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  • [지재 판결문] 특허법원 2021허6597 - 등록무효(특)
    법률사례 - 지재 2023. 11. 14. 00:52
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    [지재] 특허법원 2021허6597 - 등록무효(특).pdf
    1.45MB
    [지재] 특허법원 2021허6597 - 등록무효(특).docx
    0.04MB

    - 1 -
    특 허 법 원
    제 부

    사 건 허 등 효 특2021 6597 ( )
    원 고 주식회사A 
    이사 B
    소송 리인 특허법인 다울
    담당변리사 이병
    피 고 주식회사1. C 

    이사 일본국인 D, E
    2. F
    일본국 
    자 G
    피고들 소송 리인 변 사 한상욱 강경태 종 장 진 장재, , , , 
    변리사 이만 이 욱 승식 사라, , , 
    변 종 결 2023. 4. 6.
    결 고 2023. 6. 8.
    - 2 -
    주 문
    1. 원고 청구를 각한다.
    소송 용 원고가 부담한다2. .
    청 구 취 지
    특허심 원이 당 당 병합 사건에 하여 한 심결2021. 10. 26. 2021 758 , 2021 1068 ( ) 
    이하 이 사건 심결이라 한다 특허 청구항 항 항 항에 ( ‘ ’ ) 10-1115288 1 , 2 , 4
    항 부분 취소한다16 .
    이 유
    사실1. 
    가 이 사건 특허 명 . 
    명 명칭 몰 드 리드리스 키지 이를 이용한 키지 1) : LED 
    출원일 등 일 등 번 2) / / : 2010. 3. 5./ 2012. 2. 6./ 10-1115288
    특허권자 원고 3) : 
    자 청구에 한 청구범 추가한 부분 삭 4) 2021. 5. 13. ( , 
    한 부분 취소 시하 다)1)
    청구항 상 는 상부 면 하부 면 갖는 다이 드 이하 1 ( ’【 】 
    구 요소 이라 한다 상 다이 드 상부 면 상에 실장 도체 칩 이하 구1‘ ); ( ’
    요소 라 한다 상 다이 드 주변 역에 상 다이 드 일 간격 이격 도2‘ ); 
    1) 원 피고들 법 여부에 하여는 다 이 없다.․
    - 3 -
    다 리드 이하 구 요소 이라 한다 상 도체 칩과 상 다 리( ’ 3‘ ); 
    드 각각 연결하는 연결 단도 클립 이하 구 요소 라 한다 ( ’ 4‘ ); 
    어도 상 리드 면 일부 상 다이 드 일부를 노출하며 상 다이 
    드 상 도체 칩 상 리드 상 , , 연결 단도 클립 덮는 키지 를 
    포함하며 이하 구 요소 라 한다 상 다이 드 께가 상 리드 키지 ( ’ 5‘ ), 
    외부 노출 는 외부 리드보다 꺼운 것 이하 구 요소 이라 한다 특징( ’ 6‘ )
    하는 몰 드 리드리스 키지 이하 이 사건 항 명이라 한다( ’ 1 ‘ ).
    청구항 항에 있어 상 다이 드 께는 인 것 2 1 , 0.25 0.6【 】 ~ ㎜
    특징 하는 몰 드 리드리스 키지 이하 이 사건 항 명이라 한다( ’ 2 ‘ ).
    청구항 항에 있어 상 리드 키지 외부 노출 지 3 1 , 【 】 
    않는 내부 리드 역 상 다이 드 같 께를 갖는 것 특징 하는 몰
    드 리드리스 키지 이하 이 사건 항 명이라 한다( ’ 3 ‘ ).
    청구항 항에 있어 상 다이 드 상부 면이 일 이 리4 1 , 【 】 
    스 고 상 도체 칩 다이 드 리 스 역에 실장 것 특징 하는 , 
    몰 드 리드리스 키지 이하 이 사건 항 명이라 한다( ’ 4 ‘ ).
    청구항 항에 있어 상 다이 드 하부 면 는 상 리드 5 1 , 【 】 
    면에는 키지 착 좋게 하 하여 어도 하나 플, (dimple) 
    는 그루 가 것 특징 하는 몰 드 리드리스 키지 이하 이 사(groove) ( ’
    건 항 명이라 한다5 ‘ ).
    청구항 항에 있어 상 다이 드 하부 면과 상 리드 6 1 , 【 】 
    면 동일한 평면 하며 상 키지 면 상 평면 부 일 , 
    - 4 -
    께 돌출 것 특징 하는 몰 드 리드리스 키지 이하 이 사건 항 명( ’ 6
    이라 한다‘ ).
    청구항 항에 있어 상 키지 면 경사를 이루거나 상7 1 , , 【 】 
    키지 면에 해 직한 것 특징 하는 몰 드 리드리스 키지 이(
    하 이 사건 항 명이라 한다’ 7 ‘ ).
    청구항 항에 있어 상 리드는 다이 드 양 에 게 8 1 , 【 】 
    것 특징 하는 몰 드 리드리스 키지 이하 이 사건 항 명이라 ( ’ 8 ‘
    한다).
    청구항 항에 있어 상 다이 드 일 에 리드는 상 9 8 , 【 】 
    다이 드 일 간격 이격 도 고 상 다이 드 다른 일 리드는 , 
    상 다이 드 연결 것 특징 하는 몰 드 리드리스 키지 이하 이 사건 ( ’
    항 명이라 한다9 ‘ ).
    청구항 항에 있어 상 리드는 다이 드 일 에만 일 간격 10 1 , 【 】 
    이격 게 고 리드가 지 않 다이 드 일 상 다이 드가 신, 
    장 어 그 일부가 키지 외부 노출 것 특징 하는 몰 드 리드리스 키지
    이하 이 사건 항 명이라 한다( ’ 10 ‘ ).
    청구항 항에 있어 상 다이 드 상부 면 는 하부 면 11 1 , 【 】 
    어도 어느 하나에 상 도체 칩 는 키지 착 좋게 하 , 
    하여 어도 하나 이상 이 것 특징 하는 몰 드 리드리스 키지 이(
    하 이 사건 항 명이라 한다’ 11 ‘ ).
    청구항 12【 】 항에 있어 상 연결 단 도 이어 도는 도 1 , 
    - 5 -
    클립 포함하는 것 특징 하는 몰 드 리드리스 키지.
    청구항 상 는 상부 면 하부 면 갖는 다이 드 상 13 ; 【 】 
    다이 드 상부 면 상에 부착 는 도체 칩 상 도체 칩 상부 는 하부 ; 
    면 어도 어느 하나에 솔 질 상 다이 드 주변 역에 상 ; 
    다이 드 일 간격 이격 도 다 리드 상 도체 칩과 상 다; 
    리드 각각 연결하는 도 클립 어도 상 리드 면 일; 
    부 상 다이 드 일부를 노출하며 상 다이 드 상 도체 칩 상 리드 , , 
    상 연결 단도 클립 덮는 키지 를 포함하는고, 상 다이 드 
    께가 상 리드 키지 외부 노출 는 외부 리드보다 꺼운 것 특징 
    하는 몰 드 리드리스 키지 이하 이 사건 항 명이라 한다( ’ 13 ‘ ).
    청구항 항에 있어 상 솔 질 주 구리14 13 , / / (Sn/Ag/Cu) 【 】 
    합 주 주 납 합 주 합 니 에 택 , (Sn), / (Sn/Pb) , / (Sn/Ag) (Ni) 
    어느 하나 이루어진 것 특징 하는 몰 드 리드리스 키지 이하 이 사건 ( ’ 1
    항 명이라 한다4 ‘ ).
    청구항 항에 있어 상 솔 질 웨이퍼 면 상에 스퍼15 13 , 【 】 
    링 는 도 식 인 것 특징 하는 몰 드 리드리스 키지
    이하 이 사건 항 명이라 한다( ’ 15 ‘ ).
    청구항 항에 있어 상 리드 면에는 일 이 이 16 13 , 【 】 
    고 상 도 클립 일단 상 내에 부착 것 특징 하는 몰 드 리, 
    드리스 키지 이하 이 사건 항 명이라 한다( ’ 16 ‘ ).
    청구항 상 는 상부 면 하부 면 갖는 다이 드 상17 , 【 】 
    - 6 -
    다이 드 부 일 간격 이격 도 다 리드 상 다이 드 상; 
    부 면에 실장 소자 상 소자 상 다 리드 각각 LED ; LED 
    연결하는 연결 단 상 다이 드 상부 면 리드 상부 면 부 상 ; 
    소자를 포함하는 역에 일 께 캐 티 상 캐 티 내에 충진 어 LED ; 
    상 소자를 고 시키는 몰 재 일면이 상 몰 재 상부에 부착 며 하면이 LED ; 
    볼 한 태 즈 어도 상 리드 면 일부 상 다이 드 일부를 ; 
    노출하며 상 다이 드 상 캐 티에 충진 몰 재를 덮는 키지 를 포함
    하고 상 다이 드 께가 상 리드 키지 외부 노출 는 외부 리, 
    드보다 꺼운 것 특징 하는 키지LED .
    청구항 항에 있어 상 몰 재는 질 포함하는 것 특18 17 , 【 】 
    징 하는 키지LED .
    청구항 항에 있어 상 연결 단 도 이어 는 19 17 , (wire) 【 】 
    도 클립 포함하는 것 특징 하는 키지LED .
    명 주요 내용 도면 5) 
    술 야 
    본 체 키 에 것 보다 체적 는 드 드 스 [0001] , 
    키 그 다 드 키 에 것(Molded Leadless Package) (LED) 
    다.
    경 술 
    적 체 키 는 체 또는 다 드 [0002] (die), (lead 
    키 포 여 다 체 드 frame) (package body) . 
    다 드 에 착 드 드 는 어 에 여 (die pad) , (wire)
    전 적 연결 다 드는 어가 연결 는 내 드 체 키 . (inner lead)
    - 7 -
    접 단 역 는 드 다 내 드는 적(outer lead) . 
    키 에 여 전히 는 여 드는 그 전체 키 , 
    출 거나 드 가 출 다 같 드 . 
    가 키 출 는 체 키 드 드 스 키
    라 라고 다(Molded Leadless Package, 'MLP' ) .
    그 고 체 키 는 그 제조 공정에 라 타 키 [0003] , (sawing) 
    타 키 다 타 키 는 체 탑 드 (punch) . 
    다수 나 블 드 다 내에 같 다 (block mold die) 
    공정 키 드 절단 여 개 제조 는 키 
    말 다 타 키 는 체 탑 드 각각 개 드 다. , 
    내에 개 적 다 등 각 드 (individual mold die) , 
    시 제조 는 키 말 다.
    참조 종래 타 는 체 또는 다 [0006] 1 , MLP(100) , (110) , 
    키 다 드 드 포 여 다 다 는 (120), (130) (140) . (110)
    과 갖는다 드 (110a) (110b) . (140) (140a), (140b) 
    절단 가 드 전 또는 는 키 (140c) , (140) (140b)
    출 어 드 다 드는 (120) (metal pad) . MLP(100)
    전 적 연결 여 키 과 동 에 (120) (120a)
    도 종래의 몰 드 리드리스 패키지 의 일 를 도시한 단면도[ 1] (MLP)
    - 8 -
    다 그 고 다 드 는 어 에 여 전 적 연결. , (110) (140) (150)
    다 다 드 접착제 에 다 과 . (130) (130a) (160) (110) (110b)
    착 다.
    종래 에 드 절단 드 [0007] MLP , (14c) 
    가 키 여 드 키 에 강 게 본 수 여 드, 
    절단 과 드 는 에 적어 (140) (140c) (140b) 0.1㎜ 
    갖 다 여 키 제 과정에 드 (interval) . 
    식각 여 제거 여야 는 제조 단가가 가 는 문제점 다, . 
    또 종래 경 열 출 문제가 다 개 었다고는 나 다 [0008] , MLP , 
    드 드 께가 정 얇 문에 전 체 나 (130) (140) 0.2 0.25 LED ~ ㎜ 
    에 적 에는 여전히 열적 스트 스 문제가 개 어야 는 실정 다 열 출 . 
    여 다 드 드 께 가시키 전체 키 가 가
    문에 경 단 는 최근 전 에 게 다.
    또 종래 에 시스 보 에 실 [0009] , MLP (system boarder) MLP
    는 과정에 가 문제점 나타나는 다.
    는 시스 보 에 가 실 어 는 조물 에 [0010] 2 1 MLP(100) [
    는 시스 보 에 가 실 어 는 조물 시스 키 라 에 , (10) MLP(100) " " ]
    개략적 단 다.
    도 시스템 보더 상에 도 의 가 실장 어 있는 시스템 패키지에 한 개략 인 [ 2] 1 MLP
    단면도
    - 9 -
    참조 시스 보 에는 연결 드 연결 드 [0011] 2 , (10) (12)
    전 적 연결 라 어 다 연결 드(12) (circuit line, 14) . 
    라 동 전 컨 등 적 동(12) (14)
    께 가 다 그 고 드 연결 드 가 조 트. , MLP(100) (140) (12) (solder 
    여 접 어 연결 시스 보 에 가 탑joint, 16) (10) MLP(100)
    다.
    종래 에 조 트 시스 보 에 접 [0012] MLP , (16) MLP(100) (10) 
    시킬 가 는 압 생 는 열에 여 조 트 가 동 가 (16)
    수가 다 조 트 가 동 띄게 흐 수가 문에 조. (16)
    트 충 히 보 수가 없다 조 트 가 컨 (16) (h1) . (16) (h1) 30
    과 같 충 게 보 않 시스 보 에 탑 , (10) MLP(100)㎛ 
    다 드 과 시스 보 라 간격 무 좁 문에 (130) (14) 
    키 신 보 수가 없다 그 고 심 경 에는 다 드 시스 보. , (130)
    라 접촉 게 어 단락 염 가 다 뿐만 아니라 조 트(14) . , 
    가 낮 조 트 체가 열적 스트 스나 계적 스트 스에 취(16) (h1) , (16) 
    약 문에 시스 키 신 어뜨 다.
    그 고 시스 보 에 탑 는 과정에 조 트 [0013] , MLP(100) (10) (16)
    가 동 가 게 나 어짐 , MLP(100) (collapse) (tilt) 
    생 염 가 다 생 드 가 연결 드 접 . MLP(100) (140) (12)
    접촉 염 가 고 어짐 생 시스 키 신 , MLP(100)
    어뜨 는 문제점 다.
    또 조 트 가 동 띄게 어 압 에 게 [0014] , (16)
    드 드 간격 좁아 게 므 고 여 드 드 간격 , 
    정 게 보 여야 다 라 드 수 가시키는 계가 다0.5 . , .㎜ 
    결 는 과제 
    본 결 는 과제는 제조단가 가시키 않 열 출 능 [0015] 
    가 드 수 게 가시킬 수 는 조 드 드 스 키 제
    공 는 다.
    본 결 는 다 과제는 제조단가 가시키 않 열 [0016] 
    출 능 가 드 수 게 가시킬 수 는 드 드 스 키 채
    - 10 -
    다 드 키 제공 는 다(LED) .
    실시 체적 내 
    내 참조 본 는 체 다 [0038] 3 4b , MLP(200) , (210), 
    드 드 어 키 포 여 다(230), (240), (250) (220) .
    도 본 발명의 실시 에 른 몰 드 리드리스 패키지 의 면도[ 3] 1 (MLP)
    도 도 도 에 도시 의 라 단하여 나타내 보인 단면도들[ 4a], [ 4b] 3 MLP A-A'
    - 11 -
    체 들 다 드 트랜 스 다 스 [0039] (210) , , (thyristor), IGBT
    같 전원 체 집적 등 다양 체 포, , , 
    수 다.
    다 드 는 는 가 [0040] (230) (230a) (230b)
    그 에 체 실 다 체 들 에폭시 접착제 또는 (210) . (210)
    등 절연 접착제 또는 절연 다 드 (solder) (260) (tape) (230)
    에 착 다 접착제 종 에는 특 제 없다(230a) . (260) .
    특히 본 에 다 드 는 께 갖 [0041] MLP (230) 0.25 0.6 (d1)~ ㎜
    는 종래 다 드가 것에 비 것 특징 다 게 다 , 0.2 0.25 . ~ ㎜
    드 께 껍게 경 다 드 키 내 열 (230) (d1)
    과적 출 수 문에 체 동 신 크게 시킬 수 다.
