경 는 . , , , 
다 ㆍ 들 람 하다 그러나 단히 어 는 드 프. , 
또는 압제 에 해 각각 드 프 에 절단하는 것 어 고 신 낮다( ) , .
해결하 고 하는 과제 
열 게다가 각각 드 프 절단하는 것 쉬 드 프 [0004] , 
제공하는 것 람 한 것 다 게다가 결함 생 않 고 프 스에 다 다. , 
ㆍ 들에 착하는 것 람 하다.
실시하 한 최 형태 
- 61 -
참조하 그 본 에 한 체 스 [0011] 1 , , (device)(10)
실시 형태 확 단 다 체 스 는 공동 동 러싸는 . (device)(10) , ( ) (16)
복수 드 갖는 제 드 프 포함한다 제 드 프 (14) 1 (12) . 1
아주 알맞게는 또는 합 에 형 어 제 정 께 갖는다(12) , , , 1 . 
제 드 프 제 드 프 에 착 어 다 제 드 2 (18) , 1 (12) . 2
프 제 드 프 공동 동 내 에 수 어 는 다(18) , 1 ( ) (16) ( )內
ㆍ 들 갖춘다 공동 동 는 키징 고 는 다 크 형 에 (20) . ( ) (16) , IC 
크 형 갖는다 그 문에 적 공동 동 는 각형 또는 정. , , ( ) (16) , 
형 형태 하고 만 집적 회 다 형 에 라 다 형 할 수 다, . 
제 드 프 아주 알맞게는 제 께 는 다 제 께 갖는다2 (18) , , 1 2 . 
들 량 열 생하는 전원 회 경 에는 제 드 프 히, , 2 (18)
트 싱크 할 수 다 그러한 경 에는 아주 알맞게는 제 께는 제 께보. , , 2 1
다 껍다 람 한 실시 형태 경 에는 제 께는 제 께 약 절 또는 . , 1 , 2
그 하 다 어 경 에는 제 약 제 께 갖고. , 1 8 (0.2032 ) 1 , ㎜
제 께가 약 드 프 제조했다 께 함 제 2 20 (0.508 ) . , 1㎜
드 프 쉽게 각각 드 프 할 수 고 동시에 제 드 프, , 2
효 적 열 행할 수 다. 
제 제 드 프 아주 알맞게는 같 [0012] 1 2 [(12) (18)] , , 
또는 합 형 어 는 실시 형태 경 에는 제 드 프, , 2
도 본 발명의 일실시 태에 의한 패키지 반도체 바이스[ 1] (wound package)
의 확 단면도(device)
- 62 -
께 슬래그 갖춘다 드 프 (18) , 20 (0.508 ) . [(12) ㎜
당업 라 주 같 프 스 가공 뽑 가공 또는 에 가공에 해 형 할 (18)] , , 
수 다 제 드 프 하에 하게 하게 접착 프 등 . 2 (18) , , 
접착 에 해 제 드 프 에 착 어 다 아주 알맞게는 착 어졌 1 (12) . , 
경 라 양 는 전 적 절연 태다 러한 전 적 절연 본 , . , 
한 특징 특히 티 다 어 블 경 에는 한 특징 다, · · .
집적 회 다 는 다 ㆍ 들 에 착 어 고 다 ㆍ 들 공동 동 [0013] (22) , (20) , (
내에 하고 므 다 는 복수 드 에 해 러싸여 다 집적 회) , (22) , (14) . 
다 는 실 웨 형 어 웨 어 회 같 당(22) , · , , 
업 라 주 타 것 어 좋다 미 한 것 같 공동 동 크 형. , ( )(16)
다 수 할 수 게 고 다 전형적 다 크 는 에 (22) . , 4 × 4 12㎜ ㎜ ㎜ 
다 다 는 약 약 께× 12 . (22) , 6 (0.1524 ) 21 (0.5334 )㎜ ㎜ ㎜
가 수 다 다 는 납 에 해 열 다 다 ㆍ 들 에 . (22) , (24) (22) (20)
수 는 납 다 프 스 등 주 다 ㆍ 들 에 착 다 다 실(20) . 
시 형태 경 에는 다 는 접착 료 또는 접착 프에 해 다 ㆍ 들 에 , (22) , (20)
착할 수 다.
다 는 복수 다 본 드 포함한다 다 본 드 가 [0014] (22) , (26) . (26) 
가 는 아주 알맞게는 어ㆍ본 프 스에 어 에 해 드 가 , , · , (28) (14) 
하는 개 드에 전 적 접 고 다 당업 라 러한 어 어. 
ㆍ본 프 스는 주 실시 형태 경 에는 어가 · , 2 (0.0508 )㎜
어 실시 형태 경 에는 알루미늄 어가 다 그러나, , 10 (0.254 ) · . , ㎜
었다 절연 었다 어 않고 는 어 포함하는 여러 종 ( ) 
료 경 가 가 주 어 할 수 다.
체 스 는 적어 드 제 드 프 [0015] (device)(10) , (14) 2
출시킨 태에 집적 회 다 정 어 (18) , (22) , (28) 
드 정 는 료 포함한다 드 출하고 는 (14) (30) . (14)
스 들 해 다 스에 접 하 해 , (10) , PCB
어 다 ㆍ 들 출하고 는 에 해 거 에 열 할 수 다, (20) , . 
료 는 키징 전 스 는 것 같 플라스틱 포함할 수 고(30) , , 
형 프 스에 해 드 프 과 다 어 형, [(12) (18)] , (22) , (28) 
다 전형적 실시 형태 스 전체 께는 약 다. (10) 2 .㎜
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참조하 복수 체 다 가 다 ㆍ 들 제 각각 [0026] 4D , (88) , (80) 2 
에 착 어 다 는 착 어 개 다 나타내는 차 스 다 다. 4D , 1 (88) . , 
ㆍ 들에 또 하나 다 착하는 스 다 다 는 에폭시 등 접착제에 다. (88) , 
ㆍ 들 에 착할 수 만 아주 알맞게는 납 스트 등 열전 접착 에(80) , , 
착 어 다 당업 라 해할 수 다고 생각하 만 다 는 그 출하고 는 . , (88) , 
에 복수 본 드 포함한다· .
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별지 [ 2]
행 명 3
명 명칭 향상 신뢰 높 열 출 능 갖는 몰 드 리드리스 키: 
지 소잉 몰 드 리드리스 키지 그 조 법
하는 술 야 그 야 종래 술 
본 체 키 에 한 것 특히 향 신 열 출 [0002] , 
능 갖는 드 드 스 키 하 형 (Molded Leadless Package, MLP)
그것 제조 에 한 것 다 나아가 본 스탬핑MLP . /
에 해 싱큘 트 그 제조 에 한 (stamping/punching) (sawing) MLP 
것 다.
참조하 종래 는 체 착 는 드프 [0005] 1 , MLP(110) , (111)
드 키 에 출 는 조 갖는다(112) (113) (114) . 
에 드 키 다 에 출 다 체 (115) (113) (116) . 
과 드 는 어 에 해 호 전 적 연결 다(111) (115) (117) .
는 종래 다 나타내 보 단 에 한 [0006] 1b MLP , MLP
한 항들 미 특허등 호 제 호에 개시 어 다6,437,429 .
참조하 종래 는 다 키 다 [0007] 1b , MLP(120) , (die)(121), (122), 
드 드 포함하여 다 다 는 하(123) (124) . (121) , (121a) 
갖는다 드 과 하 절단 (121b) . (124) (124a) , (124b) (124c)
도 종래의 몰 드 리드리스 패키지 의 일 를 나타내 보인 단면도[ 1a] (MLP)
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가 드 하 는 탈 드 형 하 해 한정 다 , (124) (124b) . 
탈 드는 키 출 전 적 연결 하(122) , MLP(120)
여 키 동 에 형 다 다 드 접착제 에 (122) . (123) (126)
해 다 하 과 착 그 키 출(121) (121b) , (122) 
다 다 드 는 어 에 해 호 전 적 연결 다. (121) (124) (125) .
참조하여 한 같 조 갖는 종래 들 [0008] 1a 1b MLP
드프 드 다 드 출( 1a 112) ( 1b 122)
어 어 각각 체 다 에 생 는 열 효 적( 1a 111) ( 1b 121)
출시킬 수 다는 점 제공한다.
그러나 같 점에 하고 종래 는 다 과 같 신 어 [0009] MLP
다는 단점 갖는다 드프 드 다 드 출 키. (1120) (122)
하 과 동 에 는 조 가 므 열적스트 스에 (113 122) , 
취약하다 체적 하 보드에 할 수행 는 플 공정 략 . , MLP
고 에 수행 다 고 태에 드프 드 다 드 240 260 . (112) (122)
하 전 출 어 게 에 라 드프 드 다 드, (112) 
출 적에 비 하는 열적스트 스가 생 다 에 내 흡습경(123) . MLP
연 하 가 하 않 경 드프 드 드, 1a (112)
단차가 커 드프 드 께 가시키는 한계가 는(115) (112) , 
는 드프 드 께가 클 경 드 는 하 않게 (112) (115)
문 다.
한 체 키 는 체 또는 다 드 프 키 [0010] , (die), 
도 종래의 몰 드 리드리스 패키지의 다른 를 나타내 보인 단면도[ 1b] 
- 66 -
포함하여 다 체 키 에 체 드 프 다(package body) . 
드 에 착 드 프 드 는 어에 하여 호 전 적(die pad) , 
연결 다 드는 어가 연결 는 내 드 체 키 접. (inner lead)
단 역할 하는 드 다 내 드는 적 (outer lead) . 
키 에 하여 전히 는 하여 드는 그 전체 키 , 
출 거나 드 가 출 다 후 같 드 . 
가 키 출 는 체 키 라고 한다MLP .
그 고 체 키 는 그 제조 공정에 라 타 키 [0011] , 
타 키 다 타 키 는 체 탑 드 프(punch) . 
다수 하나 블 드 다 내에 같 한 다 공정(block mold die) 
키 드 프 절단하여 개 화함 제조하는 키 형 말
한다 타 키 는 체 탑 드 프 각각 개 드 다. , 
내에 개 적 한 다 등 각 드 프(individual mold die) , 
시 제조하는 키 형 말한다.
종래 타 에 한 는 등에 한 전술한 미합 [0012] MLP Chun-Jen Su 
등 특허 제 호 에 개6,437,429 , "SEMICONDUCTOE PACKAGE WITH METAL PADS"
시 어 에는 미합 등 특허에 개시 어 는 에 한 단, 15a MLP
가 시 어 다 그 고 에는 저 가 시 어 다. , 15b MLP .
참조하 종래 타 는 체 [0013] 15a 15b , MLP(1100) , 
또는 다 키 다 드 드 포함하여 (1110), (1120), (1130) (1140)
다 다 는 과 하 갖는다 드 . (1110) (1110a) (1110b) . (1140)
하 절단 가 드 하 (1140a), (1140b) (1140c) , (1140)
전 또는 는 키 출 어 드(1140b) (1120) (metal pad)
형 한다 드는 전 적 연결 하여 키 . MLP(1100)
과 동 에 형 다 그 고 다 드 는 (1120) (1120a) . , (1110) (1140)
어 에 하여 호 전 적 연결 다 다 드 접착제(1150) . (1130) (1130a)
에 해 다 하 과 착 다(1160) (1110) (1110b) .
도 종래의 몰 드 리드리스 패키지의 일 를 나타내 보인 단면도[ 15a] 
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타 키 는 그 제조 공정 특 다 과 같 특징 가 다 [0014] . , 
다 드 키 출 어 키 (1130) (1130b) (1120) 
드 하 과 동 한 형 하게 다(1120) (1120a) (1140) (1140c) . 
냐하 타 키 는 드 수 가 드 하 흘러 들, (1140) (1140b)
어가는 현 할 수 다 드 드 에 커 프 (1130) (1140)
착한 태 공정 행하 문 다 또한 타 키 는 공정 . , 
하여 개 화하 문에 키 드 절단 MLP , (1120) (1140)
과 함께 동 한 절단 형 한다(1140c) .