    다 드 체 착 는 정 [0042] (230) (210)
    스 어 다 는 열 출 가시키 여 다 드 (h2) (recess) . , (230)
    께 껍게 키 가 커 는 것 것 다 (d1) , 
    드 스 만큼 키 께 감 시킬 수 키(230) (h2) , 
    께 체 께 않아 다 다 드 . (230)
    스 역 폭 수 열 출 만 체 크 고 여 결정 수 
    다.
    다 드 주 역에는 정 갭 고 다수 드 들 [0043] (230) (gap) (240)
    다 드 는 그 다 드 과 동 . (240) (240b) (230) (230b)
    다 드 과 다 드 동. , (240) (240b) (230) (230b)
    에 다 드 체 또는 알루미늄 . (240) (210) (Au) (Au)/ (Al) 
    등 물 어 여 전 적 연결 다(250) .
    다 드 과 드 에 여 키 [0044] (230b) (240b)
    출 다 다 드 드 가 출. , (230b) (240b)
    수 또는 시 같 만 출 수 다 다 드 . 
    에는 키 접착 좋게 여 정 식각 (230b) (220)
    또는 그루브 가 어 수 다 또는 그루브 수(dimple) (groove)(235) . (235)
    는 키 에 라 달라 수 다.
    드 는 어가 연결 는 내 드 체 키 접 [0045] (240) (241)
    - 12 -
    단 역 는 드 루어 는 내 드 는 다 드(242) , (241) (230)
    찬가 키 내 열 과적 출 수 0.25 0.6~ ㎜
    께 갖는다 그러나 드 경 에는 제 키 내에 적절 (d1) . , (242)
    수 드 여야 문에 내 드에 비 께 얇게 다(d2) .
    키 는 에폭시 물 과 [0046] (220) (Epoxy Molding Compound, EMC)
    같 루어 다 키 는 적어 드 . (220) (240b) (230c)
    과 다 드 출 갭 채 고 다 드(230b) (gap)
    체 드 어 러싼다 다 드 (230), (210), (240) (250) . (230)
    출 는 키 과 드 다 드 (230b) (220b) (240b) 
    동 에 않고 단차 갖는다 다 드 (230b) . , (230b) 
    드 키 정 께 돌출 태(240b) (220b) (h3) 
    가 다 같 다 드 키 . (230b) (220b)
    정 께 돌출 그 께 만큼 키 내 흡습 경 가 연 고(h3) (h3) , 
    키 시스 보 에 고 수 라 열적 스트 스 최
    수 다 또 시스 보 다 드 에 정 간격 보 므 드 . , 
    종래 에 수 다 라 동 키징 적 내에 (pitch) 0.5 0.4 . , ㎜ ㎜
    수 는 드 수 가시킬 수 나 키 가능 능 , 
    종 가시킬 수 다.
    키 에 시 것과 같 비스듬 게 경 갖 [0047] (220c) 4a
    는 조 수 또는 에 시 것과 같 키 키 , 4b (220c)
    에 수 조 수 는 는 키 절단 식에 라 (220b) , 
    수 다 에 시 것과 같 키 비스듬 경 는 . 4a (220c)
    는 드 타 는 경 경 드 (punched type) , (240)
    단 는 키 략 정 돌출 다 에 시 것과 (220) 0.08 0.15 . 4b~ ㎜ 
    같 키 수 경 는 블 드 같 절단수단 절(220c) (blade)
    단 는 는 경 경 에는 드 단 가 키 (sawing type) , (240)
    돌출 않는다(220) .
    같 본 제 실시 에 에 다 드 께 [0048] 1 MLP , (230)
    정 껍게 키 내 열 과적 (d1) 0.25 0.6~ ㎜ 
    출 수 고 동 신 크게 시킬 수 다 또 다 드 . , (230)
    정 스 다 드 께 가 키 께 
    - 13 -
    가 수 키 께 체 께 않아 , 
    다 또 다 드 드 키 . , (230b) (240b)
    정 께 돌출 흡습 경 가 연 고 시스 보 에 (220b) , 
    고 수 라 열적 스트 스 최 수 시스 보, 
    다 드 에 정 간격 보 므 드 수 므 동(pitch)
    키징 적 내에 수 는 드 수 가시킬 수 나 키, 
    가능 능 종 가시킬 수 다.
    참조 본 실시 는 체 과 드 연결 [0050] 5 , MLP(300)
    여 어 신에 전 클 는 것 제 고는 에 시 제(wire) (clip) 4a 1 
    실시 동 다 라 동 에 는 동 참조 MLP(200) . , 
    고 복 는 생략 다, .
    본 실시 에 경 체 과 드 가 클 [0051] MLP(300) (210) (240) (255)
    전 적 연결 다 클 같 전 료 루어 다 클. (255) (Cu) . 
    과 체 클 과 드 는 각각 연결(255) (210), (255) (240) (solder)(265)
    다 는 들 주 주 주 납. (265) / / (Sn/Ag/Cu) , (Sn), / (Sn/Pb) , 
    주 또는 니 등 포 수 다 웨 에 는 최/ (Sn/Ag) (Ni) . 
    종 단계에 웨 에 물 거나 본 드 물 , 
    다 물 는 는 스 또는 전 . (sputtering) 
    식 수 다(electroplating) .
    도 본 발명의 실시 에 른 몰 드 리드리스 패키지 의 단면도[ 5] 2 (MLP)
    - 14 -
    클 드 에 착 시 같 클 착 역 [0052] (255) (240) , 
    드 정 스시 고 내에 클 (240) (h4) (255)
    착 클 과 드 결 고 클 키 (255) (240) (255)
    가 커 는 것 수 다 특히 시 것과 같 키 . , (220)
    비스듬 경 클 착 드 스시키 과적 착 수 다.
    같 체 과 드 전 클 연결 경 전 클 [0053] , 
    어에 비 적 문에 흐 는 전 양 가시킬 수 고 열 출 
    가시킬 수 다 본 실시 경 에 경 같 키 . , , 4b
    수 게 수 다.
    본 제 실시 는 에 시 본 제 실시 [0055] 3 MLP(400) 4a 1 
    는 드 조에 차 가 다 다 드 드 과 MLP(200) . (230) (245)
    연결 어 고 다 드 다 드 정 간격 격 어 다 다 드 , (245) . 
    연결 않 드 는 전 료 루어 어 체 과 (245) (250) (210)
    연결 다 드 조 제 고는 에 시 동 므 동 . (245) 4a MLP(200)
    에 는 동 참조 고 복 생략 다, .
    키 경 같 비스듬 게 경 갖 [0056] (220) (220c) 6a
    는 조 거나 같 키 에 수 조 수 는, 6b (220b)
    는 키 절단 식에 라 수 다 키 비스듬 , . (220c)
    경 는 는 드 타 는 경 경 드(punched type) , 
    단 는 키 략 정 돌출 다 키 (245) 0.08 0.15 . ~ ㎜ 
    수 경 는 블 드 같 절단수단 절단 는 (220c) (blade) (sawing 
    는 경 경 에는 드 단 가 키 type) , (245) (220)
    돌출 않는다.
    다 드 는 키 내 열 과적 출 수 [0057] (230)
    여 종래 다 드보다 께 갖 다0.25 0.6 (d1) . ~ ㎜
    워 다 드 키 가 가 는 것 여 , (230)
    에 시 것과 같 다 드 정 스시킨 6c (230) (h2) 
    스 역에 접착제 여 체 착 수 다(260) (210) .
    도 도 도 도 본 발명의 실시 에 른 몰 드 리드리스 패[ 6a], [ 6b], [ 6c], [ 6e] 3 
    키지 의 단면도들(MLP)
    - 15 -
    - 16 -
    나 행 명들 . 
    행 명 갑 증 1) 1( 4 )
    공개 일본 공개특허공보 특개 에 게재 이 게이2006. 2. 16. 2006-49694 '
    지ㆍ리드 프 임 이라는 명칭 명 주요 내용 도면 별지 과 같다' , [ 1] .
    행 명 갑 증 2) 2( 5 )
    공개 일본 공개특허공보 특개 에 게재 도체 2001. 3. 23. 2001-77278 '
    키지 이것 에 리드 프 임 도체 키지 조 법과 그 몰드 라는 명, '
    칭 명이다 다만 이 사건 소송에 구체 그 내용 인용하지 아니하므. , 
    내용에 한 재는 생략한다.
    행 명 갑 증 3) 3( 6 )
    공개 한민국 공개특허공보 에 게재 향 2006. 5. 19. 10-2006-0052560 ‘
    상 신뢰 높 열 출 능 갖는 몰 드 리드리스 키지 소잉 몰 드 
    리드리스 키지 그 조 법이라는 명칭 명 주요 내용 도면 별지 ’ , [
    또 열 출 여 에 시 것과 같 체 [0058] , 6d , 
    과 드 연결 어가 아닌 전 클 수 다 는 접착(210) (245) (255) . 
    제 신 다 는 들 주 주(265) . (265) / / (Sn/Ag/Cu) , 
    주 납 주 또는 니 등 포 수 다(Sn), / (Sn/Pb) , / (Sn/Ag) (Ni) . 
    체 는 최종 단계에 체 또는 앞 에 물(210) (210) /
    거나 본 드 물 다 물 는 , . 
    는 스 또는 전 식 수 다(sputtering) (electroplating) .
    그 고 클 드 에 착 에 시 같 드 [0059] , (255) (245) , 6e
    정 스시 클 과 드 결 가시키고 (245) (255) (245)
    클 키 가 커 는 것 수 다(255) . 
    - 17 -
    같다2] .
    행 명 갑 증 4) 4( 7 )
    공개 한민국 공개특허공보 에 게재 다 2006. 6. 2. 10-2006-0059575 ‘
    이 드에 미 돌 가 도체 키지라는 명칭 명이다 다만 이 사건 소송’ . 
    에 구체 그 내용 인용하지 아니하므 내용에 한 재는 생략한다, .
    행 명 갑 증 5) 5( 8 )
    공개 일본 공개특허공보 특개 에 게재 회 장2004. 7. 22. 2004-207275 '
    그 조 법 이라는 명칭 명 주요 내용 도면 별지 과 같다' , [ 3] .
    6) 행 명 갑 증6( 9 )
    공개 일본 공개특허공보 특개 에 게재 스탬핑 2009. 11. 12. 2009-267398 '
    가공 이용하여 는 상 가지는 도체 소자 키지 라는 명칭 명' , 
    주요 내용 도면 별지 같다[ 4] .
    행 명 갑 증 7) 7( 10 )
    공개 한민국 공개특허공보 에 게재 2004. 3. 10. 10-2004-0021037 ‘
    도체 키지라는 명칭 명 주요 내용 도면 별지 같다’ , [ 5] .
    행 명 갑 증 8) 8( 11 )
    공개 일본 공개특허공보 특개 에 게재 도체 장 2002. 8. 9. 2002-222906 '
    조 법 도체 장 이라는 명칭 명이다 다만 이 사건 소송에 구체' . 
    그 내용 인용하지 아니하므 내용에 한 재는 생략한다, .
    행 명 갑 증 9) 9( 12 )
    공개 일본 공개특허공보 특개 에 게재 도체 장2008. 3. 13. 2008-60256 '
    - 18 -
    라는 명칭 명 주요 내용 도면 별지 과 같다' , [ 6] .
    다 이 사건 심결 경 . 
    피고 주식회사는 원고를 상 특허심 원 당 이 1) C 2021. 3. 12. 2021 758
    사건 특허 명 청구항 항 항 항에 하여 피고 는 원고를 상 1 , 2 , 7 , F 2021. 4. 9. 
    특허심 원 당 이 사건 특허 명 청구항 항에 항에 하여 이 2021 1068 1 16 ’
    사건 특허 명 특허출원 에 공지 행 명 에 동일한 명이므 특허법 1 9
    조 항 하 고 그 명이 속하는 분야에 통상 지식 가진 사람29 1 , 
    이하 통상 자라고 한다 이 행 명 에 에 하여 쉽게 명할 있 므( ‘ ’ ) 1 9
    특허법 조 항 하 다라고 주장하면 특허 효심 청구하 고 원29 2 ’ , 
    고는 효심 차에 이 사건 특허 명 청구범 를 가 재 같2021. 5. 13. ., 4) 
    이 하는 내용 청구를 하 다. 
    특허심 원 원고 청구를 인 하고 이 사건 항 2) 2021. 10. 26. “ , 1 , 
    항 항에 항 특허 명 통상 자가 행 명 에 에 하여 쉽2 , 4 16 1, 3 7
    게 명할 있어 특허법 조 항 조 항에 라 그 특허가 효133 1 1 , 29 2
    어야 하므 이 사건 항 항 항에 항 특허 명에 한 심 청구는 1 , 2 , 4 16
    인용하고 이 사건 항 특허 명 행 명 에 에 하여 진보 이 부 지 , 3 1 9
    않 므 이 사건 항 특허 명에 한 심 청구는 각한다 라는 내용 이 사건 3 .”
    심결 하 다. 
    인 근거 다 없는 사실 갑 에 증 변 체 취지[ ] , 1 12 , 
    당사자 주장2. 
    가 원고 주장 . 
    - 19 -
    이 사건 에 에 항 명 행 명 는 행 명 1) 1, 2, 4 11, 13 16 1 
    는 행 명 는 행 명 에 하여 신규 이 부 지 않는다3 8 9 .
    이 사건 에 에 항 명 행 명 에 에 2) 1, 2, 4 11, 13 16 1, 3, 6 9
    하여 진보 이 부 지 않는다.
    나 피고들 주장 . 
    이 사건 에 에 항 명 행 명 는 행 명 1) 1, 2, 4 11, 13 16 1 
    는 행 명 는 행 명 동일한 명이므 특허법 조 항 3 8 9 29 1
    하 다.
    이 사건 에 에 항 명 통상 자가 행 명 2) 1, 2, 4 11, 13 16
    에 행 명 결합하여 는 행 명 에 하여 쉽게 명할 있1 6 1, 3, 7, 8, 9
    므 특허법 조 항 하 다29 2 .
    단3. 
    가 . 이 사건 항 명 진보 부 여부1
    이 사건 항 명과 행 명 구 요소 1) 1 1
    이 사건 항 명 각 구 요소에 하는 행 명 각 구 요소1 1
    는 아래 재 같다.
    구 요소 이 사건 항 명1 행 명 1
    1 상 는 상부 면 하부 면
    갖는 다이 드; 
    리드 프 임 부분2 (18) , 1○ 
    리드 프 임 부분 공동 동굴 부( )
    내 에 용 고 있는 다이ㆍ(16) ( )內
    들 갖춘다 단번 (20) ( [0011]).
    다이ㆍ 들 상 는 상(20)○ 
    - 20 -
    부 면 하부 면 갖는다 도 ([
    1]).
    2 상 다이 드 상부 면 상에 실장
    도체 칩; 
    집 회 다이 는 다이ㆍ 들(22) , ○ 
    에 장착 어지고 략 다이(20) , ( ) (22)
    는 납 에 해 열 다이 부, (24) (22)
    다이ㆍ 들 에 놓 있는 (20)
    납 다이 프 스 등 주지 법
    다이ㆍ 들 에 장착 다 다른 (20) . 
    실시 태 경우에는 다이 는, (22) , 
    착 재료 는 착 이프에 해 다
    이ㆍ 들 에 장착할 있다 단번(20) (
    [0013]).
    3 상 다이 드 주변 역에 상 다
    이 드 일 간격 이격 도 
    다 리드; 
    집 회 다이 는 다이ㆍ 들(22) , ○ 
    에 장착 어지고 다이ㆍ 들이 공(20) , 
    동 동굴 부 내에 하고 있 므 다( ) , 
    이 는 복 리드 에 해 러(22) , (14)
    싸여진다 단번 ( [0013]).
    4 상 도체 칩과 상 다 리드 각
    각 연결하는 도 클
    립 ; 
    다이 는 복 다이 본 드(22) , ○ 
    를 포함한다 다이 본 드(26) . (26) 
    가운데 몇 가지는 이어 에 해 , (28)
    리드 가운데 하는 몇 개 인가(14) 
    리드에 속 고 있다
    단번 ( [0014]).
    5 어도 상 리드 면 일부 상
    다이 드 일부를 노출하며 상 
    다이 드 상 도체 칩 상 리드 , , 
    상 도 클립 덮는 키지 
    를 포함하고, 
    도체 이스 는(device)(10) , ○ 
    어도 리드 면 리드 (14) 2
    프 임 부분 면 노출시킨 상(18)
    태에 집 회 다이 상부 , (22)
    면 이어 리드 상부 , (28) (14)
    - 21 -
    면 덮는 지재료 를 욱 포함(30)
    한다 단번 ( [0015]).