에는 시스 보 에 가 실 어 는 조물 하에 는 [0015] 16 MLP(1100) ( , 
시스 보 에 가 실 어 는 조물 시스 키 라 한다 에 (10) MLP(1100) " " )
한 개략적 단 가 시 어 다 참조하 시스 보 에는 연결 . 16 , (10)
드 연결 드 전 적 연결하 한 회 라(12) (12) (circuit line, 
형 어 다 연결 드 회 라 동 한 전 컨 14) . (12) (14)
등 형 적 동 한 께 가 다 그 고 드 연결 . , MLP(100) (140)
드 가 조 트 하여 접합 어 연결 시스 (12) (solder joint, 16)
보 에 가 탑 다(10) MLP(1100) .
종래 술에 하 조 트 시스 보 에 접 [0016] (16) MLP(1100) (10) 
합시킬 가하는 압 생하는 열에 하여 조 트 가 약간 동 , (16)
가 수가 다 조 트 가 동 띠게 흐 수가 문에 . (16)
조 트 충 히 확보할 수가 없다 조 트 가 컨(16) (h1) . (16) (h1)
- 68 -
과 같 충 하게 확보 않 시스 보 에 탑30 , (10) MLP(1100)㎛ 
할 경 에 다 드 과 시스 보 회 라 간, (1130) (1130b) (10) (14) 
격 무 좁 문에 키 신 확보할 수가 없다 그 고 심한 경 에는 다 . , 
드 시스 보 호 라 접촉하게 어 단락 염 가 (1130) (10) (14)
다 뿐만 아니라 조 트 가 낮 조 트 체가 열적 스트. , (16) (h1) , (16) 
스나 계적 스트 스에 취약해 문에 시스 키 신 어뜨 다.
그 고 시스 보 에 탑 하는 과정에 조 트 [0017] , MLP(1100) (10) 
가 동 가 게 현 나 어짐 현(16) , MLP(1100) (collapse) (tilt) 
생할 염 가 다 현 생하 드 가 연결 드. MLP(1100) (1140) (12)
접 접촉 염 가 고 어짐 현 생하 시스 키 신, MLP(1100)
어뜨 는 문제점 다.
루고 하는 술적 과제 
본 루고 하는 술적 과제는 드프 드가 출 는 [0018] , 
조 경함 향 신 열 출 능 갖는 제공하는 것 다MLP .
본 루고 하는 다 술적 과제는 동 한 크 에 하여 핀 수 또 [0019] , 
는 드 수 가시킬 수 는 블 컨 스 제공하는 다MLP .
본 루고 하는 또 다 술적 과제는 내 드들 드들 [0020] , 
에 단락 할 수 는 블 컨 스 제공하는 다(Short) MLP .
본 루고 하는 또 다 술적 과제는 컨 스 조절함 [0021] , 
도 도 의 몰 드 리드리스 패키지가 시스템 보더 상에 실장 어 있는 것 나[ 16] 15a
타내 보인 단면도
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조 트 신 향 시킬 수 는 블 컨 스 제공하는 다MLP .
본 루고 하는 또 다 술적 과제는 회 보드 회 과 출 [0022] , 
드 에 전 적 단락 할 수 는 블 컨 스 제공하는 다MLP .
본 루고 하는 또 다 술적 과제는 회 보드 에 키 착 [0023] , 
할 블 컨 스에 한 홀 존 하여 회전 않 업 향 시킬 수 
는 블 컨 스 제공하는 다MLP .

참조하 호 는 제 제 갖는 드 [0067] 3a , 1 (211) 2 (212)
프 드 제 에 체 착 다 드프 드 (210) 1 (211) (230) . (210)
체 착 에는 접착제 컨 가 다 드프(230) , (solder)(220) . 
드 제 에 해 출 다 제(210) 2 (212) (260a) . 2 
가 출 는 것 아니 제 만 출 다 드프(212) , 2 (212) . 
드 제 는 는 는 (210) 2 (212) (260a) (260a) 
출 다 드프 드 제 출 는 형 에 시 . (210) 2 (212) 2a
같 원형 다 드 또한 하 만 출 다. (240a) (241a) (260a) . 
내에 드 는 어 에 해 체 과 전 적 연결(260a) (240a) (250) (230)
다 는 드프 드 제 드 하. (260a) (210) 2 (212) (240a)
제 한 나 러싼다(241a) (242a) .
드프 드 제 출시키는 [0068] (210) 2 (212) (260a)
과 드프 드 제 동 에 않고 단차 갖는(261a) (210) 2 (212)
다 드프 드 제 과 정 간격. (210) 2 (212) (260a) (261a)
도 도 의 몰 드 리드리스 패키지의 단면구조 다른 를 나타내 보인 단면도[ 3a] 2
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격 다 간격 략 다 같 (d) . (d) 0.12 0.15 . (260a)㎜
드프 드 제 격 그 격거 만큼 (261a) (210) 2 (212) (d)
흡습경 가 연 게 다 또한 드프 드 본래 적과는 무 하게 출. (210)
적 조절하 가 하 라 보드에 할 고 플 수행하 라 열, 
적 스트 스 최 한 억제시킬 수 다.
비스듬하게 경 갖는 조 루어 다 는 [0069] (260a) (263a) . 
형 하는 드형 형 하는 경 다 경 (260a) (punched type) . 
드 단 는 략 만큼 돌출 다 드 는 (240a) (260a) 0.08-0.15 . (240a)㎜
내에 드프 드 향해 러 형 다 같 (260a) (210) . 
러 형 갖는 드 는 스탬핑 공정에 해 만들어 다(240a) (stamping) .
참조하 본 실시 에 는 조 [0075] 3d , MLP (260b) (263b) 
제 하고는 동 하다 라 동 한 에 한 복 생략3c MLP . 