    지재료 는 다이ㆍ 들 집(30) (20), ○ 
    회 다이 리드 이어(22), (14) 
    를 덮는다 도 (28) ([ 1]).
    6 상 다이 드 께가 상 리드 
    키지 외부 노출 는 외부 
    리드보다 꺼운 것 특징 하는 
    몰 드 리드리스 키지.
    리드 프 임 부분 속 1 (12)○ 
    는 속 합 에 어 , 1
    소 께를 갖는다 략 리. ( ) 2
    드 프 임 부분 아주 알맞게는(18) , , 
    께 는 다른 께를 갖1 2
    는다 를 들면 량 열 생하는 . , 
    원 회 경우에는 리드 프, 2
    임 부분 히트 싱크 사용할 (18)
    있다 그러한 경우에는 아주 알맞게. , 
    는 께는 께보다도 , 2 1
    껍다 람직한 실시 태 경우에. 
    는 께는 께 약 , 1 , 2
    인가 는 그것 이하다 어떤 경. 
    우에는 부분이 약 , 1 8 (0.2032 )㎜
    께를 갖고 께가 1 , 2
    약 인 리드 프 임 20 (0.508 )㎜
    조했다 단번 ( [0011]).
    다이ㆍ 들 께 께(20) ( 2 )○ 
    는 리드 지재료 외부 (14) (30)
    노출 는 면 부분 께 ( 1
    께 보다 껍다 도 ) ([ 1]).
    도체 이스 는(device)(10) , ○ 
    어도 리드 면 리드 (14) 2
    - 22 -
    공통 차이 분 2) 
    가 분야) 
    이 사건 항 명 몰 드 리드리스 키지1 ‘ (Molded Leadless Package)’
    에 한 것이고 행 명 어도 리드 면 리드 프 임 부분, 1 ‘ (14) 2 (18)
    면 노출하도 키징한 도체 이스 청구항 항 항 에 한 것(device)( 9 , 14 )’
    이므 양 명 도체 몰 드 리드리스 키지에 한 것이라는 에 동일하, 
    다. 
    나 구 요소 ) 1, 2, 3
    이 사건 항 명 구 요소 상 는 상부 면 하1 1, 2, 3 ‘
    프 임 부분 면 노출시킨 상(18)
    태에 집 회 다이 상부 , (22)
    면 이어 리드 상부 , (28) (14)
    면 덮는 지재료 를 욱 포함(30)
    한다 단번 ( [0015]).
    본 명 집 회 키징한 , ○ 
    집 회 에 하고 특히 키징한 집, 
    회 용 리드 프 임에 한다(
    단번 [0001]).
    도면 도 [ 5] 도 [ 1]
    - 23 -
    부 면 갖는 다이 드 다이ㆍ 들[ (20)]2) 구 요소 다이 드 다이ㆍ 들 ( 1)’, ‘ [ (20)]
    상부 면 상에 실장 도체 칩 집 회 다이 구 요소 다이 드 다이ㆍ[ (22)]( 2)’, ‘ [
    들 주변 역에 다이 드 다이ㆍ 들 일 간격 이격 도 다(20)] [ (20)]
    복 리드 리드 구 요소 이고 행 명 도 구 요소 과 동일( ) [ (14)]( 3)’ , 1 1, 2, 3
    한 구 가지고 있다 이에 하여 당사자 사이에 다 이 없다( ).
    다 구 요소 ) 4
    이 사건 항 명 구 요소 이에 하는 행 명 구 요소1 4 1
    는 도체 칩 집 회 다이 과 다 리드 리드 각각 연결[ (22)] [ (14)] (
    속 한다는 에 공통 다 다만 구 요소 는 도 클립 연결하는 면 행) . , 4 , 
    명 이어 속한다는 에 차이가 있다 이하 차이 이라 한다1 (28) ( ‘ 1’ ). 
    라 구 요소 ) 5
    이 사건 항 명 구 요소 이에 하는 행 명 구 요소1 5 1
    는 어도 리드 리드 면 일부 다이 드 리드 프 임 부분 [ (14)] [ 2 (18)]
    일부를 노출하며 다이 드 도체 칩 집 회 다이 리드 리드 를 덮는 , [ (22)], [ (14)]
    키지 지재료 를 포함한다는 에 공통 다 다만 구 요소 키지 [ (30)] . , 5
    는 도체 칩과 리드를 연결하는 도 클립 덮는 면 행 명 지재료, 1
    는 집 회 다이 리드 를 속하는 이어 를 덮는다는 에 차이(30) (22) (14) (28)
    가 있다 이하 차이 라 한다( ‘ 2’ ).
    마 구 요소 ) 6
    이 사건 항 명 구 요소 과 이에 하는 행 명 구 요소1 6 1
    2) 이 사건 항 명 1 구 요소에 하는 행 명 구 요소를 안에 재하 고 이하 같 식 한1 , 
    다.
    - 24 -
    는 다이 드 다이ㆍ 들 께가 리드 키지 외부 노출 는 외부 [ (20)]
    리드 리드 보다 껍다는 에 실질 동일하다[ (14)] .
    차이 에 한 검토 3) 
    가 아래 같 이 사건 특허 명 명 재에 하면 이 사건 항 ) , 1
    명 종래에 열 출 효 높이 하여 다이 드 리드 께를 증가시키
    면 체 키지 부피가 증가하는 리드 리드 사이 간격 게 보하
    여야 하므 리드 를 증가시키는 데 한계가 있는 해결하 하여 다이 
    드 께를 키지 외부 노출 는 외부 리드보다 껍게 하고 구 요소 (
    도체 칩과 다 리드 각각 도 클립 연결함 써 구 요소 높 6) ( 4) 
    열 출 능 가질 있도 하 고 외부 리드를 얇게 함 써 구 요소 리드, ( 6) 
    를 용이하게 증가시킬 있도 하 다.
    그리고 아래 같 이 사건 특허 명 명 재에 하면 이 사건 특허, 
    건 특 [ ]
    또 종래 경 열 출 문제가 다 개 었다고는 나 다 [0008] , MLP , 
    드 드 께가 정 얇 문에 전 체 나 (130) (140) 0.2 0.25~ ㎜ 
    에 적 에는 여전히 열적 스트 스 문제가 개 어야 는 실정 다 열 LED . 
    출 여 다 드 드 께 가시키 전체 키 가 
    가 문에 경 단 는 최근 전 에 게 다.
    또 조 트 가 동 띄게 어 압 에 게 [0014] , (16)
    드 드 간격 좁아 게 므 고 여 드 드 간격 , 
    정 게 보 여야 다 라 드 수 가시키는 계가 다0.5 . , .㎜ 
    본 결 는 과제는 제조단가 가시키 않 열 출 능 [0015] 
    가 드 수 게 가시킬 수 는 조 드 드 스 키 제
    공 는 다.
    - 25 -
    명 도체 칩과 리드를 연결하는 단 도 이어 는 도 클립 (wire) 
    포함하는데 단번 도체 칩과 리드를 연결하 하여 ( [0027], [0034]), 
    이어 신에 도 클립 사용하는 구 실시 재하고 있고(wire) (clip) 2 
    단번 도 도체 칩 과 리드 를 이어가 아닌 도 클립( [0050], [ 5]), (210) (245) (2
    연결하면 도 클립이 이어에 해 면 이 에 르는 양55)
    증가시 열 출 효 증가시킬 있는 작용효과가 있는 것 알 있다 단(
    번 [0053], [0058]). 
    나 행 명 집 회 다이 리드 연결 단 이 사건 ) 1 (22) (14) 1
    항 명 도 클립 명시 재하고 있지는 않지만 아래 같 행‘ ’ , 
    건 특 [ ]
    연결 수단 전 어 또는 전 클 포 수 다 [0027] .
    연결 수단 전 어 또는 전 클 포 수 다 [0034] (wire) .
    참조 본 실시 는 체 과 드 연결 [0050] 5 , MLP(300)
    여 어 신에 전 클 는 것 제 고는 에 시 제(wire) (clip) 4a 1 
    실시 동 다MLP(200) . 
    같 체 과 드 전 클 연결 경 전 클 [0053] , 
    어에 비 적 문에 흐 는 전 양 가시킬 수 고 열 출 
    가시킬 수 다. 
    또 열 출 여 에 시 것과 같 체 [0058] , 6d , 
    과 드 연결 어가 아닌 전 클 수 다 는 접착(210) (245) (255) . 
    제 신 다 는 들 주 주(265) . (265) / / (Sn/Ag/Cu) , 
    주 납 주 또는 니 등 포 수 다(Sn), / (Sn/Pb) , / (Sn/Ag) (Ni) . 
    체 는 최종 단계에 체 또는 앞 에 물(210) (210) /
    거나 본 드 물 다 물 는 , . 
    는 스 또는 전 식 수 다(sputtering) (electroplating) .
    - 26 -
    명 명 재에 하면 행 명 집 회 다이 가 이어 에 1 , 1 ‘ (22) (28)
    해 몇 개 리드 에 속 는 구 개시하고 있고 여 이어는 (14) ’ , 
    다양한 직경 거나 지 않 알루미늄 등 여러 종 재료들 에 , 
    택할 있 며 이러한 특징 통상 자에게 주지 임이 개시, 
    어 있다 한 리드 프 임 부분 즉 다이ㆍ 들 부분 께를 껍게 . 2 (18), (20) 
    구 하여 히트 싱크 사용하는 경우 열 효 산할 있고 리드 프, 1
    임 부분 께는 그 이하 얇게 구 하여 리드 프 임 부분 (12) 1 (12)
    키징 공 쉽게 할 있다는 특징이 개시 어 있다. 
    [ 1 ]
    열 게다가 각각 드 절단 는 것 쉬 드 [0004] , 
    제공 는 것 람 것 다 게다가 결 생 않 고 스에 다 다. , 
    ㆍ 들에 착 는 것 람 다.
    참조 그 본 에 체 스 [0011] 1 , , (device)(10)
    실시 태 단 다 략 제 드 아주 알맞게는 제 . ( ) 2 (18) , , 1
    께 는 다 제 께 갖는다 들 량 열 생 는 전원 경 에2 . , 
    는 제 드 히트 싱크 수 다 그러 경 에는 아주 , 2 (18) . , 
    알맞게는 제 께는 제 께보다 껍다 람 실시 태 경 에는 제 , 2 1 . , 1
    께는 제 께 약 절 또는 그 다 어 경 에는 제 약 , 2 . , 1 8
    제 께 갖고 제 께가 약 드 제조(0.2032 ) 1 , 2 20 (0.508 )㎜ ㎜
    다 께 제 드 쉽게 각각 드 . , 1 , 
    수 고 동시에 제 드 적 열 수 다, 2 . 
    다 는 복수 다 본 드 포 다 다 본 드 가 [0014] (22) , (26) . (26) 
    가 는 아주 알맞게는 어ㆍ본 스에 어 에 드 가 , , · , (28) (14) 
    는 개 드에 전 적 접 고 다 당업 라 러 어 어. 
    ㆍ본 스는 주 실시 태 경 에는 어가 · , 2 (0.0508 )㎜
    어 실시 태 경 에는 알루미늄 어가 다 그러나, , 10 (0.254 ) · . , ㎜
    었다 절연 었다 어 않고 는 어 포 는 여러 종 ( ) 
    - 27 -
    다 아래 같 행 명 명 도면에 하면 행 명 도체 ) 6 , 6
    키징 공 쉽게 하 한 명 리드 프 임 일부 다이 결합 , (208) (212)
    구조체 도 이어 리본 클립 포함하는 구 개시하고 있어 행 명 에, , 6
    는 이 사건 항 명 도체 칩과 리드를 연결하는 단 도 클립에 1
    해당하는 내용이 동일하게 개시 어 있 뿐만 아니라 결합 구조체 본드 이어 
    신 본드 클립 사용할 경우 다이 과 핀과 사이에 결합 항 , 
    감소하는 효과가 있고 이에 라 종래보다 작 다이를 사용하 라도 큰 다이를 사용, 
    하는 것에 필 하는 퍼포 스를 가질 있다며 그 작용효과도 개시하고 있어 행
    명 명 에는 도체 칩과 리드 연결 단 도 클립 사용하는 효과에 6
    하여 이 사건 특허 명 명 에 재 내용이 동일하게 개시 어 있다. 
    [ 6 ]
    라 적 에 공정 않는 체 키 [0012] , 
    제조 당 술 야에 청 고 다, .
    째 공정 에 는 드 가 적절 택적 전 [0042] 4 (308) , 
    어 좋다 그러 전 역 실시 는 다 끝 다 에 접 어 . , 
    는 어나 본 클 등 결 조체 끝 는 것 정 는 다 착 나 , 
    포 다. 
    째 공정 에 는 나 또는 복수 결 조체가 다 적절 [0047] 8 (316) , , 
    에 착 다 전 어 어 좋다 전술 것과 같 결 . . , 
    조체는 전 클 어 본 여 좋다, , .
    게다가 실시 태 가 는 본드 어 신 클 포 다 [0056] , , . 
    러 본드 클 다 접촉점과 주 과 에 전 적 결 저 감, 
    는 것 가능 게 다 그 고 는 앞 큰 다 에 적 는 포 스 갖는 종. , 
    료 경 가 가 주 어 수 다.
    - 28 -
    라 이 사건 항 명 도체 칩과 다 리드 각각 도 클립) 1 ‘
    연결하는 구 외한 나 지 구 행 명 에 나타나 있다 그런데 행’ 1 . 
    명 모 도체 키지에 한 명이어 분야가 사하고 키징 공1, 6 , 
    쉽게 하면 도 열 효 출하 한 구 채택하 다는 에 그 목
    과 특징이 공통 다 그런데 통상 도체 키징 분야에 있어 필요에 라 . 
    집 회 다이 복 리드 를 속하는 이어 규격 재질 등 택하는 (22) (14) , 
    것 이 분야 상식에 해당하고 이에 추어 볼 통상 자에게 행, 
    명 에 이어는 쉽게 그 변경 고 할 있는 구 에 해당한다 그리고 이 사1 . 
    건 항 명 도체 칩과 다 리드 각각 도 클립 연결하는 구1 ‘
    행 명 리드 프 임 일부 다이 결합 구조체 도 ’ 6 ‘ (208) (212)
    클립 사용하는 구 과 동일하다 통상 자는 통상 창작능 하여 도’ . 
    체 키징 함에 있어 만족하여야 하는 특 능 등 고 하여 집 회 다이
    래보다 다 가능 게 다.
    도 패키지를 하 한 본 발명에 의한 조법의 실시 태의 단면도[ 2J] 
    - 29 -
    리드 를 연결하는 단 택할 있 므 열 출 효 증가시키 (22) (14) , 
    하여 집 회 다이 리드 를 연결하는 단 이어 신 도 (22) (14) (28) 
    클립 도입할 있고 그 구 에 추어 볼 같 구 도입하는 , 
    데 어떠한 어 움이 있다고 보이지 않 므 통상 자는 도체 키지 , 
    분야 개 등 하여 행 명 에 행 명 결합하여 차이 를 극1 6 1, 2
    복하고 이 사건 항 명 구 요소 를 쉽게 도출할 있다1 4, 5 . 
    마 이에 하여 원고는 시 행 헌 근거 명 진보 이 부 는) , 
    지를 단하 해 는 행 헌 체에 하여 통상 자가 합리 인식할 
    있는 사항 단하여야 하는데 행 명 목 부분 식각 공 , 6 (
    신 스탬핑 가공 채택함 써 도체 장 조 용 감 이 사건 항 ) 1
    명 목 높 열 출 능 갖고 리드 를 용이하게 증가시킬 있는 (
    구조 몰 드 리드리스 키지를 공 과 달라 그 목 하여는 본 클립보다 본)
    이어를 채택할 것이므 이 사건 특허 명 명 에 개시 어 있는 내용 알, 
    고 있 사후 단하지 않는 한 통상 자가 행 이어1
    를 행 클립 쉽게 변경할 있다고 보 어 다고 주장한다6 .
    여러 행 헌 인용하여 특허 명 진보 단할 에 그 인용 는 , 
    조합 는 결합하면 해당 특허 명에 이를 있다는 암시 동 등이 행, 
    헌에 시 어 있거나 그 지 않 라도 해당 특허 명 출원 당시 , , 
    상식 해당 분야 본 과 경향 해당 업계 요구 등에 추어 보, , , 
    아 통상 자가 쉽게 그 같 결합에 이를 있는 경우에는 해당 특허 명 
    진보 부 다 법원 고 후 결 등 참조( 2019. 10. 31. 2018 11353 ).
    - 30 -
    이 사건 특허 명 출원 당시 도체 키징 분야에 도체 키지 내부 열
    효 출시키는 것 해당 업계 요구라고 할 것이고 이 사건 항 , 1
    명과 행 명 모 열 출 효 높인다는 에 그 과 가 동일1, 6
    하다 행 명 열 효 산하 하여 리드 프 임 부분 . 1 2 (18)
    께를 껍게 구 하 는데 열 출 를 욱 개 하 하여 행 명 참, 6
    작할 있고 여 에 개시 리드 프 임 일부 다이 연결 단 , ‘ (208) (212)
    이어 신 클립 사용하는 구 도입하 는 시도를 충분히 할 있다 행 명 ’ . 
    이 도체 장 조 용 감하는 것 하나 과 하여 스탬핑 가공 채택6
    하 라도 행 명 에는 리드 프 임 일부 다이 결합 구조체 , 6 ‘ (208) (212)
    도 이어 클립 포함하고 있고 결합 구조체 본드 이어 신 본드 클립 , 
    사용하면 다이 과 핀과 사이에 결합 항 감소하는 효과가 있
    다고 재 어 있는 이상 조 용 감하 하여 결합 구조체 클립 사용하’
    는 것에 한 부 시가 있다고 볼 없어 행 명 에는 각 명에 나타난 1, 6
    구 결합 해하는 취지 재가 있다고 볼 없다 그 다면 통상 자가 . 
    행 명 이어를 행 명 클립 체하는 데 별다른 어 움이 없다 원1 6 . 
    고 주장 이 없다.
    한 원고는 특허 명 진보 여부를 단함에 있어 는 특 과 해) , 
    결원리에 하여 결합 체 구 곤란 보아야 하는
    데 이 사건 항 명 구 요소 구 요소 이 결합하여 키, 1 4 6
    지 내부 열 효 외부 출하는 효과를 극 한다고 주장하나 앞에 , 
    본 같이 구 요소 갖고 있는 행 명 에 구 요소 동일한 내용 개시6 1 4
    - 31 -
    하고 있는 행 명 결합하는 데에 구 곤란 이 있다고 볼 없고 이 사건 6 , 
    항 명 구 요소 구 요소 인한 작용효과도 행 명 과 행1 4 6 1
    명 결합 부 가능한 도를 어 는 한 효과를 낸다고 보 도 어6
    다 원고 이 부분 주장도 이 없다. .
    사 라 이 사건 특허 명 출원 당시 에 추어 도체 키지 ) 
    분야에 통상 자라면 행 명 이어 에 해 집 회 다이 1 ‘ (28) (22)
    리드 를 속하는 구 에 행 명 에 개시 다이 리드 프(14) ’ 6 ‘ (212)
    임 일부를 도 클립 결합하는 구 쉽게 결합하여 차이 를 (208) ’ 1, 2
    극복하고 이 사건 항 명 구 요소 를 쉽게 도출할 있다1 4, 5 .
    검토 결과 리 4) 
    라 이 사건 항 명 통상 자가 행 명 에 하여 쉽1 1, 6
    게 명할 있 므 진보 이 부 다.
    나 이 사건 항 명 진보 부 여부 . 2
    이 사건 항 명 이 사건 항 명 종속항 명 다이 2 1 ‘
    드 께는 인 것 특징 한다 리드 프 임 부분 아0.25 0.6 ’ . 2 (18) , ~ ㎜
    주 알맞게는 께 는 다른 께를 갖는다, 1 2 . 
    그런데 행 명 명 에는 리드 프 임 부분 리드 프 1 “ 2 (18) , 1
    임 부분 공동 동굴 부 내 에 용 어 있는 다이ㆍ 들 갖춘다 어떤 ( ) (16) ( ) (20) . 內
    경우에는 부분이 약 께를 갖고 께가 약 , 1 8 (0.2032 ) 1 , 2 2㎜
    인 리드 프 임 조했다 단번 라고 재 어 있고 0 (0.508 ) ( [0011]).” , ‘ 2㎜
    께가 인 구 이 사건 항 명 특징인 다이 드 께가 0.508 ’ 2 ‘ 0.25 ㎜
    - 32 -
    인 것에 포함 므 행 명 에는 이 사건 항 명 특징0.6 ’ , 1 2~ ㎜
    에 해당하는 내용이 동일하게 개시 어 있다. 
    라 이 사건 항 명도 행 명 에 하여 진보 이 부 다 2 1, 6 . 
    다 이 사건 항 명 진보 부 여부 . 4
    이 사건 항 명 이 사건 항 명 종속항 명 다이 4 1 ‘
    드 상부 면이 일 이 리 스 고 도체 칩 다이 드 리 스 역에 , 
    실장 것 특징 한다’ . 
    그런데 행 명 명 에는 9
    걸리는 다이 드 에 는 그림 “ (30) , 2
    그림 과 같이 다이 드, 3 , 1 (31), ⒜
    다이 드 동시에 칩 탑재2 (32) , ( ) 
    면 끝부분 주 가 탑재한 (30a) , 
    칩 상면보다도 높게 고 ( )(20)
    있다 단번 라고 재 어 있고 른쪽과 같 도면에는 칩 탑재면 ( [0039]).” , ( ) 
    끝부분 주 가 칩 상면보다 높게 상이 도시 어 있다(30a) ( )(20) . 
    행 명 도체 키지가 몰 드 리드리스 키지는 아니라고 하 라도 9 ‘ ’ , 
    행 명 는 모 도체 칩 키지 내에 실장하는 도체 키지에 한 명1, 6, 9
    그 분야가 공통 므 통상 자는 연구개 등 하여 , 
    이들 함께 참작할 있다 그러므 이 사건 항 명에 부가 한 . 4 ․
    구 통상 자가 행 명 도체 이스 에 다이ㆍ 들 1 (10) (20)
    행 명 칩 탑재면 끝부분 주 가 탑재한 칩 상면보다도 높게 9 (30a) (20)
    행발명 의 도 다이 패드의 모양 모식9 [ 3] 
    로 나타내는 단면도
    - 33 -
    는 다이 드 변경하여 쉽게 도출할 있다(30) .
    라 이 사건 항 명 행 명 에 하여 진보 이 부 다 4 1, 6, 9 . 
    라 이 사건 항 명 진보 부 여부 . 5
    이 사건 항 명 이 사건 항 명 종속항 명 다이 5 1 ‘
    드 하부 면 는 상 리드 면에는 키지 착 좋게 하 , 
    하여 어도 하나 플 는 그루 가 것 특징 한다(dimple) (groove) ’ . 
    그런데 아래 같 행 명 도면에는 다이 들 과 리드 면에 1 (18) (12)
    지 재료 착 좋게 하 하여 일부분이 식각 어 구 이 도시(30)
    어 있다.
    한 아래 같 행 명 도면에도 다이 드 면에는 체 9 (30) (40)
    착 좋게 하 하여 일부분이 식각 어 구 이 도시 어 있다.
    행발명 의 도 1 [ 3] 
    행발명 의 도 다이 패드의 모양 모9 [ 3] 
    식 로 나타내는 단면도
    행발명 의 도 본 발명의 실시의 9 [ 11] 
    태 를 나타내는 도면2
    - 34 -
    라 이 사건 항 명도 행 명 에 하여 는 행 명 5 1, 6 1, 6, 9
    에 하여 진보 이 부 다. 
    마 이 사건 항 명 진보 부 여부 . 6
    이 사건 항 명 이 사건 항 명 종속항 명 다이 6 1 ‘
    드 하부 면과 리드 면 동일한 평면 하며 키지 면 평면, 
    부 일 께 돌출 것 특징 한다’ . 
    그런데 행 명 명 도면에는 다이 드 하부 면과 리드 3 (2504) (250
    면 동일한 평면 하며 몸체 하부 면 트 목한 8) , (2552)
    플 는 리 스 들 포함하여 평면보다 볼 한 태 구 특징이 개(2530, 2540)
    시 어 있다 단번 도 ( [0194], [ 33a]).
    행발명 의 도 발명의 더블 컨벡스 의 다른 실시 의 단면도들3 [ 33a] MLP
    - 35 -
    그리고 행 명 모 도체 키지에 한 명 분야가 공 1, 3, 6
    통 므 통상 자가 연구개 등 해 이들 함께 참작할 , 
    있다 그러므 이 사건 항 명에 부가 한 특징 통상 자. 6 ․
    가 행 명 도체 이스 하면 행 명 도체 키지 하면에 구1 3
    특징과 같이 변경하여 쉽게 도출할 있다. 
    라 이 사건 항 명 행 명 에 하여 진보 이 부 다 6 1, 3, 6 . 
    이 사건 항 명 진보 부 여부 . 7
    이 사건 항 명 이 사건 항 명 종속항 명 키지 7 1 ‘
    면 경사를 이루거나 상 키지 면에 해 직한 것 특징, ’
    한다. 
    그런데 행 명 도면에는 지재료 도체 이스 1 ‘ (30) (10)
    면이 지재료 면에 해 직한 구 이 도시 어 있 므 도 행 명 에’ ([ 1]), 1
    는 이 사건 항 명 특징에 해당하는 내용이 동일하게 개시 어 있7
    다.
    라 이 사건 항 명도 행 명 에 하여 진보 이 부 다 7 1, 6 . 
    사 이 사건 항 명 진보 부 여부 . 8
    이 사건 항 명 리드는 다이 드 양 에 게 것 외에 8 ‘ ’ 
    는 이 사건 항 명과 동일하다1 . 
    그런데 행 명 도면에는 리드 프 임 부분 이 다이ㆍ 들 1 ‘ 1 (12) (20)
    양 에 게 구 이 도시 어 있 므 도 행 명 에는 이 사건 ’ ([ 1]), 1
    항 명 특징에 해당하는 내용이 동일하게 개시 어 있다8 .
    - 36 -
    라 이 사건 항 명도 행 명 에 하여 진보 이 부 다 8 1, 6 . 
    아 이 사건 항 명 진보 부 여부 . 9
    이 사건 항 명 이 사건 항 명 종속항 명 다이 9 8 ‘
    드 일 에 리드는 다이 드 일 간격 이격 도 고 다이 드, 
    다른 일 리드는 다이 드 연결 것 특징 한다’ . 
    그런데 아래 같 행 명 명 도면에 하면 행 명 에는 다이 7 , 7 ‘
    드 일 에 리드 는 다이 드 일 간격 이격도 (206) (224) (206)
    구 업 역 과 리드 가 연결 다이 드 를 개시하고 있어 행’ ‘ (202) (204) (206)’
    명 에는 이 사건 항 명 다이 드 일 에 리드 는 7 9 ‘ (506) (524)
    다이 드 일 간격 이격도 고 다이 드 다른 일 리드(506) , (506)
    는 다이 드 연결 구 에 해당하는 내용이 동일하게 개시 어 있다(504) (506) ’ . 
    [ 7 ]
    시 같 본 에 체 키 는 각 태 [0017] (200)
    에 업 역 과 드 가 연결 다 드(202) (204) (206) 다 드 에 , (206)
    고정 체 다 체 다 에 고(208) (210) , (210) (208)
    정 고 에는 절곡 제 다 역 고 제 다 역1 (212) , 1 
    양 에는 제 다 역 보다 절곡 제 다 역(212) 1 (212) 2 (214)
    브 브 제 다 역 에 고(216) , (216) 1 (212)
    정 고정 가 고 타 에는 업 역 드 가 접촉 , (222) (224)
    트 다 드 체 다 브 접촉 트 가 (226) , (206), (210), (216) (226)
    다 드 접촉 트 에 드 는 , (206) (226) (204)(224)
    돌출 출 는 컴 드 루어져 다 (228) .
    도 본 발명에 의한 반도체 패키지를 도시한 단면도[ 2b] 
    - 37 -
    그리고 행 명 모 도체 키지에 한 명이어 분야가 1, 6, 7
    사하므 통상 자가 연구개 등 해 이들 함께 쉽게 참작, 
    할 있고 행 명 다이ㆍ 들 리드 는 행 명 다이 드, 1 (20) (14) 7 (506) 
    리드 각각 도체 키지에 다이 드 리드라는 에 (504, 524)
    공통 다 라 이 사건 항 명에 부가 한 구 통상 자. 9 ․
    가 행 명 다이ㆍ 들 과 일 간격 이격 도 리드 에 행 명 1 ‘ (20) (14)’
    다이 드 과 연결 리드 를 결합하여 쉽게 도출할 있다7 ‘ (206) (204)’ .
    라 이 사건 항 명 행 명 에 하여 진보 이 부 다 9 1, 6, 7 . 
    자 이 사건 항 명 진보 부 여부 . 10
    이 사건 항 명 이 사건 항 명 종속항 명 리드는 10 1 ‘
    다이 드 일 에만 일 간격 이격 게 고 리드가 지 않 다이 , 
    드 일 상 다이 드가 신장 어 그 일부가 키지 외부 노출 것 특징’
    한다. 
    - 38 -
    그런데 행 명 는 이 동일한 구 추출 극 회 소자 가 5 , “ (11B) (13)
    아일랜드 일 에만 일 간격 이격 게 고 추출 극 이 (11A) , (11B)
    지 않 아일랜드 일 아일랜드 가 신장 어 그 일부가 연 (11A) (11A)
    지 외부 노출 구 개시 단번 도 도 하고 있다(16) ” ( [0011], [ 1A], [ 1B]) .
    그리고 행 명 모 도체 키지에 한 명 분야가 공 1, 5, 6
    통 므 통상 자가 연구개 등 해 이들 함께 쉽게 참작, 
    할 있고 행 명 다이ㆍ 들 리드 는 행 명 회 소자, 1 (20) (14) 5 (13)
    가 아일랜드 추출 극 과 도체 키지에 다이 드 리(11A) (11B)
    드라는 에 공통 다 라 이 사건 항 명 통상 . 10
    자가 행 명 다이 들 리드에 행 명 아일랜드 추출 극1 5 (11A) (11
    특징 구 용하는 계 변경 통해 쉽게 도출할 있는 것이다B) . 
    라 이 사건 항 명도 행 명 에 하여 진보 이 부 다 10 1, 5, 6 . 
    차 이 사건 항 명 진보 부 여부 . 11
    이 사건 항 명 이 사건 항 명 종속항 명 다이 11 1 ‘
    드 상부 면 는 하부 면 어도 어느 하나에 상 도체 칩 는 키, 
    행발명 의 도 [ 5 1A] 행발명 의 도 [ 5 1B]
    - 39 -
    지 착 좋게 하 하여 어도 하나 이상 이 것 특징’
    한다. 
    그런데 행 명 리드프 임 드 면 에 도체 칩 3 “ (210) 2 (212) (230) 
    는 몰 재 착 좋게 하 하여 하나 이상 그루 가 (260) (groove)(213)
    구 개시 단번 도 하고 있다” ( [0089], 6a, 6b) .
    [ 3 ]
    에 시 같 드 드 제 [0089] 6a 6b , (210) 2 (212)
    출 는 과 또는 는 (260a, 260b, 260c 260c')
    수 다 또는 는 에 그루브. (260a, 260b, 260c 260c')
    가 수 다 그루브 는 비 단 조 는 않(groove)(213) . (213) , 
    만 드 드 주 라 게 다 그루브 는 에 나타낸 , (210) . (213) , 6a
    같 원 수 고 또는 에 나타낸 같 수 다 적, , 6b , V . 
    드 드 에 공정에 만드는 경 에는 원 갖게 고(210) , 
    드 드 스탬 공정에 만드는 경 에는 갖게 다 (210) V . 
    그루브 는 습 가 내 과 여야 는 흡습경 연(213)
    시키는 역 수 다 에 그루브 는 드 드 . (213) , (210)
    또는 에 앵커 역 수 여 드 드(260a, 260b, 260c 260c') (anchor)
    또는 가 보다 견고 게 착 다(210) (260a, 260b, 260c 260c') .