하 하고 다 에 해 만 하 한다 수. (260b) (263b)
향 수 한 조 루어 다 경 형 하는 드. 3c (260a)
형 형 한 결과 비스듬하게 경 갖는 조가 만들어 에 본 실시 경 블, 
드 같 절단수단 절단하는 형 형(blade) (260b) (263b)
하는 결과 수 한 향 수 한 조가 만들어 다 경 에는 드 단. (240b)
가 돌출 않는다(260b) .
에 시 같 드프 드 제 [0089] 6a 6b , (210) 2 (212)
출 는 과 또는 는 (260a, 260b, 260c 260c')
수 다 또는 는 에 그루브. (260a, 260b, 260c 260c')
도 도 의 몰 드 리드리스 패키지의 단면구조 다른 를 나타내 보인 단면도[ 3d] 2
- 71 -
가 수 다 그루브 는 비 단 조 는 않(groove)(213) . (213) , 
만 드프 드 주 라 게 다 그루브 는 에 나타낸 , (210) . (213) , 6a
같 원형 수 고 또는 에 나타낸 같 형 수 다 적, , 6b , V . 
드프 드 에 공정에 해 만드는 경 에는 원형 형 갖게 고(210) , 
드프 드 스탬핑공정에 해 만드는 경 에는 형 형 갖게 다 (210) V . 
그루브 는 습 가 내 해 과하여야 하는 흡습경 연(213)
시키는 역할 수행한다 에 그루브 는 드프 드 . (213) , (210)
또는 에 앵커 역할 수행하여 드프 드(260a, 260b, 260c 260c') (anchor)
또는 가 보다 견고하게 착 한다(210) (260a, 260b, 260c 260c') . 
참조하 본 실시 에 들에 어 [0103] 8e 8f , MLP , (660c)
하 조 제 한 나 들 각각 동 하다 라 8a 8c MLP . 
동 한 에 한 복 생략하 하고 다 에 해 만 하 한
다 본 실시 들에 는 제 하 제. MLP (660c) 1 (661c) 2 
갖는 하 제 드 하 드프(662c) , 2 (662c) (640a) (641a) 
드 출 돌출 는 돌출 에 해 드 하(610) (664c) (640a)
드프 드 출 과 동 한 에 않는다 돌출(641a) (610) . 
는 미 시 과 착 한 조 트 미 시 신 향 시킨다(664c) ( ) ( ) .
도 도 의 몰 드 리드리스 패키지의 단면구조 다른 를 나타내 보인 단면도[ 8e] 7
도 본 발명에 른 몰 드 리드리스 패키지에 사용 는 리드프 임 패드의 일 [ 6a, 6b] 
들 나타내 보인 단면도
- 72 -
참조하 본 실시 에 들에 어 드 조 제 [0105] 8g , MLP , (640c)
한 나 들 동 하다 라 동 한 에 한 복8e 8f MLP . 
생략하 하고 다 에 해 만 하 한다 본 실시 들에 . 
드 는 하 가 한 형 가 특히 드프 드 과 MLP (640c) , (610)
동 한 에 다.
저 에 시 같 본 에 는 보드 에 착 는 [0109] 9c , MLP (710)
착 에 해 루어 다 보드 에 드 , (720, 730) . (710) (640c)
출 에 해 착 다 또한 보드 에 드프 드(720) . (710)
출 에 해 착 다 경 돌출 하(610) (730) . (660c) (664c) 
과 드프 드 제 단차 가 에 라 충 한 (662c) (610) 2 (612) , 
공간 형 므 많 양 가 공 라 에 해 드(730) (730) (640c)
착시키는 에 향 주 않는다 다 에 에 시 같 보드(720) . 9d , 
드 만 하여 착시키고 보드 드프 드(710) (640c) (720) , (710) (610)
도 도 의 몰 드 리드리스 패키지의 단면구조 다른 를 나타내 보인 단면[ 8f, 8g] 7
도들
- 73 -
는 착시키 않 수 다 경 에는 보드 과 드프 드. (710) (610)
제 출 에는 정 피 공간 형 다 는 보드2 (612) (740) . (710)
에 회 는 경 경 에 공간 에 (711) , (740)
시키는 경 전 적 숏 원하 않게 생할 수 문 다(short) .
내 에는 본 또 다 실시 에 형 드 드 [0171] 22 22d
스 키 나타내 보 단 가 각각 시 어 다 여 는 미. , 22a 22b
합 등 특허 제 호에 개시 것과 같 다 드 드 6,143,981 , (1530a) (1540a)
가 에 하프 식각 형 않 경 에 - (half-etch) , 22c 
는 미합 등 특허 제 호에 개시 것과 같 다 드 드22d 6,437,429 , (1530b)
가 가 하프 식각 경 다 내 에 참조 (1540b) - (half-etched) . 22a 22d
호 체 접착제 각각 나타낸다 본 드 프1510 1560 . , 
가 에 하프 식각 형 어 는 여 에 없 적(1530, 1540) -
가능하 것 전술한 실시 들 경 에 동 하게 적 다, .
내 참조하 본 실시 에 형 내 [0172] 22a 22d , MLP(1500a 
는 단락 내 형 제 한 나 들 전술한 1500d) (1525a 1525d)
실시 에 형 동 하다 라 동 한 에 한 복 MLP(1200) . , 
생략하 하고 다 에 해 만 하 한다, .
본 실시 에 형 내 경 에 전술한 실시 [0173] MLP(1500a 1500d)
찬가 단락 내 가 다 드 하 에 형(1525a 1525d) (1530)
어 다 본 실시 에 형 내 는 전술한 실시 . , MLP(1500a 1500d) , 
같 다 드 하 정 스가 형 어 채 형 어 (1530)
도 도 의 몰 드 리드리스 패키지의 용 들 명하 하여 나타내 보[ 9c, 9d] 8a
인 단면도들
- 74 -
고 그 고 그 채 에 다 드 하 과 같 조물 채 필러, (1530)
같 것 매 어 는 조는 아니다 그러나 본 실시 에 단락 (1228) . , 
내 는 전술한 실시 찬가 키 형 물 과 (1525a 1525d) (1520) 
동 한 물 형 한다 냐하 본 실시 에 단락 내 . , (1525a 
는 전술한 실시 찬가 공정에 키 동시에 형 할 1525d) (1520)
수 문 다.