    행발명 의 도 [ 3 6a] 행발명 의 도 [ 3 6b] 
    - 40 -
    그리고 행 명 모 도체 키지에 한 명 분야가 공 1, 3, 6
    통 므 통상 자가 연구개 등 해 이들 함께 쉽게 참작, 
    할 있고 행 명 다이ㆍ 들 행 명 리드프 임 드 도, 1 (20) 3 (210)
    체 칩이 장착 고 몰 재에 해 는 구 이라는 에 공통 다. 
    라 이 사건 항 명 통상 자가 행 명 다이 들 행 명 11 1
    그루 가 리드프 임 드 계 변경하여 쉽게 도출할 3 (groove)(213) (210)
    있다.
    라 이 사건 항 명도 행 명 에 하여 진보 이 부 다 11 1, 3, 6 . 
    카 이 사건 항 명 진보 부 여부 . 13
    이 사건 항 명 도체 칩 상부 는 하부 면 어도 하나에 13 ‘
    솔 질 외에는 이 사건 항 명과 동일하다’ 1 . 
    그런데 아래 같 이 사건 특허 명 명 에 하면 솔 질 도체 , ‘ ’
    칩과 다이 드를 부착하는 능 가지는 착 이루어진 이고 주 구리, / / (Sn
    합 주 주 납 합 주 합 는 니 등 /Ag/Cu) , (Sn), / (Sn/Pb) , / (Sn/Ag) (Ni) 
    재료 이루어진 납 태 구 임 알 있다. 
    건 특 [ ]
    다 드 는 는 가 [0040] (230) (230a) (230b)
    그 에 체 실 다 체 들 에폭시 접착제 또는 (210) . (210)
    등 절연 접착제 또는 절연 다 드 (solder) (260) (tape) (230)
    에 착 다 접착제 종 에는 특 제 없다(230a) . (260) .
    본 실시 에 경 체 과 드 가 클 [0051] MLP(300) (210) (240) (255)
    전 적 연결 다 클 같 전 료 루어 다 클. (255) (Cu) . 
    과 체 클 과 드 는 각각 연결(255) (210), (255) (240) (solder)(265)
    - 41 -
    그런데 아래 같 행 명 명 에 하면 행 명 직 회 다 1 , 1 (IC) 
    이 다이 들 사이에 구 납 도 이 사건 항 명 솔 질 과 (24) , 13
    동일하게 직 회 다이 다이 들 합하 한 구 납 착, , , , 
    이프 등 착 재료 이루어진 임 알 있다.
    다 는 들 주 주 주 납. (265) / / (Sn/Ag/Cu) , (Sn), / (Sn/Pb) , 
    주 또는 니 등 포 수 다 웨 에 는 최/ (Sn/Ag) (Ni) . 
    종 단계에 웨 에 물 거나 본 드 물 , 
    다 물 는 는 스 또는 전 . (sputtering) (electropl
    식 수 다ating) .
    [ 1 ]
    전략 다 다 들에 착 는 개 납 다 략 [0003] ( ) · 1 , . ( ).
    집적 다 다 들 에 착 어 고 다 들 공동 동 [0013] 22 , · 20 , · ( )
    내에 고 므 다 복수 드 에 러싸여 다 집적 다 , 22 , 14 . 
    실 웨 어 웨 어 같 당업 라 22 , · , , 
    주 타 것 어 좋다 미 것 같 공동 동 크 다 . , ( ) 16
    수 수 게 고 다 전 적 다 크 는 에 22 . , 4mm×4mm 12mm×12mm
    다 다 약 약 께 갖. 22 , 6 (0.1524mm) 21 (0.5334mm)
    수 다 다 납 에 열 다 다 들 에 수 는 . 22 , 24 22 · 20
    납 다 스 등 주 에 다 들 에 착 어 다 다 실시 · 20 . 
    태 경 에는 다 접착 료 또는 접착 에 다 들 에 착 수 , 22 , · 20
    다.
    그 참조 복수 체 다 다 들 제 각각 [0026] 4D , 88 , · 80 2
    에 착 어 다 그 는 착 어 개 다 나타내는 차 스 다 다. 4D , 1 88 , 
    들에 또 나 다 착 는 스 다 다 에폭시 등 접착제에 다· . 88 , ·
    들 에 착 수 만 아주 알맞게는 납 스트 등 열전 접착 에 80 , , 
    착 어 다 당업 라 수 다고 생각 만 다 그 출 고 는 . , 88 , 
    에 복수 본 드 포 다· .
    - 42 -
    라 이 사건 항 명에 이 사건 항 명에 해 추가 13 1
    구 인 솔 질 행 명 납 과 동일하고 그 외 구 특‘ ’ 1 (24) , 
    행 명 에 개시 구 특징과 동일하다1, 6 . 
    라 이 사건 항 명도 행 명 에 하여 진보 이 부 다 13 1, 6 . 
    타 이 사건 항 명 진보 부 여부 . 14
    이 사건 항 명 이 사건 항 명 종속항 명 솔 14 13 ‘
    질 주 구리 합 주 주 납 합 주/ / (Sn/Ag/Cu) , (Sn), / (Sn/Pb) , / (Sn/Ag) 
    합 니 에 택 어느 하나 이루어진 것 특징 한다(Ni) ’ . 
    그런데 앞 본 같이 행 명 집 회 다이 다이ㆍ 들 1 (IC) (22) (20)
    납 통해 합하는 구 개시하고 있고 행 명 에는 다이 는 납 , 1 “ 22 , 2
    에 해 열 다이 부 다이 들 에 놓 있는 납 다이 프 스 4 22 · 20
    등 주지 법에 다이 들 에 장착 어진다 고 개시 단번 참조 어 · 20 .” ( [0013] )
    있 므 도체 소자 키지 분야에 도체 칩 다이 과 다이 드를 납 , ( )
    등 합하는 것 통상 자에게 주지 용 임 알 있다 그리고 합 . 
    재료 납 통상 주 는 주 과 합 인 연납이나 주(Sn) (Sn) (Ag)
    과 납 합 인 연납 이루어진 것임이 이 사건 특허 명 출원 에 (Sn) (Pb)
    이미 통상 자에게 상식이거나 주지 용 볼 있다. 
    라 이 사건 항 명도 행 명 에 하여 진보 이 부 다 14 1, 6 . 
    이 사건 항 명 진보 부 여부 . 15
    이 사건 항 명 이 사건 항 명 종속항 명 솔 15 13 ‘
    질 웨이퍼 면 상에 스퍼 링 는 도 식 인 것 특징’
    - 43 -
    한다. 
    그러나 행 명 에 집 회 다이가 웨이퍼를 사용하여 조 는 것임 1 (IC) 
    통상 자에게 상식이고 웨이퍼 등 특 체 면상에 솔 질 과 같, 
    속 질 스퍼 링 식 는 도 식 공법 사용하여 하는 것
    이 사건 특허 명 출원 에 통상 자에게 리 알 진 상식 는 주지
    용 볼 있 므 통상 자가 이를 쉽게 채택하여 구 할 있는 것, 
    이다.
    라 이 사건 항 명도 행 명 에 하여 진보 이 부 다 15 1, 6 . 
    하 이 사건 항 명 진보 부 여부 . 16
    이 사건 항 명 이 사건 항 명 종속항 명 리드 16 13 ‘
    면에는 일 이 이 고 상 도 클립 일단 상 내에 부, 
    착 것 특징 한다’ . 
    그러나 아래 같이 행 명 도면에는 릿지 일단이 리드 7 “ (516) (524)
    플 이트 상면에 이닝 에 결합 는 구 이 도시 어 있다(526) (518) ” . 
    행발명 의 도 [ 7 5b]
    - 44 -
    그리고 행 명 리드 행 명 리드프 임인 핀 행 명 1 (14), 6 (208), 7
    리드 는 모 도체 키지에 리드라는 에 공통 고 행(524) , 
    명 이어 행 명 본드 클립 행 명 릿지 는 모 도체 1 (28), 6 , 7 (516)
    키지에 도체 칩과 리드를 합하는 구 이라는 에 
    공통 다 그러므 이 사건 항 명에 부가 한 구 통상 자가 . 16 ․
    행 명 이어 행 명 본드 클립 계변경 시 이어 합1 (18) 6
    고 높이 해 행 명 리드 면 행 명 리드 면에 ( ) 1 7
    이닝 과 같이 일 이 이 고 본드 클립 일단이 그 내(518) , 
    에 부착 는 구 계 변경하여 도출할 있는 것 볼 있다. 
    라 이 사건 항 명도 행 명 에 하여 진보 이 부 다 16 1, 6, 7 . 
    거 소결 . 
    이 사건 에 에 항 명 통상 자가 행 명 1, 2, 4 11, 13 16 1, 
    에 하여 쉽게 명할 있 므 진보 이 부 어 그 특허등 이 3, 5, 6, 7, 9
    효 어야 한다 이 결 이 같 이 사건 심결 당하다. .
    결4. 
    이 사건 심결 취소를 구하는 원고 청구는 이 없 므 이를 각한다 .

    재 장 사 이 근
    - 45 -
    사 임경
    사 재필
    - 46 -
    별지 [ 1]
    행 명 1
    명 명칭 이 게이지ㆍ리드 프 임: 
    술 야 
    본 집적 키징 집적 에 것 특히 키징 집 [0001] , , 
    적 드 에 것 다.
    경 술 
    집적 다 는 실 ㆍ웨 등 체 웨 [0002] (IC) , 
    스다 드 웨 어 다 포트 는 들 포. , , IC
    는 다 드 전 연결 는 드ㆍ 거 갖는. , 
    다 다 는 다 ㆍ 들에 착 어 고 다 에 다 본 ㆍ 드가 에 전 . , , , , 
    연결 어ㆍ본 드ㆍ 거에 접 다 보 료에 다, . 
    어ㆍ본드 키 가 다 키 타 에 라 는 에 전, . · , 
    연결 는 슬 키 같 그 수 고 또는 볼 그 드, (TSOP) , · ·
    어 볼 착 는 것에 처 수 다 단 점에 (BGA) . 
    다 트 같 다 에 전 적 접 수 는다, .
    드 또는 니 다 다 다 ㆍ [0003] , , . 
    들에 착 는 개 납 다 고출 스는 단히 고 납 다 1 , . , 
    약 스 역 약 다 그러나 고 에 어 는 드 ( 300 ) · ( 260 ) . , , 
    열 고 열 에 어ㆍ본 ㆍ 스가 는 보다 게 , , 
    어 접 야 적 납 럭스 염에 , , 
    는다 게다가 열 쉽게 는 고출 스 경 는 . , , , 
    다 ㆍ 들 람 다 그러나 단히 어 는 드 . , 
    또는 압제 에 각각 드 에 절단 는 것 어 고 신 낮다( ) , .
    결 고 는 과제 
    열 게다가 각각 드 절단 는 것 쉬 드 [0004] , 
    제공 는 것 람 것 다 게다가 결 생 않 고 스에 다 다. , 
    ㆍ 들에 착 는 것 람 다.
    실시 최 태 
    - 47 -
    참조 그 본 에 체 스 [0011] 1 , , (device)(10)
    실시 태 단 다 체 스 는 공동 동 러싸는 . (device)(10) , ( ) (16)
    복수 드 갖는 제 드 포 다 제 드 (14) 1 (12) . 1
    아주 알맞게는 또는 에 어 제 정 께 갖는다(12) , , , 1 . 
    제 드 제 드 에 착 어 다 제 드 2 (18) , 1 (12) . 2
    제 드 공동 동 내 에 수 어 는 다(18) , 1 ( ) (16) ( )內
    ㆍ 들 갖춘다 공동 동 는 키징 고 는 다 크 에 (20) . ( ) (16) , IC 
    크 갖는다 그 문에 적 공동 동 는 각 또는 정. , , ( ) (16) , 
    태 고 만 집적 다 에 라 다 수 다, . 
    제 드 아주 알맞게는 제 께 는 다 제 께 갖는다2 (18) , , 1 2 . 
    들 량 열 생 는 전원 경 에는 제 드 히, , 2 (18)
    트 싱크 수 다 그러 경 에는 아주 알맞게는 제 께는 제 께보. , , 2 1
    다 껍다 람 실시 태 경 에는 제 께는 제 께 약 절 또는 . , 1 , 2
    그 다 어 경 에는 제 약 제 께 갖고. , 1 8 (0.2032 ) 1 , ㎜
    제 께가 약 드 제조 다 께 제 2 20 (0.508 ) . , 1㎜
    드 쉽게 각각 드 수 고 동시에 제 드 , , 2
    적 열 수 다. 
    제 제 드 아주 알맞게는 같 [0012] 1 2 [(12) (18)] , , 
    또는 어 는 실시 태 경 에는 제 드 , , 2
    도 본 발명의 일실시 태에 의한 패키지 반도체 바이스[ 1] (wound package)
    의 확 단면도(device)
    - 48 -
    께 슬래그 갖춘다 드 (18) , 20 (0.508 ) . [(12) ㎜
    당업 라 주 같 스 가공 뽑 가공 또는 에 가공에 (18)] , , 
    수 다 제 드 에 게 게 접착 등 . 2 (18) , , 
    접착 에 제 드 에 착 어 다 아주 알맞게는 착 어졌 1 (12) . , 
    경 라 양 는 전 적 절연 태다 러 전 적 절연 본 , . , 
    특징 특히 티 다 어 블 경 에는 특징 다, · · .
    집적 다 는 다 ㆍ 들 에 착 어 고 다 ㆍ 들 공동 동 [0013] (22) , (20) , (
    내에 고 므 다 는 복수 드 에 러싸여 다 집적 ) , (22) , (14) . 
    다 는 실 웨 어 웨 어 같 당(22) , · , , 
    업 라 주 타 것 어 좋다 미 것 같 공동 동 크 . , ( )(16)
    다 수 수 게 고 다 전 적 다 크 는 에 (22) . , 4 × 4 12㎜ ㎜ ㎜ 
    다 다 는 약 약 께× 12 . (22) , 6 (0.1524 ) 21 (0.5334 )㎜ ㎜ ㎜
    가 수 다 다 는 납 에 열 다 다 ㆍ 들 에 . (22) , (24) (22) (20)
    수 는 납 다 스 등 주 다 ㆍ 들 에 착 다 다 실(20) . 
    시 태 경 에는 다 는 접착 료 또는 접착 에 다 ㆍ 들 에 , (22) , (20)
    착 수 다.
    다 는 복수 다 본 드 포 다 다 본 드 가 [0014] (22) , (26) . (26) 
    가 는 아주 알맞게는 어ㆍ본 스에 어 에 드 가 , , · , (28) (14) 
    는 개 드에 전 적 접 고 다 당업 라 러 어 어. 
    ㆍ본 스는 주 실시 태 경 에는 어가 · , 2 (0.0508 )㎜
    어 실시 태 경 에는 알루미늄 어가 다 그러나, , 10 (0.254 ) · . , ㎜
    었다 절연 었다 어 않고 는 어 포 는 여러 종 ( ) 
    료 경 가 가 주 어 수 다.
    체 스 는 적어 드 제 드 [0015] (device)(10) , (14) 2
    출시킨 태에 집적 다 정 어 (18) , (22) , (28) 
    드 정 는 료 포 다 드 출 고 는 (14) (30) . (14)
    스 들 다 스에 접 , (10) , PCB
    어 다 ㆍ 들 출 고 는 에 거 에 열 수 다, (20) , . 
    료 는 키징 전 스 는 것 같 라스틱 포 수 고(30) , , 
    스에 드 과 다 어 , [(12) (18)] , (22) , (28) 
    다 전 적 실시 태 스 전체 께는 약 다. (10) 2 .㎜
    - 49 -
    참조 복수 체 다 가 다 ㆍ 들 제 각각 [0026] 4D , (88) , (80) 2 
    에 착 어 다 는 착 어 개 다 나타내는 차 스 다 다. 4D , 1 (88) . , 
    ㆍ 들에 또 나 다 착 는 스 다 다 는 에폭시 등 접착제에 다. (88) , 
    ㆍ 들 에 착 수 만 아주 알맞게는 납 스트 등 열전 접착 에(80) , , 
    착 어 다 당업 라 수 다고 생각 만 다 는 그 출 고 는 . , (88) , 
    에 복수 본 드 포 다· .