그 고 본 실시 에 는 단락 내 양에는 특 [0174] , (1525a 1525d)
한 제한 없다 단락 내 는 다 드 하 . , (1525a 1525d) (1530)
전 수 고 참조 또는 다 드 하 ( 22a 22c ), (1530)
수 다 참조 그러나 본 실시 에 하 다 ( 22b 22d ). , , 
드 또는 에 등 채 형 않 문에 단락 (1530a 1530b) , 
내 가 적어 다 드 또는 드(1525a 1525d) (1530a 1530b) (1540a, 1540b) 
공간 갭 채 는 키 과 연결 어 다(gap) (1520) .
참조하 본 블 컨 스 하나 실시 [0185] 28 , (double convex) MLP
가 보여 다 는 적 다 드 갖는 드 프 내 . MLP(2000) (2004) (2002), 
드들 드들 포함한다 물 형 는 체 는 (2006) (2008) . MLP (2010)
드 프 다 드 내 드들 드들 각 (2002), (2004), (2006) (2008)
러싼다.
보다 체적 내 참조하 단 들 [0186] , 29a 29c , MLP(2000)
각 라 라 보여 다 집적회 다 또는 다 드A-A, B-B, C-C . (2020)
도 본 발명의 실시 에 른 몰 드 리드리스 패키지의일 를 나타내 보인 [ 22d] 4 
단면도
- 75 -
제 또는 에 들어 같 접착제 에 해 열적 전(2004) 1 (2021)
적 전 식 착 다 다 는 다 드 에 착 제 하고는 . (2020) (2004)
체 내에 러싸 다 본드 어 가 내 드들 각 (2010) . (2050) (2006, 2008)
다 에 전 적 연결시킨다(2020) .
체 닥 또는 하 볼 한 블 컨 스 [0187] (2010) (2222)
형태 갖는다 특히 하 트 한 플 또는 (double convex) . , (2222)
스 들 포함한다 한 트 플 스 들 내 드들 에 (2230, 2240) . / (2230) (2006)
당하 다 트 플 스 들 드들 에 당한다 각 트 , / (2240) (2008) . 
플 스 들 키 체 하 또는 닥 / (2230, 2240) (2010) (2222)
정한 거 또는 함 다 각 드들 닥 는 각 당하. (2006, 2008)
는 플 스들 내에 환경에 출 다 환언하 플 스들/ (2230, 2240) . , /
내에 드들 닥 들 체 형 하는 (2230, 2240) (2006, 2008) (2010)
물 에 해 히 않고 출 다.
플들 스들 드들 가 착 회 [0188] / (2230, 2240) (2006, 2008) MLP(2000)
보드 시 않 또는 그 정한 거 만큼 어 수 해 다( ) / . 
라 에 보여 는 같 플들 스들 37 , / (2230, 2240) MLP(2000)
드들 회 보드에 전 적 연결하는 조 트들 원하는 (2006, 2008)
또는 최 한 갖는 것 보 해 들 조 트들 접착 계
적 강 신 시 다, MLP(2000) .
내 는 경 에 갖는 형 [0189] 29a 29c MLP(2000) / (2244)
키 다 드들 체 (punched-type) . (2008) (2010) (2244)
도 도 의 의 단면도[ 29a] 28 MLP
- 76 -
정한 거 만큼 연 다.
닥 다 드 하 참조 호 없 다 [0190] MLP(2000) (2004) ( ), 
가 착 출시키는 앙 스 포함한다(2020) (2250) . 
앙 스 는 다 드 하 키 체 하 또는 닥 (2250) (2004) (2010)
정한 거 만큼 격 고 그 하여 가 착 는 회 보드 , MLP(2000) (
그 정한 거 만큼 격 는 것 보 해 다 라 다 드37 3000) . 
가 회 보드 회 또는 전체 접촉할 또는 전(2004) (3000) (3002) /
적 단락할 가능 현저히 감 다.
내 에 보여 드 과 다 또는 형 [0191] 30 29a 29c /
드들 갖는 보여 다 보다 체적 는 MLP(2000) . MLP(2000)
드들 플랫들 갖 라 키 체 는 (2256) (2258) , (2010)
들 포함하게 다(2260) .
도 도 의 의 단면도[ 29c] 28 MLP
도 도 의 의 실시 의 단면도[ 30] 29 MLP 2 
- 77 -
내 는 본 블 컨 스 또다 실시 보여 [0193] 33a 33c MLP
다 블 컨 스 는 적 다 드 내 드들 . MLP(2500) (2504), (2506) 
드들 갖는 드 프 포함한다 물 체 드 프(2508) . MLP (2510)
다 드 내 드들 각 러싼다 집적회 , (2504), (2506, 2508) . 
다 또는 다 드 제 또는 에 들어 접착 프 (2520) (2504) 1 , 
같 열적 전적 식 착 다 접착 프 는 다 드 내 - . (2522) (2504)
드들 연 다 다 는 다 드 에 착 는 (2506) . (2520) (2504)
제 하고 체 내에 러싸 다 본드 어 가 내 드들(2510) . (2550) (2506, 
각 다 에 전 적 연결시킨다 다 드 에 착 는 다 또2508) (2520) . (2504)
는 접착 프 에 비하여 게 시하 만 에 보여 는 (2520) (2522) , 33d
같 다 또는 접착 프 에 하는 크 가 수 다(2520) (2522) .
체 닥 또는 하 하여 전술한 [0194] (2510) (2552) MLP(2000)
같 볼 한 블 컨 스 형태 갖는다는 점에 (double convex) MLP(2000)
하다 특히 하 트 한 플 또는 스 들. , (2552) (2530, 2540)
포함한다 한 트 플 스 들 내 드들 에 당하 다 트. / (2530) (2006) , 
플 스 들 드들 에 당한다 각 트 플 스/ (2540) (2008) . / (2530, 
들 키 체 하 또는 닥 정한 거 또는 2540) (2510) (2552)
함 다 각 드들 닥 는 각 당하는 플 스들. (2506, 2508) /
내에 환경에 출 다 환언하 플 스들 내에 (2530, 2540) . , / (2530, 2540) 
드들 닥 들 체 형 하는 물 에 해 히 않(2506, 2508) (2510)
고 출 다.