    - 50 -
    별지 [ 2]
    행 명 3
    명 명칭 향상 신뢰 높 열 출 능 갖는 몰 드 리드리스 키: 
    지 소잉 몰 드 리드리스 키지 그 조 법
    는 술 야 그 야 종래 술 
    본 체 키 에 것 특히 신 열 출 [0002] , 
    능 갖는 드 드 스 키 (Molded Leadless Package, MLP)
    그것 제조 에 것 다 나아가 본 스탬MLP . /
    에 싱큘 트 그 제조 에 (stamping/punching) (sawing) MLP 
    것 다.
    참조 종래 는 체 착 는 드 [0005] 1 , MLP(110) , (111)
    드 키 에 출 는 조 갖는다(112) (113) (114) . 
    에 드 키 다 에 출 다 체(115) (113) (116) . 
    과 드 는 어 에 전 적 연결 다(111) (115) (117) .
    는 종래 다 나타내 보 단 에 [0006] 1b MLP , MLP
    들 미 특 등 제 에 개시 어 다6,437,429 .
    참조 종래 는 다 키 다 [0007] 1b , MLP(120) , (die)(121), (122), 
    드 드 포 여 다 다 는 (123) (124) . (121) , (121a) 
    갖는다 드 과 절단 가(121b) . (124) (124a) , (124b) (124c)
    도 종래의 몰 드 리드리스 패키지 의 일 를 나타내 보인 단면도[ 1a] (MLP)
    - 51 -
    드 는 탈 드 정 다 탈, (124) (124b) . 
    드는 키 출 전 적 연결 여 (122) , MLP(120)
    키 동 에 다 다 드 접착제 에 다(122) . (123) (126)
    과 착 그 키 출 다 다(121) (121b) , (122) . 
    드 는 어 에 전 적 연결 다(121) (124) (125) .
    참조 여 같 조 갖는 종래 들 [0008] 1a 1b MLP
    드 드 다 드 출( 1a 112) ( 1b 122)
    어 어 각각 체 다 에 생 는 열 적( 1a 111) ( 1b 121)
    출시킬 수 다는 점 제공 다.
    그러나 같 점에 고 종래 는 다 과 같 신 어 [0009] MLP
    다는 단점 갖는다 드 드 다 드 출 키. (1120) (122)
    과 동 에 는 조 가 므 열적스트 스에 취(113 122) , 
    약 다 체적 보드에 수 는 공정 략 . , MLP
    고 에 수 다 고 태에 드 드 다 드 240 260 . (112) (122)
    전 출 어 게 에 라 드 드 다 드, (112) (123)
    출 적에 비 는 열적스트 스가 생 다 에 내 흡습경 . MLP
    연 가 않 경 드 드 드, 1a (112) (115) 
    단차가 커 드 드 께 가시키는 계가 는 는 드(112) , 
    드 께가 클 경 드 는 않게 문 다(112) (115) .
    체 키 는 체 또는 다 드 키 [0010] , (die), 
    포 여 다 체 키 에 체 드 다(package body) . 
    도 종래의 몰 드 리드리스 패키지의 다른 를 나타내 보인 단면도[ 1b] 
    - 52 -
    드 에 착 드 드 는 어에 여 전 적(die pad) , 
    연결 다 드는 어가 연결 는 내 드 체 키 접. (inner lead)
    단 역 는 드 다 내 드는 적 (outer lead) . 
    키 에 여 전히 는 여 드는 그 전체 키 , 
    출 거나 드 가 출 다 같 드 . 
    가 키 출 는 체 키 라고 다MLP .
    그 고 체 키 는 그 제조 공정에 라 타 키 [0011] , 
    타 키 다 타 키 는 체 탑 드 (punch) . 
    다수 나 블 드 다 내에 같 다 공정(block mold die) 
    키 드 절단 여 개 제조 는 키 말
    다 타 키 는 체 탑 드 각각 개 드 다. , 
    내에 개 적 다 등 각 드 (individual mold die) , 
    시 제조 는 키 말 다.
    종래 타 에 는 등에 전술 미 [0012] MLP Chun-Jen Su 
    등 특 제 에 개6,437,429 , "SEMICONDUCTOE PACKAGE WITH METAL PADS"
    시 어 에는 미 등 특 에 개시 어 는 에 단, 15a MLP
    가 시 어 다 그 고 에는 저 가 시 어 다. , 15b MLP .
    참조 종래 타 는 체 [0013] 15a 15b , MLP(1100) , 
    또는 다 키 다 드 드 포 여 (1110), (1120), (1130) (1140)
    도 종래의 몰 드 리드리스 패키지의 일 를 나타내 보인 단면도[ 15a] 
    - 53 -
    다 다 는 과 갖는다 드 . (1110) (1110a) (1110b) . (1140)
    절단 가 드 (1140a), (1140b) (1140c) , (1140)
    전 또는 는 키 출 어 드(1140b) (1120) (metal pad)
    다 드는 전 적 연결 여 키 . MLP(1100)
    과 동 에 다 그 고 다 드 는 (1120) (1120a) . , (1110) (1140)
    어 에 여 전 적 연결 다 다 드 접착제(1150) . (1130) (1130a)
    에 다 과 착 다(1160) (1110) (1110b) .
    타 키 는 그 제조 공정 특 다 과 같 특징 가 다 [0014] . , 
    다 드 키 출 어 키 (1130) (1130b) (1120) 
    드 과 동 게 다(1120) (1120a) (1140) (1140c) . 
    냐 타 키 는 드 수 가 드 흘러 들, (1140) (1140b)
    어가는 수 다 드 드 에 커 (1130) (1140)
    착 태 공정 문 다 또 타 키 는 공정 . , 
    여 개 문에 키 드 절단 MLP , (1120) (1140)
    과 께 동 절단 다(1140c) .
    에는 시스 보 에 가 실 어 는 조물 에 는 [0015] 16 MLP(1100) ( , 
    시스 보 에 가 실 어 는 조물 시스 키 라 다 에 (10) MLP(1100) " " )
    개략적 단 가 시 어 다 참조 시스 보 에는 연결 . 16 , (10)
    드 연결 드 전 적 연결 라(12) (12) (circuit line, 
    어 다 연결 드 라 동 전 컨 14) . (12) (14)
    등 적 동 께 가 다 그 고 드 연결 . , MLP(100) (140)
    드 가 조 트 여 접 어 연결 시스 (12) (solder joint, 16)
    보 에 가 탑 다(10) MLP(1100) .
    종래 술에 조 트 시스 보 에 접 [0016] (16) MLP(1100) (10) 
    시킬 가 는 압 생 는 열에 여 조 트 가 약간 동 , (16)
    가 수가 다 조 트 가 동 띠게 흐 수가 문에 . (16)
    조 트 충 히 보 수가 없다 조 트 가 컨(16) (h1) . (16) (h1)
    과 같 충 게 보 않 시스 보 에 탑30 , (10) MLP(1100)㎛ 
    경 에 다 드 과 시스 보 라 간, (1130) (1130b) (10) (14) 
    격 무 좁 문에 키 신 보 수가 없다 그 고 심 경 에는 다 . , 
    드 시스 보 라 접촉 게 어 단락 염 가 (1130) (10) (14)
    - 54 -
    다 뿐만 아니라 조 트 가 낮 조 트 체가 열적 스트. , (16) (h1) , (16) 
    스나 계적 스트 스에 취약 문에 시스 키 신 어뜨 다.
    그 고 시스 보 에 탑 는 과정에 조 트 [0017] , MLP(1100) (10) 
    가 동 가 게 나 어짐(16) , MLP(1100) (collapse) (tilt) 
    생 염 가 다 생 드 가 연결 드. MLP(1100) (1140) (12)
    접 접촉 염 가 고 어짐 생 시스 키 신, MLP(1100)
    어뜨 는 문제점 다.
    루고 는 술적 과제 
    본 루고 는 술적 과제는 드 드가 출 는 [0018] , 
    조 경 신 열 출 능 갖는 제공 는 것 다MLP .
    본 루고 는 다 술적 과제는 동 크 에 여 수 또 [0019] , 
    는 드 수 가시킬 수 는 블 컨 스 제공 는 다MLP .
    본 루고 는 또 다 술적 과제는 내 드들 드들 [0020] , 
    에 단락 수 는 블 컨 스 제공 는 다(Short) MLP .
    본 루고 는 또 다 술적 과제는 컨 스 조절 [0021] , 
    조 트 신 시킬 수 는 블 컨 스 제공 는 다MLP .
    본 루고 는 또 다 술적 과제는 보드 과 출 [0022] , 
    드 에 전 적 단락 수 는 블 컨 스 제공 는 다MLP .
    본 루고 는 또 다 술적 과제는 보드 에 키 착 [0023] , 
    도 도 의 몰 드 리드리스 패키지가 시스템 보더 상에 실장 어 있는 것 나[ 16] 15a
    타내 보인 단면도
    - 55 -
    블 컨 스에 존 여 전 않 업 시킬 수 
    는 블 컨 스 제공 는 다MLP .

    참조 는 제 제 갖는 드 [0067] 3a , 1 (211) 2 (212)
    드 제 에 체 착 다 드 드 (210) 1 (211) (230) . (210)
    체 착 에는 접착제 컨 가 다 드(230) , (solder)(220) . 
    드 제 에 출 다 제(210) 2 (212) (260a) . 2 
    가 출 는 것 아니 제 만 출 다 드(212) , 2 (212) . 
    드 제 는 는 는 (210) 2 (212) (260a) (260a) 
    출 다 드 드 제 출 는 에 시 . (210) 2 (212) 2a
    같 원 다 드 또 만 출 다. (240a) (241a) (260a) . 
    내에 드 는 어 에 체 과 전 적 연결(260a) (240a) (250) (230)
    다 는 드 드 제 드 . (260a) (210) 2 (212) (240a)
    제 나 러싼다(241a) (242a) .
    드 드 제 출시키는 [0068] (210) 2 (212) (260a)
    과 드 드 제 동 에 않고 단차 갖는(261a) (210) 2 (212)
    다 드 드 제 과 정 간격. (210) 2 (212) (260a) (261a)
    격 다 간격 략 다 같 (d) . (d) 0.12 0.15 . (260a)㎜
    드 드 제 격 그 격거 만큼 (261a) (210) 2 (212) (d)
    흡습경 가 연 게 다 또 드 드 본래 적과는 무 게 출. (210)
    적 조절 가 라 보드에 고 수 라 열, 
    도 도 의 몰 드 리드리스 패키지의 단면구조 다른 를 나타내 보인 단면도[ 3a] 2
    - 56 -
    적 스트 스 최 억제시킬 수 다.
    비스듬 게 경 갖는 조 루어 다 는 [0069] (260a) (263a) . 
    는 드 는 경 다 경 (260a) (punched type) . 
    드 단 는 략 만큼 돌출 다 드 는 (240a) (260a) 0.08-0.15 . (240a)㎜
    내에 드 드 러 다 같 (260a) (210) . 
    러 갖는 드 는 스탬 공정에 만들어 다(240a) (stamping) .
    참조 본 실시 에 는 조 [0075] 3d , MLP (260b) (263b) 
    제 고는 동 다 라 동 에 복 생략3c MLP . 
    고 다 에 만 다 수. (260b) (263b)
    수 조 루어 다 경 는 드. 3c (260a)
    결과 비스듬 게 경 갖는 조가 만들어 에 본 실시 경 블, 
    드 같 절단수단 절단 는 (blade) (260b) (263b)
    는 결과 수 수 조가 만들어 다 경 에는 드 단. (240b)
    가 돌출 않는다(260b) .
    에 시 같 드 드 제 [0089] 6a 6b , (210) 2 (212)
    출 는 과 또는 는 (260a, 260b, 260c 260c')
    수 다 또는 는 에 그루브. (260a, 260b, 260c 260c')
    가 수 다 그루브 는 비 단 조 는 않(groove)(213) . (213) , 
    만 드 드 주 라 게 다 그루브 는 에 나타낸 , (210) . (213) , 6a
    같 원 수 고 또는 에 나타낸 같 수 다 적, , 6b , V . 
    드 드 에 공정에 만드는 경 에는 원 갖게 고(210) , 
    도 도 의 몰 드 리드리스 패키지의 단면구조 다른 를 나타내 보인 단면도[ 3d] 2
    - 57 -
    드 드 스탬 공정에 만드는 경 에는 갖게 다 (210) V . 
    그루브 는 습 가 내 과 여야 는 흡습경 연(213)
    시키는 역 수 다 에 그루브 는 드 드 . (213) , (210)
    또는 에 앵커 역 수 여 드 드(260a, 260b, 260c 260c') (anchor)
    또는 가 보다 견고 게 착 다(210) (260a, 260b, 260c 260c') . 
    참조 본 실시 에 들에 어 [0103] 8e 8f , MLP , (660c)
    조 제 나 들 각각 동 다 라 8a 8c MLP . 
    동 에 복 생략 고 다 에 만 
    다 본 실시 들에 는 제 제. MLP (660c) 1 (661c) 2 
    갖는 제 드 드(662c) , 2 (662c) (640a) (641a) 
    드 출 돌출 는 돌출 에 드 (610) (664c) (640a)
    드 드 출 과 동 에 않는다 돌출(641a) (610) . 
    는 미 시 과 착 조 트 미 시 신 시킨다(664c) ( ) ( ) .
    도 도 의 몰 드 리드리스 패키지의 단면구조 다른 를 나타내 보인 단면도[ 8e] 7
    도 본 발명에 른 몰 드 리드리스 패키지에 사용 는 리드프 임 패드의 일 [ 6a, 6b] 
    들 나타내 보인 단면도
    - 58 -
    참조 본 실시 에 들에 어 드 조 제 [0105] 8g , MLP , (640c)
    나 들 동 다 라 동 에 복8e 8f MLP . 
    생략 고 다 에 만 다 본 실시 들에 . 
    드 는 가 가 특히 드 드 과 MLP (640c) , (610)
    동 에 다.
    저 에 시 같 본 에 는 보드 에 착 는 [0109] 9c , MLP (710)
    착 에 루어 다 보드 에 드 , (720, 730) . (710) (640c)
    출 에 착 다 또 보드 에 드 드(720) . (710)
    출 에 착 다 경 돌출(610) (730) . (660c) (664c) 
    과 드 드 제 단차 가 에 라 충 (662c) (610) 2 (612) , 
    공간 므 많 양 가 공 라 에 드(730) (730) (640c)
    착시키는 에 주 않는다 다 에 에 시 같 보드(720) . 9d , 
    도 도 의 몰 드 리드리스 패키지의 단면구조 다른 를 나타내 보인 단면[ 8f, 8g] 7
    도들
    도 도 의 몰 드 리드리스 패키지의 용 들 명하 하여 나타내 보[ 9c, 9d] 8a
    인 단면도들
    - 59 -
    드 만 여 착시키고 보드 드 드(710) (640c) (720) , (710) (610)
    는 착시키 않 수 다 경 에는 보드 과 드 드. (710) (610)
    제 출 에는 정 공간 다 는 보드2 (612) (740) . (710)
    에 는 경 경 에 공간 에 (711) , (740)
    시키는 경 전 적 숏 원 않게 생 수 문 다(short) .
    내 에는 본 또 다 실시 에 드 드 [0171] 22 22d
    스 키 나타내 보 단 가 각각 시 어 다 여 는 미. , 22a 22b
    등 특 제 에 개시 것과 같 다 드 드 6,143,981 , (1530a) (1540a)
    가 에 식각 않 경 에 - (half-etch) , 22c 
    는 미 등 특 제 에 개시 것과 같 다 드 드22d 6,437,429 , (1530b)
    가 가 식각 경 다 내 에 참조 (1540b) - (half-etched) . 22a 22d
    체 접착제 각각 나타낸다 본 드 1510 1560 . , 
    가 에 식각 어 는 여 에 없 적(1530, 1540) -
    가능 것 전술 실시 들 경 에 동 게 적 다, .
    내 참조 본 실시 에 내 [0172] 22a 22d , MLP(1500a 
    는 단락 내 제 나 들 전술 1500d) (1525a 1525d)
    실시 에 동 다 라 동 에 복 MLP(1200) . , 
    생략 고 다 에 만 다, .
    본 실시 에 내 경 에 전술 실시 [0173] MLP(1500a 1500d)
    찬가 단락 내 가 다 드 에 (1525a 1525d) (1530)
    도 본 발명의 실시 에 른 몰 드 리드리스 패키지의일 를 나타내 보인 [ 22d] 4 
    단면도
    - 60 -
    어 다 본 실시 에 내 는 전술 실시 . , MLP(1500a 1500d) , 
    같 다 드 정 스가 어 채 어 (1530)
    고 그 고 그 채 에 다 드 과 같 조물 채 러, (1530)
    같 것 매 어 는 조는 아니다 그러나 본 실시 에 단락 (1228) . , 
    내 는 전술 실시 찬가 키 물 과 (1525a 1525d) (1520) 
    동 물 다 냐 본 실시 에 단락 내 . , (1525a 
    는 전술 실시 찬가 공정에 키 동시에 1525d) (1520)
    수 문 다.
    그 고 본 실시 에 는 단락 내 양에는 특 [0174] , (1525a 1525d)
    제 없다 단락 내 는 다 드 . , (1525a 1525d) (1530)
    전 수 고 참조 또는 다 드 ( 22a 22c ), (1530)
    수 다 참조 그러나 본 실시 에 다 ( 22b 22d ). , , 
    드 또는 에 등 채 않 문에 단락 (1530a 1530b) , 
    내 가 적어 다 드 또는 드(1525a 1525d) (1530a 1530b) (1540a, 1540b) 
    공간 갭 채 는 키 과 연결 어 다(gap) (1520) .
    참조 본 블 컨 스 나 실시 [0185] 28 , (double convex) MLP
    가 보여 다 는 적 다 드 갖는 드 내 . MLP(2000) (2004) (2002), 
    드들 드들 포 다 물 는 체 는 (2006) (2008) . MLP (2010)
    드 다 드 내 드들 드들 각 (2002), (2004), (2006) (2008)
    러싼다.
    보다 체적 내 참조 단 들 [0186] , 29a 29c , MLP(2000)
    도 도 의 의 단면도[ 29a] 28 MLP
    - 61 -
    각 라 라 보여 다 집적 다 또는 다 드A-A, B-B, C-C . (2020)
    제 또는 에 들어 같 접착제 에 열적 전(2004) 1 (2021)
    적 전 식 착 다 다 는 다 드 에 착 제 고는 . (2020) (2004)
    체 내에 러싸 다 본드 어 가 내 드들 각 (2010) . (2050) (2006, 2008)
    다 에 전 적 연결시킨다(2020) .
    체 닥 또는 볼 블 컨 스 [0187] (2010) (2222)
    태 갖는다 특히 트 또는 (double convex) . , (2222)
    스 들 포 다 트 스 들 내 드들 에 (2230, 2240) . / (2230) (2006)
    당 다 트 스 들 드들 에 당 다 각 트 , / (2240) (2008) . 
    스 들 키 체 또는 닥 / (2230, 2240) (2010) (2222)
    정 거 또는 다 각 드들 닥 는 각 당. (2006, 2008)
    는 스들 내에 경에 출 다 언 스들/ (2230, 2240) . , /
    내에 드들 닥 들 체 는 (2230, 2240) (2006, 2008) (2010)
    물 에 히 않고 출 다.
    들 스들 드들 가 착 [0188] / (2230, 2240) (2006, 2008) MLP(2000)
    보드 시 않 또는 그 정 거 만큼 어 수 다( ) / . 
    라 에 보여 는 같 들 스들 37 , / (2230, 2240) MLP(2000)
    드들 보드에 전 적 연결 는 조 트들 원 는 (2006, 2008)
    또는 최 갖는 것 보 들 조 트들 접착 계
    적 강 신 시 다, MLP(2000) .
    도 도 의 의 단면도[ 29c] 28 MLP
    - 62 -
    내 는 경 에 갖는 [0189] 29a 29c MLP(2000) / (2244)
    키 다 드들 체 (punched-type) . (2008) (2010) (2244)
    정 거 만큼 연 다.
    닥 다 드 참조 없 다 [0190] MLP(2000) (2004) ( ), 
    가 착 출시키는 앙 스 포 다(2020) (2250) . 
    앙 스 는 다 드 키 체 또는 닥 (2250) (2004) (2010)
    정 거 만큼 격 고 그 여 가 착 는 보드 , MLP(2000) (
    그 정 거 만큼 격 는 것 보 다 라 다 드37 3000) . 
    가 보드 또는 전체 접촉 또는 전(2004) (3000) (3002) /
    적 단락 가능 저히 감 다.
    내 에 보여 드 과 다 또는 [0191] 30 29a 29c /
    드들 갖는 보여 다 보다 체적 는 MLP(2000) . MLP(2000)
    드들 랫들 갖 라 키 체 는 (2256) (2258) , (2010)
    들 포 게 다(2260) .
    내 는 본 블 컨 스 또다 실시 보여 [0193] 33a 33c MLP
    다 블 컨 스 는 적 다 드 내 드들 . MLP(2500) (2504), (2506) 
    드들 갖는 드 포 다 물 체 드 (2508) . MLP (2510)
    다 드 내 드들 각 러싼다 집적 , (2504), (2506, 2508) . 
    다 또는 다 드 제 또는 에 들어 접착 (2520) (2504) 1 , 
    같 열적 전적 식 착 다 접착 는 다 드 내 - . (2522) (2504)
    도 도 의 의 실시 의 단면도[ 30] 29 MLP 2 
    - 63 -
    드들 연 다 다 는 다 드 에 착 는 (2506) . (2520) (2504)
    제 고 체 내에 러싸 다 본드 어 가 내 드들(2510) . (2550) (2506, 
    각 다 에 전 적 연결시킨다 다 드 에 착 는 다 또2508) (2520) . (2504)
    는 접착 에 비 여 게 시 만 에 보여 는 (2520) (2522) , 33d
    같 다 또는 접착 에 는 크 가 수 다(2520) (2522) .
    체 닥 또는 여 전술 [0194] (2510) (2552) MLP(2000)
    같 볼 블 컨 스 태 갖는다는 점에 (double convex) MLP(2000)
    다 특히 트 또는 스 들. , (2552) (2530, 2540)
    포 다 트 스 들 내 드들 에 당 다 트. / (2530) (2006) , 
    스 들 드들 에 당 다 각 트 스/ (2540) (2008) . / (2530, 
    들 키 체 또는 닥 정 거 또는 2540) (2510) (2552)
    다 각 드들 닥 는 각 당 는 스들. (2506, 2508) /
    내에 경에 출 다 언 스들 내에 (2530, 2540) . , / (2530, 2540) 
    드들 닥 들 체 는 물 에 히 않(2506, 2508) (2510)
    고 출 다.
    들 스들 드들 가 착 [0195] / (2530, 2240) (2506, 2508) MLP(2500)
    보드 또는 그 정 거 만큼 어 수 다( 37 3000) / . 
    라 들 스들 드들 보드, / (2530, 2540) MLP(2500) (2506, 2508)
    에 전 적 연결 는 조 트 들 원 는 또는 최(3000) ( 37 3004)
    도 발명의 더블 컨벡스 의 다른 실시 의 단면도들[ 33a] MLP
    - 64 -
    갖는 것 보 들 조 트들 접착 계적 (3004)
    강 신 시 다, MLP(2000) .
    닥 다 드 참조 없 다 [0197] MLP(2500) (2504) ( ), 
    가 착 출시키는 앙 스 포 다(2520) (2560) . 
    앙 스 는 다 드 키 체 또는 닥 (2560) (2504) (2510)
    정 거 만큼 격 고 그 여 가 착 는 보(2552) , MLP(2500)
    드 시 않 그 정 거 만큼 격 는 것 보 다 라 다 ( ) . 
    드 가 보드 또는 전체 접촉 또는 전 적 단(2504) /
    락 가능 저히 감 다.
    과 
    본 에 블 컨 스 각 실시 들 주어 키 크 에 [0201] MLP
    여 블 컨 스 조 갖 않는 종래 키 에 비 여 또는 드 수가 가MLP 
    다는 것 알 수 다 들어 키 크 또는 스퀘어 수 갖는 블 . , 7 ㎜ 
    컨 스 조 갖 않는 종래 는 드 에 드 가 는 것MLP 0.5 48 /㎜
    에 비 여 본 블 컨 스 는 드 에 최 드 , MLP 0.5 80 /㎜
    수 가 에 갖는다, 0.65 68 .㎜ 
    - 65 -
    별지 [ 3]
    행 명 5
    명 명칭 회 장 그 조 법: 
    는 술 야 
    본 그 제조 에 고 특히 에 [0001] , , 
    전 전 출시키는 그 제조 에 .
    종래 술 
    종래에 어 는 휴 전 휴 컴퓨 등에 채 [0002] , , 
    문 경량 가 고 다 러 충족시키 개 , , , . 
    나 들 에 내보 는 것 같 가 다 들, 11 (
    특 문헌 참조, 1 ).
    에 전 적 복수개 전 전 [0003] 100 , 109
    과 전 전 고착 과 체 104 , 104 106 , 106
    전 전 전 적 접 는 과 전 전 A 104B 108 , 104
    출시 전 전 는 절연 수 과104, 106 109
    어 다. 
    술 것 같 라믹 등 [0004] , 100 , 
    어 다 라 경량 슬 물건 루어져 . . 100 ·
    었다. 
    결 고 는 과제 
    본 앞 말 문제점에 비추어 보아 져 본 주 적 전 [0007] , , 
    전 에 출 는 것 실 과 접 , 
    는 납 좋고 나 정 시각적 수 는 그 제조
    제공 는 것에 다.
    실시 태 
    는 제 실시 태 그 참조 고 본 [0010] ( 10 1 ) 1 , 
    는 아 랜드 아 랜드 에 근접 추출 전극 10A , 11A 11A 11B
    적어 는 전 전 과 아 랜드 에 고착 과 전 전11 , 11A 13 , 
    - 66 -
    체에 는 절연 수 갖추고 절연 수 11 16 , 16
    보다 안 에 쑥 들어간 갖는 전 전 출시키는 15 11
    어 다 러 각 에 다 그 . . 1(A) 10A
    단 그 그 에 본 그 , 1(B) 1(A) A-A” 10A , 
    납 태 단 다1(C) 16 10A . 
    그 그 참조 고 아 랜드 추출 전극 [0011] 1(A) 1(B) , 11A 11B
    는 전 전 등 다 여 에 는 11 , . , 13
    는 개 아 랜드 과 전 적 접1 11A , 14 13
    는 개 추출 전극 가 고 다 또 전 전 단 그 2 11B . , 11 , 
    가 보다 크게 어 가 에 어내는 고 다 라 전 전, . , 
    어낸 에 절연 수 돌아 들어가므 전 전 11 16 , 11
    절연 수 에 체에 어 는다 또 전 전 16 . , 11
    절연 수 출 고 다 또 전 전 에는, 16 . , 11 , Ag
    등 어 좋다12 . 
    절연 수 루어 는 에 출 [0012] 15 , 16
    전 전 쑥 들어가게 는 것에 고 다 여 에 는 주 11 . , 
    전 전 에 단차 는 것 고 다 라11 , 15 . , 
    단 에 는 에는 전 전 출 고 다15 , 11 .
    어 트랜 스 채 어 아 랜드 에 납 [0013] 13 , ( ) , 11A 
    등 납 고 다 또 트랜 스 채 는 것 가능. , 
    도 본 발명의 회로 장치를 명하 [ 1A] 
    한 단면도(A)
    도 본 발명의 회로 장치를 명하 [ 1B] 
    한 평면도(B)
    - 67 -
    저 커 시 다 드 등 채 수 다 , ( ) , , 13 . I
    채 수 다 경 는 앙 에 C 13 . , 10A IC
    어 러싸게 복수개 추출 전극 가 다, IC 11B . 
    절연 수 는 열가 수 또는 열경 수 채 수 [0014] 16 , 
    다.
    - 68 -
    별지 [ 4]
    행 명 6
    명 명칭 스탬핑 가공 이용하여 는 상 가지는 도체 소자 : 
    키지
    술 야 
    출원 조 본 특 출원 든 점에 참조 어 그 내 전체 [0001] ( ) , 
    본 에 집어 수 는 출원 미 특 가출원 제 주, , 61/042,602
    다. 
    경 술 
    그 는 다 드 다 역 전 전 접착 료 [0006] 1D , 104 104b 
    나타내고 다 전 전 접착 료는 태 착 무 110 . , ( ) 溶着
    포 고 어 없다 또 신 전 전 접착 료는 제 등 결 제 . , , 
    에 납 태에 착 납 스트 고 어 ( ) , 溶着
    좋다.
    여 종래 제조 흐 체 키 [0011] , 
    충 만 가 결점 들 수 다 체적 는 그 가 킨 적 에 , . , 1C
    공정 실 는 것 곤란 그 문에 체 제조비 시키는 , , 
    고 다 또 적 에 공정 고정 스크 태 가공 계 는 출 . , , , 
    적 에 가공 그 스크 제거 포 는 다수 공정 포 고 다 게다가, . , 
    적 에 가공 충 정 갖아 종 는 것 곤란 경, 
    가 다.
    도 패키지를 작하 한 종래 조법의 단면도[ 1D] 
    - 69 -
    결 고 는 과제 
    라 적 에 공정 않는 체 키 [0012] , 
    제조 당 술 야에 청 고 다, .
    실시 태 
    다 드 에 접 는 들어 수 었 끝에 [0031] 204 208 208a
    전 료가 존 는 술 전 역 는 다. , 
    전 전 본드 어나 본드 본 본드 클 는 것 정, 
    고 다.
    그 키 싱귤 가공 출 다 [0037] 2K , 208 208d
    드 출 갖는 키 브라 드가 볏겨내 태204 204d 220
    채 고 티드 킷 여 는 않는다 에 납 , (PC) ( )
    비 다.
    째 공정 에 는 드 가 적절 택적 전 [0042] 4 (308) , 
    어 좋다 그러 전 역 실시 는 다 끝 다 에 접 어 . , 
    는 어나 본 클 등 결 조체 끝 는 것 정 는 다 착 나 , 
    포 다. 
    째 공정 에 는 나 또는 복수 결 조체가 다 적절 [0047] 8 (316) , , 
    에 착 다 전 어 어 좋다 전술 것과 같 결 . . , 
    조체는 전 클 어 본 여 좋다, , .
    도 패키지를 하 한 본 발명에 의한 조법의 실시 태의 단면도[ 2J] 
    - 70 -
    게다가 실시 태 가 는 본드 어 신 클 포 다 [0056] , , . 
    러 본드 클 다 접촉점과 주 과 에 전 적 결 저 감, 
    는 것 가능 게 다 그 고 는 앞 큰 다 에 적 는 포 스 갖는 종. , 
    래보다 다 가능 게 다.
    도 그림 의 패키지의 다이 결합 구조체를 가리키는 평면도[ 4B] 4A
    - 71 -
    별지 [ 5]
    행 명 7
    명 명칭 도체 키지: 
    는 술 야 그 야 종래 술 
    본 체 키 에 것 게 체 다 [0002] , 
    접촉 트 전 적 연결 는 브 가 정 고 그 브 탈, 
    수 는 체 키 에 것 다.
    그러나 러 종래 체 키 는 제조 공정 체 다 접촉 [0008] , 
    트 브 연결 고정 는 단계에 시에 브 가 
    경 는 문제가 다 브 다 돌 가 비 접촉 트 절개 에 . , 
    결 는 만 시에 동 여 체 다 에 , 
    는 브 가 틀어 고 에 라 브 연결 량 다량 생 는 
    문제가 다 어 시에 브 다 돌 가 접촉 . , 
    트 절개 에 수 여 결 브 가 접촉 트에 
    탈 는 생 다.
    루고 는 술적 과제 
    본 같 종래 문제 결 안출 것 본 [0009] , 
    적 체 다 접촉 트 전 적 연결 는 브 가 정 고, 
    그 브 가 탈 는 억제 수 는 체 키 제공 는 다.

    참조 본 에 체 키 에 다 드 [0016] 2a (200) (206), 
    접촉 트 브 가 시 어 고 참조 그 (226) (216) , 2b
    체 키 단 가 시 어 다(200) .
    시 같 본 에 체 키 는 각 태 [0017] (200)
    에 업 역 과 드 가 연결 다 드 다 드 에 (202) (204) (206) , (206)
    고정 체 다 체 다 에 고(208) (210) , (210) (208)
    정 고 에는 절곡 제 다 역 고 제 다 역1 (212) , 1
    양 에는 제 다 역 보다 절곡 제 다 역 (212) 1 (212) 2 (214)
    브 브 제 다 역 에 고정(216) , (216) 1 (212)
    - 72 -
    고정 가 고 타 에는 업 역 드 가 접촉 트, (222) (224)
    다 드 체 다 브 접촉 트 가 (226) , (206), (210), (216) (226)
    다 드 접촉 트 에 드 는 돌, (206) (226) (204)(224)
    출 출 는 컴 드 루어져 다(228) .