플들 스들 드들 가 착 회 [0195] / (2530, 2240) (2506, 2508) MLP(2500)
- 78 -
보드 또는 그 정한 거 만큼 어 수 해 다( 37 3000) / . 
라 플들 스들 드들 회 보드, / (2530, 2540) MLP(2500) (2506, 2508)
에 전 적 연결하는 조 트 들 원하는 또는 최(3000) ( 37 3004)
한 갖는 것 보 해 들 조 트들 접착 계적 (3004)
강 신 시 다, MLP(2000) .
닥 다 드 하 참조 호 없 다 [0197] MLP(2500) (2504) ( ), 
가 착 출시키는 앙 스 포함한다(2520) (2560) . 
앙 스 는 다 드 하 키 체 하 또는 닥 (2560) (2504) (2510)
정한 거 만큼 격 고 그 하여 가 착 는 회 보(2552) , MLP(2500)
드 시 않 그 정한 거 만큼 격 는 것 보 해 다 라 다 ( ) . 
드 가 회 보드 회 또는 전체 접촉할 또는 전 적 단(2504) /
락할 가능 현저히 감 다.
효과 
본 에 블 컨 스 각 실시 들 주어 키 크 에 하 [0201] MLP
여 블 컨 스 조 갖 않는 종래 키 에 비하여 핀 또는 드 수가 가MLP 
다는 것 알 수 다 들어 키 크 또는 스퀘어 수 갖는 블 . , 7㎜ 
컨 스 조 갖 않는 종래 는 드 피 에 핀 드 가 는 것MLP 0.5 48 /㎜
에 비하여 본 블 컨 스 는 드 피 에 핀 최 핀 드 , MLP 0.5 80 /㎜
수 가 피 에 핀 갖는다, 0.65 68 .㎜ 
도 발명의 더 컨벡스 의 다른 실시 의 단면도들[ 33a] MLP
- 79 -
별지 [ 3]
행 명 6
명 명칭 스탬 가공 이용 여 는 상 가지는 도체 소자 : 
키지
술 야 
출원 호 조 본 특허출원 든 점에 참조 어 그 내 전체 [0001] ( ) , 
본 에 집어 수 는 출원 미 특허가출원 제 호 주, , 61/042,602
한다. 
경 술 
그 는 다 드 다 역 전 전 접착 료 [0006] 1D , 104 104b 
형 나타내고 다 전 전 접착 료는 해 태 착 무 110 . , ( ) 溶着
포함하고 어 없다 또 신 전 전 접착 료는 제 등 결합제 . , , 
에 납 형 태에 착 납 스트 고 어 ( ) , 溶着
좋다.
여 한 종래 제조 흐 체 키 형 하 해 [0011] , 
충 하 만 가 결점 들 수 다 체적 는 그 가 킨 적 에 , . , 1C
공정 실현하는 것 곤란해 그 문에 체 제조비 시키는 , , 
고 다 또 적 에 공정 고정 스크 형태화 가공 계 는 출 . , , , 
적 에 가공 그 후 스크 제거 포함하는 다수 공정 포함하고 다 게다가, . , 
적 에 가공 충 한 정 현 갖아 종 하는 것 곤란할 경, 
가 다.
도 패키지를 작하 한 종래 조법의 단면도[ 1D] 
- 80 -
해결하 고 하는 과제 
라 적 에 공정 필 하 않는 체 키 형 하 [0012] , 
한 제조 당 술 야에 청 고 다, .
실시하 한 형태 
다 드 에 접하는 핀 들어 수 었 끝에 [0031] 204 208 208a
피전 료가 존 하는 하 술 피전 역 는 다. , 
전 전 본드 어나 본드 본 본드 클 는 것 정, 
고 다.
그 키 싱귤 가공 핀 출 다 [0037] 2K , 208 208d
드 출 갖는 키 브라 드가 볏겨내 태204 204d 220
채 해 고 하 프 티드 킷 여 는 하 않는다 에 납 하 , (PC) ( )
한 비 한다.
째 공정 에 는 드 프 가 적절한 택적 전 [0042] 4 (308) , 
어 좋다 그러한 피전 역 실시 는 다 끝 다 에 접 어 . , 
는 어나 본 클 등 결합 조체 끝 는 것 정 는 다 착 나 , 
핀 한 포함한다. 
째 공정 에 는 하나 또는 복수 결합 조체가 다 적절한 핀 [0047] 8 (316) , , 
에 착 다 전 어 어 좋다 전술한 것과 같 결합 . . , 
조체는 전 클 어 혹 본 여 좋다, , .
도 패키지를 하 한 본 발명에 의한 조법의 실시 태의 단면도[ 2J] 
- 81 -
게다가 실시 형태 가 는 본드 어 신 클 포함한다 [0056] , , . 
러한 본드 클 다 접촉점과 주 핀과 에 전 적 결합 저항 감, 
하는 것 가능하게 한다 그 고 는 앞 큰 다 에 필적하는 포 스 갖는 종. , 
래보다 다 가능하게 한다.
도 그림 의 패키지의 다이 결합 구조체를 가리키는 평면도[ 4B] 4A
- 82 -
별지 [ 4]
행 명 10
명 명칭 도체 키지: 
술 야 
본 체 키 에 한 것 다 한 것 정한 [0001] (wound package) . 
해졌 경 에 단 체가 가동하는 것에 해 접 신 향 하
고 한 체 키 는 것 다(wound package) .
해결하 고 하는 과제 
그 만 종래 체 키 에 는 체 키 [0007] , (wound package) (wound 
료 실 료 창 계수 차package) (mounted substrate)
에 해 접합 료에 해져 드 단 접합 료 접합 에 , (lead terminal)
크랙 생겨 체 키 실 과 (crack) (wound package) (mounted substrate)
접 확보할 수 없는 것 다 드프 형 해 에폭시 수. , (lead frame)
한 체 키 에폭시(epoxide resin) (wound package) (epoxy 
도 합부의 균열 발생 명하 한 모식도[ 8] (crack) 
- 83 -
에 실 한 경 들고 생각하 창 계수가 약 function) 17×10 6－ , 
에폭시 수 창 계수가 약 (epoxide resin) 7×10 6－ 에폭시, (epoxy 
창 계수가 약 function) 60×10 6－ 므 들 에 나타내는 8(a)
것처럼 체 키 실 실시했다고 해 들 시(wound package) -25℃
점에 는 창 계수가 가 큰 에폭시 수축량 크 해(epoxy function)
문에 에 나타내는 것처럼 에폭시 볼 한 양에 ( ) 8(b) , (epoxy function)
젖혀져 다 그 고 같 실 형에 드 단. (mounted substrate) (lead 
가 추종할 수 없 해 문에 체 키 실 terminal) ( ), (wound package)
접합 에 집 해 드 단 접합 료 (mounted substrate) (lead terminal)
접합 에 크랙 생겨 체 키 실 (crack) , (wound package) (mounted 
과 접 확보할 수 없는 것 다substrate) . 
여 근 체 키 형화에 수 해 체 키 [0008] (wound package)
실 접합 적 축 화하는 경향(wound package) (mounted substrate)
에 해 체 키 실 접합(wound package) (mounted substrate)
접 신 확보가 한 문제가 어 고 다. 
본 점 거 아 창안 것 체 키 [0009] , (wound 
접 접 신 향 할 수 는 체 키package)
제공하는 것 적 하는 것 다(wound package) . 
과제 해결하 한 수단 
적 달 하 해 본 과 는 체 키 [0010] (wound 
는 체 그 체 package) (semiconductor device) , (semiconductor 
본 어 에 해 접 는 본 어 접device) (bonding wire) (bonding wire) 
과 접 는 접 루어 는 단 체 , 
단 하는 수 갖추는 체 키(semiconductor device) 
에 접 정해 해졌 경 에 (wound package)
수 적어 가 해 가동하는 것처럼 한다. 
여 접 정해 해졌 경 에 수 [0011] 
해 가동하는 것처럼 하는 것에 해 접 가 형에 추종 
할 수 접 집 저감할 수 다. 
여 본 어 접 본 어 접 [0012] (bonding wire) (bonding wire)
- 84 -
한 과 주 보는 적어 가 수 에 라 여 는 람 하다. 
것에 해 본 어 접 에 는 저감할 수 본(bonding wire) 
어 접 억제할 수 문 다(bonding wire) . 
효과 
한 본 체 키 에 는 체 키 [0013] (wound package) (wound 
료 료 창 계수 차 에 한 열 창 혹 package)
열수축에 해 체 키 접합 에 집 하는 (wound package)
것 화해 접합 피 억제할 수 해 체 키(fatigue breakdown)
접합 신 비약적 향 한다(wound package) .
실시하 한 최 형태 
하 본 실시 형태에 해 참조하 해 본 해 [0014] , 
에 제공한다 본 적 한 체 키 한 하. 1 (wound package)
한 식 식적 단 식적 저 여 가[ 1(a) 1(b) ] , 
도 본 발명 용한 반도체 패키지의 한 를 명하 한 모식도[ 1] 
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키는 체 키 는 한 종래 체 키(wound package)(1) (wound package)
비슷하게 체 가 전 접착제 등에 라 다 , (semiconductor device)(2)
드 에 접착 고 다 또 체 전극 시하 (3) . , (semiconductor device) (
않 가 본 어 드 단 에 접 고 ) (bonding wire)(4) (lead terminal)(5)
체 계 보호하 해 에폭시 수(semiconductor device)
에 체 하고 다 여 (epoxide resin)(6) (semiconductor device) . 
체 키 는 호 에 가 키는 가 호 (wound package) 1 a 5.4 , 1 ㎜
에 가 키는 가 호 에 가 키는 가 가 는 것처럼 b 5.4 , 1 c 0.8㎜ ㎜
어 다. 
또 드 단 는 본 어 접 [0015] , (lead terminal) 5 (bonding wire) 12
접 어 체 전극 시하 13 (semiconductor device) (
않 본 어 접 가 본 어 접 어 ) (bonding wire) 12 (bonding wire) 4
접 본 어 접 보다 께가 얇게 형 고 13 (bonding wire) 12
다 체적 는 호 에 가 키는 본 어 접 . 1 d (bonding wire) 
가 호 에 가 키는 접 가 0.35 , 1 e 0.25 , 1 ㎜ ㎜
호 에 가 키는 본 어 접 께가 호 f (bonding wire) 0.15 , 1 g㎜
에 가 키는 접 께가 가 는 것처럼 어 다0.05 . ㎜
여 본 어 접 실 [0016] (bonding wire) (mounted substrate)
본 어 접 한 과 주 보는 가 호 에, (bonding wire) , A
가 키는 역 역 에폭시 수 가 고 체 키(epoxide resin)
아래 에 는 접 본 어(wound package) (bonding wire) 
접 호 에 가 키는 역 출하고 다 또 아래 앙 에 다 드 A . , 
출하고 다. 
여 본 적 한 체 키 실 [0017] (wound package)
들 에폭시 접 체 (mounted substrate)( (epoxy function) ) 10
키 아래 출한 접 본 어(wound package)
접 호 에 가 키는 역과 실 (bonding wire) A (mounted substrate)
형 납 등 접합 료 해 접 하는 것 가(pattern) 14 11
고 다. 