    여 접촉 트 에 고정 는 단 략 역 [0018] , (226)
    각 양 들어간 다수 그루브 수 브 제(218)(groove) , (216)
    다 역 단 는 그루브 에 결 어 수 탈 억제1 (212) (218)
    다 물 브 제 다 역 과 그루브 전 고정 . , (216) 1 (212) (218)
    루어 다(208) .
    참조 본 에 다 체 키 에 다 드 [0023] 5a (500)
    접촉 트 브 가 시 어 고 참조 그 (506), (526) (516) , 5b
    체 키 단 가 시 어 다 여 는 (500) . 3a 
    에 시 체 키 므 그 차 점만 다 과 같다3b (300) .
    시 같 접촉 트 에 고정 는 나 닝 [0024] (526)
    과 닝 양 에 절개 수 다 여 (518)(coining) , (518) (530) . , 
    닝 에는 브 제 다 역 결 고 절개 에는 브(518) (516) 1 (512) , (530)
    제 다 역 결 브 수 에 (516) 2 (514) , (516)
    탈 적극적 억제 게 다.
    러 본 에 체 키 여 는 에 시 체 [0025] (200)( 2b
    키 심 는 다 드 접촉 트 가 체 ) (206) (226)
    도 본 발명에 의한 반도체 패키지를 도시한 단면도[ 2b] 
    - 73 -
    드 시 않 다 물 드 접촉 트 ( ) . , (226)
    에는 브 제 다 역 고정 수 고정 가 는 (216) 1 (212) , 
    그루브 닝 또는 업 역 어느 나 (218)(groove), (318)(coining) (418) 
    수 다 어 고정 양 에는 브 제 다 역 결. , (216) 2 (214)
    수 절개 가 수 다(530) .
    도 본 발명에 의한 반도체 패키지를 도시한 단면도[ 5b] 
    - 74 -
    별지 [ 6]
    행 명 9
    명 명칭 도체 장: 
    술 야 
    본 체 술에 고 특히 워 트랜 스 갖는 체 [0001] , , ( )
    라고 워 트랜 스 동 는 동 갖는 체 나 키 내에 ( )
    포 는 체 에 적 술 다.
    경 술 
    트랜 스 안에는 전 흐 게 수 는 워 트랜 스 라고 는 [0003] , 
    것 다 걸 는 워 트랜 스 는 최근 특히 동차등 는 동 . , , 
    에 고 그 수 가 커 고 다, .
    특 문헌 에는 워 트랜 스 갖는 나 체 나 키 [0004] 1 , ( )
    내에 포 는 체 가 공개 고 다.
    특 문헌 에는 나 키 안 에 워 트랜 스 갖는 체 [0005] 2, 3 , ( ) , 
    과 그 제어 갖는 체 수 공개 고 다( ) ( ) .
    결 고 는 과제 
    워 트랜 스 갖는 체 과 워 트랜 스 동 는 동 [0006] ( ) , 
    갖는 체 각 각 키 에 탑 경 에는 키 ( ) , 
    등에 에 적 커 거나 전 적 특 열 다고 문제가 다, .
    또 는 동 제어 는 제어 포 는 [0007] , 
    체 탑 다 키 가 어 제어 ( ) , 
    동 가 전 적 접 다 경 아 에 라 는 . , 
    어져 전 적 특 열 에 연결 다고 문제가 생 다.
    본 적 워 트랜 스 갖는 체 과 워 트랜 스 [0008] , ( )
    동 는 동 갖는 체 포 는 체 특 시( )
    키는 것에 다.
    또 본 적 체 는 것에 다 [0009] , , .
    또 본 적 체 시 적 실시 [0010] , , , 
    - 75 -
    수 는 것에 다.
    본 타 적과 특징 본 술 첨 [0011] , 
    것 다.
    과 
    본원에 어 공개 는 가 적 것에 얻 수 는 과 [0014] , 
    간단히 아래 같다.
    본 에 는 워 트랜 스 등 탑 는 다 드 동 [0015] , ( ) , 
    포 는 탑 는 다 드 고 워 트랜 스 ( ) , 
    출 각 동 포 는 제어 에 돌출 ( ) , ( ) , 
    므 시 접 등 짧게 정 수 다, .
    실시 최 태 
    본실시 태 체 복수 체 간단히 [0019] 10 , ( ) ( , ( )
    라고 경 다 각각 다 드 에 탑 고 또 복수 체 ) 20 30 , , 
    나 체 키 어 다( )20 40 .
    체 그 그 과 같 워 트랜 스 포 [0020] , 10 , 1, 2 (a), (b) ( ) , 
    는 제원 과 워 트랜 스 동 는 동 포 는 제 - 21 , 2 ( )22
    갖고 다.
    걸 는 제원 제 다 드 탑 고 다 제원 [0021] - 21 , 1 31 . - 21 , ( )
    주 에 출 전극 출 과 전극 에 전 적 ( ) , 51 61主面
    접 고 다.
    걸 는 전극 그 과 같 폭 에 [0022] 61 , 2 (c) ( ) , 
    전극접 드 전극접 루어 고 전극접 ( ) 61a , 6lb , ( ) 6
    드 전극접 접 에 고 다 걸 는 매 틀1a 6lb , . 
    게 전극접 드 전극접 는 연결 에 ( ) 61a , 6lb , 61c
    연결 고 다.
    또 걸 는 전극 그 과 같 그 주 가 안 보다 얇게 [0023] , 61 , 2(c) ( ) , 
    어 전극 전극 출 과 접 아, 61 ( ) 20 , 51
    고 다.
    제 제어 과 어 본 에 어 전 적 [0024] , 2 ( )22 , 52 , 70
    접 고 다 또 제원 과 제 어 본 에 어 전. , - 21 2 ( )22 , 70
    - 76 -
    적 접 고 다.
    제원 단 단 단 단 [0025] , - 21 Gate a, Cathode b, Anode c, SenseSource d, 
    단 는 각각 제 에 어 에 SenseGND e 2 ( )22 , 70a, 70b, 70c, 70d, 70e
    접 고 다 또 제 동 단 끝 단 단. , 2 ( )22 VB A, Vin B, Diag C, C1
    단 단 단 단 는 각각 제어 에D, C2 E, VCP F, VDDTEST G, GND H , 52 , 
    어 에 접 고 다70A, 70B, 70C, 70D, 70E, 70F, 70G, 70H .
    게 제 다 드 에 탑 제원 과 제 다 드 에 탑 제 [0026] 1 31 - 21 , 2 32
    어 접 어 동시에 제원 출 에 제2 ( )22 , 70 , - 21 51 , 2 ( )
    제어 에 접 에 어 체 고 다22 52 , , 40 .
    제 다 드 탑 제원 과 제 다 드 탑 제 [0027] 1 31 - 21 , 2 32 2 
    란 체 에 어져 다 제 다 드 과 제 다 드 란 그 ( )22 , 40 . 1 31 , 2 32 , 
    가 체 에 어져 다, 40 .
    제 다 드 과 제 다 드 란 그 과 같 [0028] , 1 31 , 2 32 , 1 ( ) , 
    출 그 쉬 것 같 시 체 출33 ( , ) 40
    어 가 체 내 에 고 는 것 다, 40 ( ) .內
    또 그 과 같 제 다 드 제 다 드 [0029] , 2 (a), (b) ( ) , 1 31, 2 32 , 
    탭 체 출 고 다, 40 .
    걸 는 체 는 복수책 출 과 복수책 제어 [0030] 40 , 51 , 5
    돌출 고 다 돌출 출 과 제어 게 2 , . , 51 52 , 
    고 다. 
    출 돌출 고 는 체 근처 제 라고 [0031] , 51 40 ( ) 1 41
    제어 돌출 고 는 근처 제 출 제52 ( ) 2 42 , 51 , 2
    과 주 는 제 에 돌출 고 는 것 다 동 게 제어 제42 1 41 . , 52 , 
    과 주 는 제 에 돌출 고 는 것 다1 41 2 42 .
    걸 는 복수책 출 열 체 제 과 [0032] 51 , 40 1 41
    게 고 다 동 게 제어 체 제 과 게 . , 52 , 40 2 42
    고 다. 
    게다가 걸 는 다 드 에 는 그 그 과 같 제 다 드 [0039] , (30) , 2 , 3 , 1 ⒜
    제 다 드 동시에 탑 끝 주 가 탑 (31), 2 (32) , ( ) (30a) , ( )(20)
    보다 게 정 고 다.
    - 77 -
    게 다 드 탑 끝 최 에 [0040] 30 ( ) 30a , ( )20
    고 정 는 것 다 드 탑 에 는 것 같 , ( ) 20 30
    다 드 에 걸 걸 는 시 에 전달 않고 고 30 , ( ) 20 , 
    끝 저 수 다 걸 는 끝 채 는 것 접 30a . 30a , 
    신 보 고 는 것 다.
    걸 는 체 에 는 출 제 다 드 제 다 드 [0043] 10 , 51, 1 31, 2 
    제어 동 드 고 다 32, 52 , 1 50 . 
    들 그 에 가 킬 경 에는 께가 동 드 어 그 , 1 , 50 , 2(a), 
    과 같 출 제 다 드 제 다 드 제어 께(b) ( ) , 51, 1 31, 2 32, 52
    가 동 게 정 고 다.
    그러나 그 에 내보 는 체 에 는 동 께 드 [0044] , 1 10 , 
    아니고 다 드 드 보다 껍게 드 50 , 30 50
    수 다 걸 는 드 경 단 그 에 내보. 50 , 5(a)
    다.
    그 에 는 다 드 제 다 드 제 다 드 [0045] 5(a) , 30( 1 31, 2 32)
    는 드 출 제어 각각 는 드 보다50 , 51, 52 50a
    껍게 고 다 드 다 드 에 당 는 만. , 50 30 , 
    께가 껍게 고 는 것 다.
    게 여 다 싱에 개 공 납 스트 드 [0075] ( ) , 
    고 스 에 드 다 드 다 본 는 개 실, S104 , . 
    시 태 체 에 는 미 는 개 탑 문 다 본10 , , 2 ( ) , 
    여 는 것 다 들 제 다 본 고 그 에 제원2 . , 2 ( )22 , 
    다 본 좋다 걸 는 다 본 에 개 전극 다 - 21 . , 2 ( ) , 
    도 다이 패드의 모양 모식 로 나타내는 단면도[ 3] 
    - 78 -
    드에 접 는 것 다.
    그 스 공 납 스트 전극 클 [0076] , S105 , 
    고 클 본 다 걸 는 클 본 에 제원 주 에 , . , - 21 ( )主面
    전극과 출 접 는 것 다 그 스 정 에 가열, 51 . , S106
    역 납 스트에 본 다.
    실시 태 개 실시 태에 는 실시 태 말 것 같 [0089] ( 2) , 1 , 1
    다 드에 제 단 는 것에 다 1 31a , 
    드 경 에 는 드 드 실시 수 경 에 , 
    다.
    다 드 에 는 미 는 제 단 [0090] 30 , , 1 31a
    는 것 만 걸 는 시에 는 , , 1
    다 드 에 적 는 것 충 히 적절 체 수 다30 , 40 .
    들 그 에 가 킬 경 는 다 드 않고 [0091] , 11 , 30
    만 제 단 는 체 안 에 들어가게 고 다 걸 는 다 드 , 1 31a , 40 . 
    는 가 탑 어 스 전극 출 등에 드 에 여 30 ( ) 21a , 50a
    전극 접 고 다 또 게 트 전극 어 접 아니고 전극 61 . , , 61
    드 에 접 어 무 조 갖고 다50b , .
    도 에 본 발명의 실시의 태 를 나타내는 도면[ 11(a) 11(c)] 2
    - 79 -
    걸 는 에 는 동 드 드 다 드 [0092] , 50 , 50a, 50b, 30
    어 께가 동 게 고 다 걸 경 그 에 내보 다 또, . , 11(b), (d) . , 
    다 드 드 수 고 그 30 50 , 11 
    에 그 제시 다 걸 는 체 는 들 그 에 내보 는 (c), (e) . , , 11(f)
    것 같 채 고 다.
    실시 태 개 실시 태에 는 실시 태 과 동 게 다 [0093] ( 3) , 2 , 
    드 않고 는 다 에 다 그 과 같30 . 12(a) ( ) , 
    다 드 들 가 탑 었 경 들 수 다 걸30 , MOSFET ( ) 21a . 
    경 라 말 것 같 다 드 제 단 가 , , 30 1 31a
    고 문에 드 에 누 고 충 정 체 , , 40
    수 다.
    걸 는 에 는 는 스 전극 드 전극 에 [0094] , ( ) 21a , 50a 61
    접 고 다 게 트 전극 어 본 에 어 드 에 접 고 . , 70 , 50b
    다 어 에는 들 등 고 다 걸 는 에 어. 70 , , Al, Au . 
    는 드 다 드 동 드 고 께가 동 , 50a, 50b, 30 , 50 , 
    게 고 다.
    께가 동 드 경 그 에 내보 [0095] 50 , 12(b), (d)
    다 또 다 드 께가 껍게 드 그 . , 50 , 12(c), 
    과 같 수 다 그 에 가 킬 경 에 는 들 그 에 (e) ( ) . 12(a) , , 12(f)
    내보 게 검 다 드 내 에 가 , MOSFET ( ) 21a
    고 는 다.
    걸 경 그 에 내보 다 또 다 드 께 드 [0098] , 13(b), (d) . , 
    보다 껍게 드 동 게 그 과 같 50 , , 13(c), (e) ( ) 
    수 다 그 에 가 킬 경 에는 들 그 에 내보. 13(a) , , 13(f)
    게 역접 다 드가 고 다, .
    그 과 같 제원 출 체 제 [0118] 19(a) ( ) , - 21 51 40 1 41
    에 돌출 고 전극 에 제원 주 에 전극과 접 고 , 61 - 21 ( )主面
    다 게다가 전극 체 에 출 고 어 걸 는 전극 . , 61 , 40 , 
    출 에 접 고 다 61 , BUS-BAR 200 .
    도 본 발명의 실시 태 나타낸 도면[ 19] 7
    - 80 -
    또 제 다 드 제 다 드 체 출 [0119] , 1 31, 2 32 , 40
    어 전원 에 접 고 다, BUS-BAR 100 .
    제원 과 제 제 과 제어 란 어 본 [0120] - 21 2 ( ) 22, 2 ( ) 22 52 , 
    에 어 접 고 다 제어 제어 과 접 고 다70 . 52 , .
    걸 는 체 에 는 에 체 [0121] 10 , BUS-BAR 200 10
    전극 접 고 문에 전 처 등 생 열 신 게 61 , , BUS-B
    열시킬 수 다 맞추어 전원 제 다 드 제AR200 . , BUS-BAR 100 1 31, 
    다 드 에 접 고 문에 열 특 개 는 것 다2 32 , .
    걸 는 타 체 에 는 과 같 양 각각 [0122] 10 , 
    전원 에 접 는 동시에 출 제어 BUS-BAR 200, BUS-BAR 100 , 51, 52
    전극 어 등 에 접 고 다 그 문에 에 앞61, 70 ( ) 20 . , 
    - 81 -
    는 라 에 라 양 가능 키 , , , 
    고 는 것 다.
    그 에 내보 경 는 동 드 출 제어 [0123] 19(b) , 50 , 51, 
    제 다 드 제 다 드 어 께가 동 게 고 52, 1 31, 2 32 , 
    경 다 그 에 가 킬 경 는 제 다 드 제 다 드 출. 19(c) , 1 31, 2 32
    제어 보다 께가 드 경51, 52 50 , 
    타 그 에 가 킬 경 같다, 19(b) .
    같 그 에 내보 체 에 는 그 키 [0130] 19, 20 10 , 
    체 양 열 실시 수 다 걸 는 열 술 그 에 , 40 . , 2
    내보 는 것 같 에 열 과는 다 고 열 과 시, 
    킬 수 는 것 다 열저 저감 수 다 특히 단시간 전 가 흐 . , . , 
    열 과 열저 역에 저감 과 수 는 것 다.
    본실시 태 말 것 같 그 에 가 킨 것 같 체 [0132] , , 19, 20 , 40
    에 전극 출시키는 것 열 특 시키고 , 61, 62 , 
    다.

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