하 접 접 께 [0018] , 0.25 , 0.05㎜ ㎜
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한 해 한다 여 에 나타내는 체 키2 . 2 (wound 
는 에 나타내는 체 키 비슷하게 호 package) 1 (wound package) , 2 
에 가 키는 가 호 에 가 키는 가 호 a 5.4 , 2 b 5.4 , 2 ㎜ ㎜
에 가 키는 가 가 는 것처럼 어 다 또 호 에 가c 0.8 . , 2 h㎜
키는 본 어 접 께가 호 에 가 키는 (bonding wire) 0.2 , 2 i㎜
드 단 가 가 는 것처럼 어 다(lead terminal) 0.6 .㎜
여 드프 하는 창 계수가 약 [0019] (lead frame) 17×10 6－
에폭시 수 창 계수가 약 , (epoxide resin) 7×10 6－ 에폭시, (epoxy 
루어 는 실 창 계수가 약 function) (mounted substrate) 60×10 6－
다고 하 시점에 가 집 하는 호 에 가 키는 개25 2 B－ ℃
량 다50 m . μ
그런 접 가 실 형에 추종하는 [0020] , (mounted substrate)
것에 해 접합 에 집 하는 것 화한다는 본 원 능시키 
도 외부 판 속부의 이 및 께의 규 이 를 명하 한 모식도[ 2] 
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해 는 호 에 가 키는 개 하에 한 실 2 B (mounted 
젖혀져에 접 가 추종할 필 가 다 여 접substrate) . 
접 께 하 호 에 가 키는 L, T L T 2 B
개 하에 한 접 량 에 나타내는 계 가 문3
에 시점에 가 집 하는 호 에 가 키는 개 가 25 2 B 25－ ℃ － ℃
시점에 에폭시 수 해 실 휘어(epoxide resin) (mounted substrate)
태에 추종하 해 는 접 량 아니 안 어50 m , μ
량 얻 해 는 접 는 50 m 3 0.25μ ㎜
접 께는 하 할 필 가 다 라 접 , 0.05 . ㎜
접 께 했다0.25 , 0.05 . ㎜ ㎜
여 한 접 께는 한 수 체 키 [0021] 
에 드프 하는 창 계수가 (wound package) (lead frame)
약 17×10 6－ 에폭시 수 창 계수가 약 , (epoxide resin) 7×10 6－ 에폭, 
시 루어 는 실 창 계수가 (epoxy function) (mounted substrate)
약 60×10 6－ 다고 해 접합 신 가하는 시점 채 해 -25℃
에 에폭시 량에 접 가 추종 한다는 것-25 (epoxy function)℃
전제 해 정한 수 체 키 수가 다 거나 체 , (wound package)
키 나 실 하는 료가 다 거나 접(wound package) (mounted substrate)
합 신 가하는 역 다 거나 하는 경 에는 접 
께가 달라 는 것 물 다. 
여 한 실시 에 는 접 께 얇게 해 [0022] 0.05㎜
접 적 게 해 접 에폭시 수 (epoxide resin)
접착 저하시키는 것 접 에 정해 해졌 경 에 
접 가 에폭시 수 할 수 는 것처럼 어 만(epoxide resin) , 
접 에 정해 해졌 경 에 접 가 에폭시 수
할 수 다 드시 접 께 얇 할 필(epoxide resin)
는 없고 들 접 에 처 실시해 에폭시 , (treating the surface)
수 접착 저감시키는 등 에 라 접 에 정해(epoxide resin)
해졌 경 에 접 가 에폭시 수 하(epoxide resin)
는 것처럼 해 좋다. 
또 한 실시 에 는 접 에 정해 해 전에 는 [0023] , 
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접 에폭시 수 는 접합 고 정해 해졌(epoxide resin)
경 에 접 에폭시 수 접합 해 에 라 (epoxide resin)
어 접 가 에폭시 수 해 가동하는 경 (epoxide resin)
들고 실시했 만 접 는 실 형, (mounted substrate)
에 추종 할 수 충 해 드시 정해 해 전에 접 
에폭시 수 가 접합 고 필 는 없다 접 에 정해 (epoxide resin) . , 
해 전에 접 에폭시 수 가 접합 않고(epoxide resin) , 
접 에 정해 해 전 접 가 에폭시 수
해 가동하는 것처럼 어 없다(epoxide resin) . 
또한 한 실시 에 는 본 어 접 실 [0024] , (bonding wire) 
가 호 에 가 키는 역 역 에폭시 수(mounted substrate) , A
가 고 었 만 접 에 정해 해졌 경 에 (epoxide resin) , 
접 가 에폭시 수 할 수 는 것처럼 어 (epoxide resin)
충 해 드시 본 어 접 실 (bonding wire) (mounted substrate)
가 호 에 가 키는 역 역 에폭시 수 가 , A (epoxide resin)
필 는 없고 본 어 접 실 , (bonding wire) (mounted substrate)
전 체 키 아래 출하고 없다(wound package) . 
단 본 어 접 가 적어 에폭시 수 가, (bonding wire) (epoxide resin)
는 것에 해 실 형에 하는 본 어(mounted substrate)
접 에 어 워져 본 어 접 (bonding wire) , (bonding wire) 
억제할 수 보다 한 체 키 실 (wound package) (mounted 
과 접합 신 향 할 수 다고 생각 해 본 어substrate)
접 실 적어 는 에폭시 수(bonding wire) (mounted substrate)
가 는 람 하다(epoxide resin) . 
한 본 적 한 체 키 는 에 나타 [0025] (wound package) 4(a)
내는 것처럼 체 키 실 실시한 후에 들 시(wound package) -25℃
점에 에폭시 볼 한 양에 젖혀졌다고 해 에 나(epoxy function) 4(b)
타내는 것처럼 에폭시 형에 추종 해 접 가 에, (epoxy function)
폭시 수 하 해 에폭시 (epoxide resin) , (epoxy function)
휘어 태에 한 드 단 가 적 해 에폭시(lead terminal)
휘어 태에 추종 하는 것 접합 에 는 (epoxy function) , 
- 89 -
할 수 체 키 실 과 접합(wound package) (mounted substrate)
에 크랙 생 어 고 체 키 실 (crack) , (wound package) (mounted 
과 접 충 히 확보할 수 다substrate) . 
도 본 발명 용한 반도체 패키지의 실장 상태를 명하 한 모식도[ 4]